год издания — 2001, кол-во страниц — 288, ISBN — 5-02-022619-X, 5-02-024962-9, тираж — 3000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б суперобл., издательство — Наука. СПб

цена: 299.00 руб

Рецензенты:
акад. Ю. В. Гуляев
д-р техн. наук Ю. М. Таиров

Формат 70x100 1/16. Бумага мелованная. Печать офсетная

Основную часть книги составляют пионерские работы академика Ж. И. Алфёрова по физике полупроводниковых гетероструктур и приборов на их основе. Автор внёс вьщающийся вклад в эти быстро развивающиеся области исследований, заложивших основы современных информационных технологий. Наряду с оригинальными работами в книгу включены научные обзоры, написанные Ж. И. Алфёровым в разные годы, позволяющие читателю проследить за становлением исследований и их перспективами.

Уже после выхода в свет первого издания книги упомянутые работы Ж. И. Алфёрова получили высшее международное признание — в октябре 2000 г. автор и американский учёный Герберт Крёмер были удостоены Нобелевской премии по физике за «развитие полупроводниковых гетероструктур», что и послужило поводом для второго, дополненного издания.

Широкий круг читателей несомненно заинтересуют воспоминания и публицистические выступления Ж. И. Алфёрова, известного не только своей научной, но и многогранной общественной деятельностью.

Предисловие	5
Предисловие к первому изданию	7
Небольшая сага о Жоресе Алфёрове
Борис Захарченя	9

Научные статьи и изобретения	23
Полупроводниковый лазер с электрической накачкой
Соавтор: Р. Ф. Казаринов	25
Об одной особенности инжекции в гетеропереходах
Соавторы: В. Б. Халфин, Р. Ф. Казаринов	26
О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе
p-i-n (p-n-n⁺, n-р-р⁺)-структуры с гетеропереходами	29
Высоковольтные р-n-переходы в кристаллах Ga_xAl_1-xAs
Соавторы: В. М. Андреев, В. И. Корольков, Д. Н. Третьяков, В. М. Тучкевич	33
Инжекционные свойства гетеропереходов n-AL_xGa_1-xAs-p-GaAs
Соавторы: В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. Н. Третъяков	36
Гетеропереходы Al_xGa_1-xAs-GaAs
Соавторы: В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. П. Третьяков	39
Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким
порогом генерации при комнатной температуре
Соавторы: В. М. Андреев, Е. Л. Портной, М. К. Трукан	47
Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе AlAs-GaAs на
пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при
комнатной температуре
Соавторы: В. М. Андреев, Д. 3. Гарбузов, Ю. В. Жиляев, Е. П. Морозов,
Е. Л. Портной, В. Г. Трофим	53
Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов p-Al_xGa_1-xAs-n-GaAs
Соавторы: В. М. Андреев, М. Б. Каган, И. И. Протасов, В. Г. Трофим	56
Electroluminescence of heavily-doped heterojunctions p-Al_xGa_1-xAs-n-GaAs	58
Расщепление зоны проводимости в «сверхрешётке» на основе GaP_xAs_1-x
Соавторы: Ю. В. Жиляев, Ю. В. Шмарцев	69
Heterojunctions on the basis of A^IIIB^V semiconductors and their solid solutions
Co-authors: V. M. Andreev, S. G. Konnikov, V. G. Nikitin, D. N. Tret'yakov	72
Полупроводниковый оптический квантовый генератор
Соавторы: В. М. Андреев, Р. Ф. Казаринов, Е. Л. Портной, Р. А. Сурис	81
Фототранзистор на основе гетеропереходов в системе GaAs-AlAs
Соавторы: Ф. А. Ахмедов, В. И. Корольков, В. Г.Никитин	84
Инжекционный гетеролазер с выводом излучения через дифракционную решётку
Соавторы: С.А. Гуревич, Р. Ф. Казаринов, В. Р. Ларионов, М. Н. Мизеров,
Е. Л. Портной	90
Фотоэдс в плавной гетероструктуре на основе твёрдых растворов Al_xGa_1-xAs
Соавторы: В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, Н. Рахимов,
Т. С. Табаров	94
Снижение пороговой плотности тока в GaAs-AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных
лазерах (J_п = 52 А • см_-2, Т = 300 К) при ограничении квантовой ямы
короткопериодной сверхрешёткой с переменным шагом
Соавторы: А. М. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов,
М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов	97
Инжекционный гетеролазер на основе массивов вертикально связанных
квантовых точек InAs в матрице GaAs
Соавторы: Н. А. Берт, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, А. О. Косогов,
И. Л. Крестников, Н. Н. Леденцов, А. В. Лунев, М. В. Максимов, А. В. Сахаров,
В. М. Устинов, А. Ф. Цацулъников, Ю. М. Шерняков, Д. Бимберг	101

Научные обзоры	105
Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе	107
Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии	127
История и будущее полупроводниковых гетероструктур	142

Выступления	169
Физика XXI века	171
Академия наук в Петербурге-Ленинграде за 275 лет	182

Воспоминания	191
Памяти великого физика современности	193
Анатолий Петрович Александров — встречи и воспоминания	196
Монологи о Капице	199
Пионер отечественной теоретической физики	202
Как Валерий Брумель помог мне сэкономить 150 долларов	207

Публицистика	209
Колыбель советской физики	211
Выступление на Втором съезде народных депутатов СССР	221
Я счастлив, что мои родители не дожили до этого времени	225
«Академическое дело»: 70 лет спустя	230
Никакая разведка не могла дать нашей стране ядерное оружие	234
Нужно ли России Министерство науки	240
Мне надоело испытывать стыд за страну	243

Нобелевские хроники	247
Сообщение для печати Королевской академии наук Швеции	249
Выступление на Нобелевском банкете	253
Свидетельство высшего признания
Борис Захарченя	255
Без веры жить нельзя	258

Послесловие	266

Основные научные публикации	275

Книги на ту же тему

Юность академиков, Кокин Л. М., 1970
Популярная физика. — 2-е изд., Орир Д., 1966

elapsed time 0.020 sec

/Наука и Техника/Физика

ОГЛАВЛЕНИЕ

Книги на ту же тему