КнигоПровод.Ru22.11.2024

/Наука и Техника/Физика

Новые материалы для электроники
Новые материалы для электроники
год издания — 1967, кол-во страниц — 311, тираж — 4700, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 460 гр., издательство — Металлургия
цена: 499.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Пер. с англ. В. Я. Пахомова, Б. Д. Лайнера, Р. Л. Петрусевич

Формат 60x90 1/16. Бумага №1 для глубокой печати
ключевые слова — металлург, электроник, сверхпров, полупроводн, эпитакс, мазер, металловед, металлофиз, сплав, раствор, магнитн, легирован, кристалл, кремн, мышьяк, германиев, радиоастрон, радиолокац, ниобиев, циркон, станнан, вольфрам, сапфир, теллур, пиролитическ, рубин

Книга представляет собой сборник докладов, сделанных в Филадельфии в августе 1962 г. на конференции по металлургии перспективных материалов для электроники и посвящённых проблеме получения и исследования свойств материалов с особыми физическими свойствами. В статьях сборника рассмотрены новые материалы: сверхпроводники, полупроводники и эпитаксиальные плёнки, а также материалы для мазеров. В сборнике изложены технологические вопросы получения материалов, их физические свойства, а также влияние на них структурных изменений.

Книга предназначена для научных работников, металлургов, металловедов и металлофизиков, а также для преподавателей и студентов, интересующихся вопросами металлургии и металлофизики материалов для электроники.

Одной из предпосылок быстрого развития электроники было создание материалов с принципиально новыми свойствами. Электроника с своей стороны ставит перед металлургами задачу создания новых материалов, обладающих определёнными характеристиками. Проблеме получения и исследования свойств материалов с особыми физическими свойствами посвящён сборник докладов, сделанных на конференции по металлургии перспективных материалов для электроники (Филадельфия, 1962). В представленных работах рассматриваются новые материалы, обладающие требуемыми сверхпроводящими, полупроводниковыми или мазерными свойствами. В соответствии с этим статьи сборника разбиты на три части. Каждой части предпослана статья обзорного характера.

Часть по сверхпроводниковым материалам открывается статьей С. X. Аутлера «Современное представление о сверхпроводниках с высокими магнитными полями». Известно, что применение сверхпроводящих материалов позволяет создавать соленоиды с высокой напряжённостью магнитного поля при незначительном потреблении электроэнергии. В настоящее время в качестве сверхпроводников используется соединение Nb3Sn, а также сплавы типа твёрдых растворов Nb — 25% (атомн.) Zr и Nb — 50% (атомн.) Ti. При разработке сверхпроводящих материалов основное внимание исследователи уделяют дальнейшему повышению критических токов, магнитных полей и температур перехода, а также улучшению технологии производства известных сверхпроводников, особенно таких, как Nb3Sn и V3Ga. В статьях сборника представлен ряд исследований системы Nb — Zr. Как оказалось, ряд сплавов этой системы, кроме известного ранее сплава Nb — 25% (атомн.) Zr, обладает хорошими сверхпроводящими свойствами, а сплав Nb — 65% (атомн.) Zr имеет высокую критическую плотность тока и критическое магнитное поле, которое больше, чем у сплава Nb — 25% Zr. Интересны работы по изучению получения из газовой фазы соединения Nb3Sn и влияния микроструктуры и упорядочения на сверхпроводящие свойства этого соединения.

Во второй части сборника особого внимания заслуживает содержательная обзорная статья Д. В. Пэшли, посвящённая ориентированному нарастанию. Эпитаксиальные плёнки находят применение при микроминиатюризации электронной аппаратуры, а также при создании полупроводниковых приборов, превосходящих по своим характеристикам приборы, получаемые другими методами. В настоящее время полупроводниковые плёнки получаются обычно путём использования транспортных реакций в газовой фазе. В сборнике приводятся схемы нескольких установок, предназначенных для этого. Освещаются также исследования структуры и свойств плёнок в зависимости от параметров процесса осаждения. Кроме того, в этом разделе помещены исследования процессов легирования из пары кристаллов кремния, процессов выделения мышьяка в германии и зарождения второй фазы при переходе германиевых сплавов из жидкого состояния в твёрдое.

Третий раздел сборника, посвящённый изучению материалов для мазеров, открывается обзорной статьей Л. Ж. Ван Уитерта «Мазеры на твёрдых веществах». Мазеры уже нашли применение в радиоастрономии, радиолокации и т. д. В дальнейшем их применение, вероятно, ещё более расширится. Особенно важным при производстве материалов для мазеров является чистота и точность легирования материала, а также его физическая и химическая неоднородность, от чего зависит параллельность и когерентность луча мазера. В сборнике разбираются некоторые вопросы, связанные с изучением производства кристаллов для мазеров и их характеристик. В целом сборник в определённой мере отражает состояние работ за рубежом по разработке новых материалов для некоторых областей электроники, и нам кажется, что советский читатель с интересом с ним ознакомится.

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА РУССКОГО ПЕРЕВОДА

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора русского перевода7
 
Ч а с т ь   I.   Сверхпроводники
 
С. X. Аутлер. Современное представление о сверхпроводниках с
высокими магнитными полями9
К. Л. Колбе, К. X. Рознер. Получение и сверхпроводящие свойства
проволоки из Nb3Sn21
К. М. Роллс, А. Л. Дониеви, Р. М. Роуз, Дж. М. Вульф. Высокие
критические поля и токи в сверхпроводящих сплавах ниобий-цирконий,
богатых цирконием37
М. С. Волкер, Р. Стихлер, Ф. Е. Вернер. Микроструктура и эффект
тренировки сверхпроводящего сплава Nb — 25% Zr48
Т. Б. Рид, X. К. Гэтос, В. И. Ля'Флер, И. Т. Родди. Сверхпроводящие
свойства некоторых ниобиевых соединений со структурой типа
β — W и их сплавов68
К. С. Тедман, Р. М. Роуз, Дж. Вульф. Сверхпроводимость моно- и
поликристаллического ниобия84
Е. Буэлер, Дж. X. Верник, К. М. Олсен, Ф. С. Л. Шоу, Дж. Е. Кюнцлер.
Приготовление и свойства проволоки с сердцевиной из
соединений Nb3Sn и V3Ga97
Р. Энстром, Т. Куртней, Г. Пирсол, Дж. Вульф. Зависимость тока
и поля в сверхпроводящем состоянии от микроструктуры в
системе ниобий — олово112
М. Д. Бэнас, X. К. Гатос, М. К. Лавине, Т. Б. Рид. Взаимодействие
станнана с ниобиевой проволокой и сверхпроводящие свойства
получаемого продукта140
Дж. Дж. Ханак. Осаждение соединения Nb3Sn из паровой фазы149
 
Ч а с т ь   II.   Эпитаксия и полупроводники
 
Д. В. Пэшли. Эпитаксия тонких плёнок160
Т. Л. Чу и Д. Р. Жавалер. Несовершенства в выращенном из пара
кремнии190
Дж. П. Миз и В. Р. Руньян. Использование эпитаксии для получения
кремниевых управляемых вентилей207
Р. С. Вагнер. Зарождение второй фазы при переходе германиевых
сплавов из жидкого состояния в твёрдое216
Дж. Е. Брок и Б. К. Бишоф. Выделения мышьяка в германии225
Г. Д. Барнет, А. Миллер, Г. Р. Пуллиам и Р. Г. Уоррен. Химическое
осаждение из пара плёнок вольфрама на сапфире236
С. Фишлер. Выращивание из пара и легирование кристаллов кремния
с помощью теллура в качестве переносчика245
Дж. В. Сэвери. Легирование из пара в атмосфере печи253
Е. Г. Байлендер и М. М. Митчелл. Изготовление приборов из
кристаллов кремния, осаждённых пиролитически на
подложке-изоляторе261
 
Ч а с т ь   III.   Материалы для мазеров
 
Л. Ж. Ван Уитерт. Мазеры на твёрдых веществах270
Р. С. Линарс. Фазовое равновесие и выращивание кристаллов в системе
ZnS — ZuF2292
Р. Л. Барнс. Несовершенства в рубинах, применяемых для мазеров297

Книги на ту же тему

  1. Транзисторная электроника в приборостроении, Чистяков Н. И., ред., 1959

© 1913—2013 КнигоПровод.Ruhttp://knigoprovod.ru