Физика

Теория экситонов

год издания — 1966, кол-во страниц — 220, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 310 гр., издательство — Мир

цена: 499.00 руб

Сохранность книги — хорошая

THEORY OF EXCITONS
by ROBERT S. KNOX
DEPARTMENT OF PHYSICS AND ASTRONOMY UNIVERSITY OF ROCHESTER

Academic Press 1963

Пер. с англ. Ю. В. Конобеева

Формат 60x90 1/16

Настоящая монография представляет собой первую в мировой литературе книгу, посвящённую последовательному изложению теории экситонов — бестоковых электронных возбуждений в кристаллах (ионных, полупроводниковых, диэлектрических, металлических и др.). Понятие экситона в настоящее время широко используется при анализе оптических, люминесцентных, фотоэлектрических, электрических, спектроскопических и других свойств кристаллов, а также при исследовании процессов переноса энергии.

Книга может служить дополнительным пособием для студентов и аспирантов физико-технических вузов по ряду разделов курса физики твёрдого тела. Книга представляет также интерес для преподавателей и научных работников (как теоретиков, так и экспериментаторов) — специалистов в области физики твёрдого тела.

Предисловие редактора перевода	5
Предисловие автора	7

ГЛАВА I. ВВЕДЕНИЕ	9

§ 1. Обзор	9

ГЛАВА II. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ЭКСИТОНА	15

§ 2. Общее рассмотрение в одноэлектронном приближении	15
А. Идеализированная модель изолятора	15
Б. Возбуждённые состояния в идеализированной модели
кристалла	21

§ 3. Сильная связь. Экситон Френкеля	29
A. Собственные функции и собственные значения	29
Б. Поперечные и продольные экситоны	32
B. Давыдовское расщепление	37
Г. Экситоны Френкеля в твёрдом аргоне	41
Д. Область применимости	44

§ 4. Слабая связь. Экситон Ванье	45
A. Собственные значения и собственные функции	45
Б. Диэлектрическая постоянная	57
B. Сравнение с экспериментом	60
Г. Границы применимости модели Ванье	66

§ 5. Промежуточные случаи	68
A. Волновые функции и собственные значения энергии	68
Б. Модель «переноса электрона»	70
B. Модель «возбуждения»	75
Г. Мультиплетность пиков поглощения	78
Д. Перспективы дальнейшего исследования	82

§ 6. Влияние внешних статических полей	83
A. Электрические поля	83
Б. Магнитные поля	89
B. Поля напряжений	95

§ 7. Специальные вопросы	96
A. Вторичное квантование и статистика экситонов	96
Б. Эффективное электронно-дырочное взаимодействие	100
B. Связь с коллективными возбуждениями	105
Г. Рентгеновские экситоны	109

ГЛАВА III. ДИСПЕРСИЯ И ПОГЛОЩЕНИЕ СВЕТА В НЕМЕТАЛЛАХ	110

§ 8. Классическая теория оптических эффектов	110
A. Феноменологическая теория	110
Б. Модель Лоренца	112
B. «Эффекты запаздывания»	114
Г. Методы экспериментального измерения оптических
параметров	117

§ 9. Полуклассическая теория поглощения света	118
A. Экситон-фотонное взаимодействие	119
Б. Силы осциллятора для прямых переходов	123
B. Ограниченность квазиклассической теории. «Эффекты
запаздывания»	138
Г. Двухэлектронные переходы в твёрдых телах	142

§ 10. Процессы с участием фононов	143
A. Экситон-фононное взаимодействие	144
Б. Уширение линий	151
B. Сдвиг линий и правило Урбаха	160
Г. Косые переходы	166

§ 11. Аномальные волны и пространственная дисперсия	171

ГЛАВА IV. ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ ВОПРОСЫ	178

§ 12. Теория переноса энергии экситонами	178
A. Общие замечания	178
Б. Рассеяние экситонов	181
B. Фотопроводимость и фотоэмиссия	185
Г. Захват и диффузия	190
Д. Вклад экситонов в теплопроводность	192
Е. Перенос энергии	193

§ 13. Радиационный распад	197
А. Излучение света свободными экситонами	198
Б. Излучение света «локализованными» экситонами	199

Заключение	201

Л и т е р а т у р а	204

Книги на ту же тему

Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
Сенсибилизированный фотоэффект, Акимов И. А., Черкасов Ю. А., Черкашин М. И., 1980
Кинетическая теория лазеров, Машкевич В. С., 1971
Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
Люминесценция кристаллов, Кюри Д., 1961

http://knigoprovod.ru

/Наука и Техника/Физика

ОГЛАВЛЕНИЕ

Книги на ту же тему