|
Теория экситонов |
Нокс Р. |
год издания — 1966, кол-во страниц — 220, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 310 гр., издательство — Мир |
|
цена: 499.00 руб | | | | |
|
Сохранность книги — хорошая
THEORY OF EXCITONS by ROBERT S. KNOX DEPARTMENT OF PHYSICS AND ASTRONOMY UNIVERSITY OF ROCHESTER
Academic Press 1963
Пер. с англ. Ю. В. Конобеева
Формат 60x90 1/16 |
ключевые слова — экситон, электронн, кристалл, ионных, полупроводник, оптическ, люминесцен, фотоэлектр, спектроскоп, френкел, давыдовск, расщеплен, поглощен, квантов, электронно-дыроч, коллективн, рентгенов, фотон, фонон, урбах, дисперс, фотопроводим, фотоэмисс |
Настоящая монография представляет собой первую в мировой литературе книгу, посвящённую последовательному изложению теории экситонов — бестоковых электронных возбуждений в кристаллах (ионных, полупроводниковых, диэлектрических, металлических и др.). Понятие экситона в настоящее время широко используется при анализе оптических, люминесцентных, фотоэлектрических, электрических, спектроскопических и других свойств кристаллов, а также при исследовании процессов переноса энергии.
Книга может служить дополнительным пособием для студентов и аспирантов физико-технических вузов по ряду разделов курса физики твёрдого тела. Книга представляет также интерес для преподавателей и научных работников (как теоретиков, так и экспериментаторов) — специалистов в области физики твёрдого тела.
|
ОГЛАВЛЕНИЕПредисловие редактора перевода | 5 | Предисловие автора | 7 | | ГЛАВА I. ВВЕДЕНИЕ | 9 | | § 1. Обзор | 9 | | ГЛАВА II. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ЭКСИТОНА | 15 | | § 2. Общее рассмотрение в одноэлектронном приближении | 15 | А. Идеализированная модель изолятора | 15 | Б. Возбуждённые состояния в идеализированной модели | кристалла | 21 | | § 3. Сильная связь. Экситон Френкеля | 29 | A. Собственные функции и собственные значения | 29 | Б. Поперечные и продольные экситоны | 32 | B. Давыдовское расщепление | 37 | Г. Экситоны Френкеля в твёрдом аргоне | 41 | Д. Область применимости | 44 | | § 4. Слабая связь. Экситон Ванье | 45 | A. Собственные значения и собственные функции | 45 | Б. Диэлектрическая постоянная | 57 | B. Сравнение с экспериментом | 60 | Г. Границы применимости модели Ванье | 66 | | § 5. Промежуточные случаи | 68 | A. Волновые функции и собственные значения энергии | 68 | Б. Модель «переноса электрона» | 70 | B. Модель «возбуждения» | 75 | Г. Мультиплетность пиков поглощения | 78 | Д. Перспективы дальнейшего исследования | 82 | | § 6. Влияние внешних статических полей | 83 | A. Электрические поля | 83 | Б. Магнитные поля | 89 | B. Поля напряжений | 95 | | § 7. Специальные вопросы | 96 | A. Вторичное квантование и статистика экситонов | 96 | Б. Эффективное электронно-дырочное взаимодействие | 100 | B. Связь с коллективными возбуждениями | 105 | Г. Рентгеновские экситоны | 109 | | ГЛАВА III. ДИСПЕРСИЯ И ПОГЛОЩЕНИЕ СВЕТА В НЕМЕТАЛЛАХ | 110 | | § 8. Классическая теория оптических эффектов | 110 | A. Феноменологическая теория | 110 | Б. Модель Лоренца | 112 | B. «Эффекты запаздывания» | 114 | Г. Методы экспериментального измерения оптических | параметров | 117 | | § 9. Полуклассическая теория поглощения света | 118 | A. Экситон-фотонное взаимодействие | 119 | Б. Силы осциллятора для прямых переходов | 123 | B. Ограниченность квазиклассической теории. «Эффекты | запаздывания» | 138 | Г. Двухэлектронные переходы в твёрдых телах | 142 | | § 10. Процессы с участием фононов | 143 | A. Экситон-фононное взаимодействие | 144 | Б. Уширение линий | 151 | B. Сдвиг линий и правило Урбаха | 160 | Г. Косые переходы | 166 | | § 11. Аномальные волны и пространственная дисперсия | 171 | | ГЛАВА IV. ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ ВОПРОСЫ | 178 | | § 12. Теория переноса энергии экситонами | 178 | A. Общие замечания | 178 | Б. Рассеяние экситонов | 181 | B. Фотопроводимость и фотоэмиссия | 185 | Г. Захват и диффузия | 190 | Д. Вклад экситонов в теплопроводность | 192 | Е. Перенос энергии | 193 | | § 13. Радиационный распад | 197 | А. Излучение света свободными экситонами | 198 | Б. Излучение света «локализованными» экситонами | 199 | | Заключение | 201 | | Л и т е р а т у р а | 204 |
|
Книги на ту же тему- Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
- Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
- Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
- Сенсибилизированный фотоэффект, Акимов И. А., Черкасов Ю. А., Черкашин М. И., 1980
- Кинетическая теория лазеров, Машкевич В. С., 1971
- Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
- Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
- Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
- Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
- Люминесценция кристаллов, Кюри Д., 1961
|
|
|