Предисловие редактора перевода | 5 |
Предисловие редакторов пятитомного издания «Прикладная физика атомных столкновений» | 8 |
Предисловие | 10 |
|
Глава 1. Введение и общий обзор (Д. Л. Хьюстис) | 11 |
|
1.1. Газовые лазеры. Введение | 11 |
1.1.1. Революция в развитии лазерных систем | 11 |
1.1.2. Простейшие представления о лазерах | 12 |
1.1.3. Общее содержание книги | 14 |
1.2. Краткий исторический обзор | 14 |
1.2.1. Лазеры с передачей энергии | 15 |
1.2.2. Лазеры с прямым возбуждением | 17 |
1.2.3. Фотодиссоциативные лазеры | 20 |
1.2.4. Химические лазеры | 24 |
1.2.5. Эксимерные лазеры | 26 |
1.3. Принципы действия лазерных систем | 30 |
1.3.1. Моделирование лазера | 31 |
1.3.2. Создание возбуждённых состояний | 33 |
1.3.3. Кинетика возбуждённых состояний | 38 |
1.3.4. Спектроскопия возбуждённых состояний и |
извлечение лазерной энергии | 42 |
1.4. Направления будущей работы | 47 |
Литература | 48 |
|
Глава 2. Образование отрицательных ионов в газовых лазерах |
(П. Дж. Чантри) | 52 |
|
2.1. Введение | 52 |
2.1.1. Некоторые определения | 53 |
2.2. Роль отрицательных ионов в газовых лазерах | 55 |
2.2.1. Управление средней энергией электронов | 55 |
2.2.2. Образование возбуждённых состояний при |
ион-ионной рекомбинации | 56 |
2.2.3. Образование возбуждённых состояний на верхнем |
лазерном уровне непосредственно в процессе |
диссоциативного прилипания | 57. |
2.2.4. Опустошение уровней электронами | 57 |
2.2.5. Разрушение молекул, являющихся донорами |
атомов галогена | 58 |
2.2.6. Неустойчивости разряда | 58 |
2.3. Механизмы образования отрицательных ионов | 61 |
2.4. Методы измерений | 65 |
2.4.1. Измерение полного сечения прилипания методом |
однократного столкновения | 66 |
2.4.2. Масс-спектрометрические измерения | 69 |
2.4.3. Эксперименты с дрейфовой трубкой | 70 |
2.4.4. Разряды с плоской конфигурацией, поддерживаемые |
электронным пучком | 72 |
2.5. Критический обзор экспериментальных данных | 74 |
2.5.1. Фтор (F2) | 74 |
2.5.2. Трифторид азота (NF3) | 81 |
2.5.3. Хлористый водород (НСl) | 84 |
2.5.4. Дибромид ртути (HgBr2) | 88 |
2.5.5. Другие газы, представляющие интерес | 90 |
Литература | 92 |
|
Глава 3. Кинетика ионов при высоких давлениях |
(В. Дж. Виганд) | 95 |
|
3.1. Введение | 95 |
3.2. Скорости ион-молекулярных реакций | 96 |
3.2.1. Бимолекулярные реакции | 96 |
3.2.2. Трёхмолекулярные реакции | 97 |
3.2.3. Эффективные скорости реакций | 101 |
3.3.4. Зависимость от давления | 102 |
3.3.5. Характерные временные интервалы | 103 |
3.3. Энергетический подход к рассмотрению ионных реакций | 104 |
3.3.1. Энергетика положительных ионов | 105 |
3.3.2. Энергетика отрицательных ионов | 107 |
3.3.3. Энергия связи в кластерах | 108 |
3.3.4. Равновесие и условие стационарности | 110 |
3.3.5. Продукты диссоциации и примеси | 113 |
3.4. Трёхмолекулярная ионная кинетика в тлеющем разряде | 114 |
3.4.1. Фотопоглощение | 114 |
3.4.2. Конверсия ионов неона в ионы ксенона | 116 |
3.4.3. Рекомбинация кластерных ионов | 116 |
3.4.4. Ион-ионная рекомбинация | 117 |
3.4.5. Трёхчастичное прилипание электрона | 118 |
3.5. Способы получения данных по кинетике ионов при |
высоком давлении | 119 |
3.6. Заключительные замечания | 120 |
Литература | 122 |
|
Глава 4. Релаксация молекул при обмене колебательной |
энергией (Дж. У. Рич) | 125 |
|
4.1. Введение | 125 |
4.2. Кинетические уравнения | 126 |
4.2.1. Общее рассмотрение | 126 |
4.2.2. Модели релаксации | 128 |
4.3. Реализация в экспериментах | 146 |
4.3.1. Бинарные смеси; газовые потоки, содержащие азот | 146 |
4.3.2. Лазеры на окиси углерода | 148 |
4.3.3. Многоатомные молекулы | 164 |
4.3.4. Химические реакции и разделение изотопов в системах |
с V-V-накачкой | 166 |
Литература | 173 |
|
Глава 5. Ион-ионная рекомбинация в разрядах высокого |
давления (М. Р. Фланнери) | 177 |
|
5.1. Успехи современной теории | 177 |
5.2. Коэффициент рекомбинации как функция плотности газа | 180 |
5.2.1. Случаи высоких и низких плотностей газа | 180 |
5.2.2. Промежуточные значения плотности газа | 183 |
5.3. Фундаментальная микроскопическая теория рекомбинации | 188 |
5.3.1. Зависимость от плотности газа | 188 |
5.3.2. Решение, зависящее от времени | 195 |
5.3.3. Зависимость от плотности ионов | 205 |
5.4. Константы рекомбинации для различных процессов с |
участием галогенидов инертных газов | 209 |
5.5. Заключение | 213 |
Литература | 214 |
|
Глава 6. Электрон-ионная рекомбинация в газовых лазерах |
(М. А Бионди) | 216 |
|
6.1. Введение | 216 |
6.2. Основые процессы и определения | 216 |
6.3. Коэффициенты рекомбинации и их зависимость от энергии | 220 |
6.3.1. Двухчастичная рекомбинация | 220 |
6.3.2. Трёхчастичная рекомбинация | 223 |
6.4. Условия проявления различных процессов рекомбинации | 225 |
6.4.1. Диссоциативная рекомбинация | 225 |
6.4.2. Ударно-радиационная рекомбинация | 228 |
6.4.3. Рекомбинация при стабилизации нейтральной |
частицей | 228 |
6.5. Состояния, образующиеся при рекомбинации | 229 |
6.5.1. Продукты диссоциативной рекомбинации | 229 |
6.5.2. Продукты, образующиеся при трёхчастичной |
рекомбинации | 231 |
6.6. Приложение к лазерным системам | 232 |
6.6.1. Ограничения на величину плотности электронов |
плазмы | 232 |
6.6.2. Образование предшествующих состояний | 232 |
6.6.3. Прямое образование инверсии населённостей | 233 |
Литература | 233 |
|
Глава 7. Столкновительные процессы в химических лазерах |
(Дж. Дж. Хинчен) | 235 |
|
7.1. Введение | 235 |
7.2. Обмен энергией между колебательными и вращательными |
степенями свободы | 237 |
7.2.1. Теория обмена энергией между колебательными |
и поступательными степенями свободы | 239 |
7.2.2. Теория V-R-обмена | 241 |
7.2.3. Экспериментальное подтверждение существования |
V-R-обмена | 246 |
7.3. Обмен энергией между вращательными уровнями | 256 |
7.3.1. Флуоресцентные методы | 257 |
7.3.2. Исследование вращательной релаксации методом |
двойного ИК резонанса | 264 |
7.4. Частоты столкновительных процессов, полученные из |
данных по уширению спектральных линий давлением | 270 |
7.5. Заключительные замечания | 273 |
Литература | 274 |
|
Глава 8. Мощные лазерные усилители на СО2 (У. Т. Лиланд) | 276 |
|
8.1. Введение | 276 |
8.2. Физические процессы образования инверсии |
населённостей в СО2-лазере | 276 |
8.2.1. Колебательные и вращательные уровни молекул |
СО2 и N2 | 276 |
8.2.2. Радиационные времена жизни | 278 |
8.2.3. Кинетическая модель | 278 |
8.2.4. Ввод энергии с помощью электрического разряда | 282 |
8.2.5. Межмолекулярные взаимодействия | 284 |
8.2.6. Кинетические уравнения | 290 |
8.2.7. Выражение для коэффициента усиления слабого |
сигнала | 291 |
8.2.8. Расчёт и измерения усиления слабого сигнала | 295 |
8.3. Кпд СО2-усилителей | 297 |
8.3.1. Кпд накачки | 297 |
8.3.2. Эффективность съёма энергии с усилителя | 302 |
Литература | 306 |
|
Глава 9. Эксимерные лазеры; спектроскопия и химия |
возбуждённых состояний (Й. Теллингейсен) | 307 |
|
9.1. Введение | 307 |
9.2. Спектроскопия эксимерных систем | 309 |
9.2.1. Свойства эксимеров, определяемые принципом |
Франка-Кондона | 309 |
9.2.2. Электронные состояния и потенциальные кривые | 315 |
9.3. Химические свойства возбуждённых состояний | 325 |
Литература | 328 |
|
Глава 10. Лазеры на галогенидах инертных газов (М. Рокни, |
Дж. X. Джакоб) | 332 |
|
10.1. Введение | 332 |
10.2. Кинетика образования верхнего лазерного уровня | 336 |
10.2.1. Образование KrF* при накачке электронным |
пучком | 337 |
10.2.2. Образование XeF* при накачке электронным |
пучком | 339 |
10.2.3. Образование KrF* в разряде | 342 |
10.2.4. Образование XeF* при накачке разрядом | 345 |
10.3. Кинетика тушения галогенидов инертных газов | 347 |
10.4. Накачка | 352 |
10.4.1. Накачка электронным пучком | 352 |
10.4.2. Накачка разрядом | 355 |
10.5. Вывод мощности | 364 |
10.5.1. Вывод мощности в KrF*-лазере | 364 |
10.5.2. Вывод мощности в ХеF*-лазере | 370 |
Литература | 379 |
|
Глава 11. Свойства разряда, управляемого электронным |
пучком, в ХеСl(В-X)- и HgBr(B-Х)-лазерах |
(У. Л. Нигэн) | 383 |
|
11.1. Введение | 383 |
11.2. Разряды, управляемые электронным пучком | 385 |
11.2.1. Лазеры на электронных переходах | 386 |
11.3. Лазеры на галогенидах инертных газов и галогенидах |
ртути | 390 |
11.3.1. Разряды, накачивающие ХеСl(В-Х)-лазеры | 391 |
11.3.2. Разряды в диссоциативном HgBr(B-X)/HgBr2-лазере | 394 |
11.4. Возбуждённые состояния и кинетика ионов | 399 |
11.4.1. Процессы с участием ионов и возбуждённых |
состояний в разрядах ХеСl-лазеров | 400 |
11.4.2. Процессы образования ионных и возбуждённых |
состояний в разряде диссоциативного РпВг2-лазера | 404 |
11.4.3. Диссоциация галогенидов | 409 |
11.4.4. Процессы с участием атомов инертных газов |
в p-состояниях | 411 |
11.5. Заключение | 413 |
Литература | 415 |
|
Глава 12. Нестационарное поглощение в УФ области спектра |
(Л. Ф. Шампань) | 417 |
|
12.1. Введение | 417 |
12.2. Поглощение в чистых инертных газах | 418 |
12.2.1. Теория | 418 |
12.2.2. Сечение фотопоглощения | 419 |
12.2.3. Концентрации частиц, находящихся в возбуждённых |
состояниях | 424 |
12.2.4. Измеренное поглощение | 426 |
12.2.5. Атомные линии поглощения в плазме чистых |
инертных газов | 438 |
12.3. Двухкомпонентные смеси | 440 |
12.4. Пример | 445 |
12.5. Однородно распределённые потери | 451 |
12.5.1. Точное решение | 451 |
12.5.2. Распределение поля в приближении цепной линии | 455 |
12.5.3. Метод параметризации | 456 |
12.5.4. Численное решение | 458 |
Литература | 458 |
|
Глава 13. Самостоятельные разряды с предыонизацией, |
используемые для накачки лазерных сред (Л. Э. Клайн, |
Л. Ж. Дэн) | 461 |
|
13.1. Введение | 461 |
13.2. Экспериментальные исследования самостоятельного |
разряда с предыонизацией | 464 |
13.2.1. Корона или предыонизация, предшествующая разряду | 465 |
13.2.2. Искровая предыонизация | 467 |
13.2.3. Предыонизация излучением высокой энергии | 471 |
13.2.4. Взаимное расположение источника предыонизации |
и разрядных электродов | 474 |
13.3. Физические механизмы предыонизации УФ излучением | 476 |
13.3.1. Спектр искрового разряда | 478 |
13.3.2. Фотоионизационные спектры | 480 |
13.3.3. Поглощение УФ излучения | 481 |
13.3.4. Измерения плотности предыонизации от отдельной |
искры | 481 |
13.3.5. Расчёт числа фотонов от одиночного искрового |
разряда | 484 |
13.3.6. Фотоионизация, создаваемая решёткой искровых |
разрядников | 486 |
13.4. Физика самостоятельного тлеющего разряда | 487 |
13.4.1. Стационарный режим горения разряда | 489 |
13.4.2. Формирование разряда | 493 |
13.4.3. Требование к предыонизации | 495 |
13.4.4. Влияние приэлектродных областей на формирование |
и устойчивость тлеющего разряда | 497 |
13.5. Заключительное обсуждение | 498 |
Литература | 499 |
|
Глава 14. Устойчивость разрядов в эксимерных лазерах |
(Р. А. Хаас) | 503 |
|
14.1. Введение | 503 |
14.2. Ионизационная неустойчивость, общая теория | 504 |
14.2.1. История вопроса | 504 |
14.2.2. Возникновение и характеристики развития |
ионизационной неустойчивости | 506 |
14.3. Ионизационная неустойчивость в разрядах KrF*-лазеров | 517 |
14.3.1. Экспериментальное и теоретическое изучение |
характеристик неустойчивости | 518 |
14.3.2. Методы подавления неустойчивости | 522 |
14.4. Выводы и заключение | 526 |
Приложение 1. Теория ионизационной неустойчивости | 527 |
П.1.1. Модель плазмы | 527 |
П.1.2. Динамика тяжёлых частиц | 528 |
П.1.3. Динамика электронов и электромагнитное поле | 528 |
П.1.4. Анализ устойчивости | 530 |
Приложение 2. Константы суммарной скорости ионизации | 534 |
П.2.1. Двухступенчатая ионизация | 534 |
П.2.2. Трехступенчатая ионизация | 535 |
Литература | 536 |
|
Предметный указатель | 538 |
Указатель химических соединений | 541 |