| Предисловие | 7 |
| |
| Глава I. Введение | 11 |
| |
| § 1. Общие сведения о сегнетоэлектриках | 11 |
| § 2. Классификация сегнетоэлектриков | 12 |
| § 3. Феноменологическое описание | 14 |
| |
| Глава II. Микроскопические методы описания сегнетоэлектриков: |
 гамильтонианы, корреляционные функции, микровыражения для |
| диэлектрической проницаемости | 16 |
| |
| § 4. Гамильтониан для сегнетоэлектрика типа смещения | 16 |
| § 5. Гамильтониан для кристалла типа порядок-беспорядок; |
| статическое приближение | 18 |
| § 6. Учёт колебаний ионов в гамильтонианах кристаллов типа |
| порядок-беспорядок | 22 |
| § 7. Описание эффектов туннелирования | 25 |
| § 8. Корреляционные функции смещений и поляризаций | 33 |
| § 9. Выделение дальнодействующих электрических сил и |
| диэлектрическая проницаемость | 39 |
| § 10. Связь диэлектрических свойств и спектров длинноволновых |
| колебаний в слабо ангармонических кубических кристаллах | 43 |
| § 11. Особенности низкочастотной динамики сегнетоэлектриков | 46 |
| |
| Глава III. Общее рассмотрение статистических свойств методом |
| самосогласованного поля | 49 |
| |
| § 12. Метод самосогласованного поля. Одноионная модель. |
| Выделение взаимодействия с макрополем | 49 |
| § 13. Приближение молекулярного поля | 53 |
| § 14. Качественные особенности статистики сегнетоэлектриков типа |
| порядок-беспорядок | 57 |
| § 15. Особенности статистики сегнетоэлектриков типа смещения | 61 |
| § 16. Сравнение с экспериментальными данными о термодинамике |
| сегнетоэлектриков | 68 |
| § 17. Приближение кластеров. Сравнение с точными результатами |
| для модели Изинга | 70 |
| |
| Глава IV. Корреляционные функции и корреляционные эффекты в |
| области фазовых переходов | 77 |
| |
| § 18. Корреляционная функция смещений в первом приближении |
| метода самосогласованного поля | 77 |
| а) Общее обсуждение и метод вычисления | 77 |
| б) Классическое рассмотрение | 78 |
| в) Квантовое рассмотрение | 81 |
| г) Выделение вклада дальнодействующих кулоновских сил | 83 |
| д) Оценка корреляционной энергии при большом ro | 84 |
| § 19. Длинноволновые корреляции вблизи точки сегнетоэлектрического |
| фазового перехода | 85 |
| а) Кубический случай | 85 |
| б) Одноосный случай | 89 |
| в) Оценка влияния квантовых эффектов | 91 |
| § 20. Корреляционные эффекты в термодинамике в первом |
| приближении самосогласованного поля | 93 |
| а) Общее выражение для корреляционной добавки к F | 93 |
| б) Вычисление особой части F в пренебрежении |
| дальнодействием | 94 |
| в) Корреляционные эффекты в кубическом случае | 96 |
| г) Корреляционные эффекты в одноосном случае | 98 |
| § 21. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектриках с пьезоэффектом |
| в парафазе | 100 |
| § 22. Область сильных корреляционных эффектов. Гипотеза подобия |
| в теории переходов второго рода. Применимость результатов |
| к сегнетоэлектрикам | 106 |
| § 23 Влияние стрикционной связи с упругими силами на термодинамику |
| перехода. Переходы первого рода, близкие ко второму | 113 |
| |
| Глава V. Статистика некоторых сегнетоэлектриков типа |
| порядок-беспорядок | 120 |
| |
| § 24. Статистика сегнетоэлектриков типа KDP | 120 |
| а) Структура ячейки и особенности фазового перехода | 120 |
| б) Учёт реальной структуры ячейки в приближении |
| молекулярного поля | 122 |
| в) Приближение кластеров; модели Слетера, Такаги, |
| Сильсби-Юлинга-Шмидта | 129 |
| г) Учёт туннелирования в приближении кластеров | 136 |
| § 25. Статистика фазовых переходов в сегнетовой соли | 141 |
| а) Описание модели. Термодинамика в приближении |
| молекулярного поля | 141 |
| б) Исследование областей существования сегнетофазы | 145 |
| в) Оценка параметров модели и температурных зависимостей |
| Р(Т), ε(Т) для сегнетовой соли | 148 |
| |
| Глава VI. Общее рассмотрение динамических свойств методом |
| самосогласованного поля | 152 |
| |
| § 26. Общая характеристика особенностей динамики сегнетоэлектриков |
| разных типов | 152 |
| § 27. Вычисление ε(k, ω) в первом приближении самосогласованного |
| поля | 153 |
| § 28. Спектр и поляризация критических колебаний при малых k | 158 |
| § 29. Соответствие с классическим рассмотрением. Особенности |
| случая порядок-беспорядок | 161 |
| § 30. Влияние процессов релаксации. Дисперсия ε(ω) в |
| сегнетоэлектриках типа порядок-беспорядок | 163 |
| § 31. Критические возбуждения в сегнетоэлектриках типа KDP. |
| Связанные туннельно-фононные колебания | 170 |
| |
| Глава VII. Статистика и динамика сегнетоэлектриков типа смещения | 183 |
| |
| § 32. Качественное обсуждение особенностей слабо ангармонических |
| сегнетоэлектриков | 133 |
| § 33. Гамильтониан и диаграммная техника | 188 |
| § 34. Вычисление свободной энергии в низшем приближении | 195 |
| § 35. Функции Грина в области малых k и ω | 201 |
| § 36. Низкочастотная динамика; спектры критических и акустических |
| колебаний при малых k | 207 |
| § 37. Низкотемпературные и виртуальные сегнетоэлектрики типа |
| смещения | 214 |
| § 38. Затуханий критических колебаний и диэлектрические потери в |
| сегнетоэлектриках типа смещения | 226 |
| а) Постановка задачи и метод вычисления | 226 |
| б) Трёхфононные процессы | 227 |
| в) Четырёхфононные процессы | 233 |
| г) Обсуждение и сравнение с экспериментом | 237 |
| § 39. Другие вопросы динамики сегнетоэлектриков типа смещения | 241 |
| |
| Глава VIII. Корреляционные эффекты в статистике сегнетоэлектриков |
| типа смещения | 243 |
| |
| § 40. Экспериментальные указания на существенность корреляционных |
| эффектов | 243 |
| § 41. Вычисление первой корреляционной поправки к свободной |
| энергии | 245 |
| § 42. Область выше перехода | 247 |
| § 43. Качественное исследование окрестности Tc и тетрагональной |
| фазы | 249 |
| § 44. Ромбическая и ромбоэдрическая фазы | 252 |
| § 45. Обсуждение и сравнение с экспериментом | 254 |
| |
| Глава IX. Антисегнетоэлектрики | 259 |
| |
| § 46. Общие замечания об антисегнетоэлектрических переходах | 259 |
| § 47. Исследование структурных фазовых переходов методом |
| молекулярного поля | 261 |
| § 48. Переходы с несимметричными («случайными») ko; случай |
| NaNO2 | 267 |
| § 49. Структурные переходы в присутствии электрического поля. |
| Диэлектрические и антисегнетоэлектрические свойства | 270 |
| § 50. Антисегнетоэлектрики типа порядок-беспорядок и типа |
| смещения | 273 |
| § 51. Количественные исследования антисегнетоэлектриков | 275 |
| |
| Глава X. Критерий сегнетоэлектричества и другие актуальные вопросы |
| теории | 279 |
| |
| § 52. Постановка вопроса о кристаллохимическом критерии |
| сегнетоэлектричества | 279 |
| § 53. Кристаллохимические расчёты для сегнетоэлектриков типа |
| смещения | 280 |
| § 54. Кристаллохимические расчёты для сегнетоэлектриков типа |
| порядок-беспорядок | 291 |
| § 55. Заключение. Общие замечания и некоторые вопросы теории, |
| которые кажутся актуальными | 294 |
| |
| Приложения | 296 |
| |
| § П1. Физический смысл функций Грина G(t) и полюсов G(ω), |
| расположенных вблизи вещественной оси | 296 |
| § П2. Связь G(k, ω) с корреляционной функцией K(k) и сечениями |
| неупругого рассеяния на кристалле | 298 |
| § ПЗ. Вывод формулы (8.16) | 301 |
| § П4. Выражение диэлектрической проницаемости через запаздывающий |
| коррелятор (функцию Грина) поляризаций | 302 |
| § П5. Обобщение соотношения Лиддена-Сакса-Теллера на случай |
| многоатомных кристаллов | 303 |
| § П6. Формулы разложения экспоненциальных операторов | 304 |
| § П7. Аналитические свойства температурных функций Грина K(τ) |
| и их фурье-компонент K(ωn) | 306 |
| § П8. Вычисление асимптотики К(r) в одноосном сегнетоэлектрике |
| вблизи перехода | 307 |
| § П9. Исследование переходов первого рода в модели Мицуи |
| сегнетовой соли | 308 |
| § П10. Вид тройного критического потенциала Vccc при малых |
| импульсах в центральном кубическом кристалле | 311 |
| § П11. Оценка вклада критических потенциалов в обратную постоянную |
| Кюри-Вейса 1/С | 312 |
| Т а б л и ц а I. Термодинамические параметры некоторых |
| сегнетоэлектрических кристаллов | 314 |
| Т а б л и ц а II. Оценки параметров низкочастотных спектров |
| перовскитов | 316 |
| Т а б л и ц а III. Значения некоторых термодинамических параметров |
| перовскитов | 317 |
| Т а б л и ц а IV. Связь различных энергетических единиц, |
| используемых при описании динамики кристаллов | 317 |
| |
| Литература | 318 |
