t.me/OB4UHHUKOB Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время24.01.21 05:55:41
На обложку
Течение полимеровавторы — Мидлман С.
Неравновесная колебательная кинетикаавторы — Капителли М., ред.
Теория вероятностей. Математическая статистикаавторы — Бочаров П. П., Печинкин А. В.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков — Вакс В. Г.
Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков
Вакс В. Г.
год издания — 1973, кол-во страниц — 328, тираж — 3750, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 470 гр., издательство — Физматлит
цена: 700.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1
ключевые слова — сегнет, твёрд, фазов, переходов, самосогласова, ангармон, гамильтониан, беспорядок, туннел, дальнодейств, проницаемост, диэлектрическ, кристалл, термодинамик, изинг, пьезоэффект, парафаз, kdp, слетер, такаг, сильсб, юлинг, фонон, диаграммн, ромбоэдр

Даётся систематическое изложение основ существующей микротеории сегнетоэлектричества на современном уровне теории твёрдого тела и фазовых переходов. Подробно обсуждаются физические представления и опытные факты, лежащие в основе используемых моделей; чётко формулируются основные предположения и приближения. Основное внимание уделено качественным особенностям статистики и динамики сегнетоэлектриков разных типов (в частности, явлениям в области фазовых переходов) и микроскопической природе этих особенностей. Подробно описаны также методы теоретического исследования сегнетоэлектриков, в частности, различные приближения метода самосогласованного поля и методы разложения по малой ангармоничности, Большое внимание уделено сравнению с экспериментом и обсуждению актуальных задач теории.

Рисунков 30, таблиц 10, библиография 320 названий.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие7
 
Глава I. Введение11
 
§ 1. Общие сведения о сегнетоэлектриках11
§ 2. Классификация сегнетоэлектриков12
§ 3. Феноменологическое описание14
 
Глава II. Микроскопические методы описания сегнетоэлектриков:
гамильтонианы, корреляционные функции, микровыражения для
диэлектрической проницаемости16
 
§ 4. Гамильтониан для сегнетоэлектрика типа смещения16
§ 5. Гамильтониан для кристалла типа порядок-беспорядок;
статическое приближение18
§ 6. Учёт колебаний ионов в гамильтонианах кристаллов типа
порядок-беспорядок22
§ 7. Описание эффектов туннелирования25
§ 8. Корреляционные функции смещений и поляризаций33
§ 9. Выделение дальнодействующих электрических сил и
диэлектрическая проницаемость39
§ 10. Связь диэлектрических свойств и спектров длинноволновых
колебаний в слабо ангармонических кубических кристаллах43
§ 11. Особенности низкочастотной динамики сегнетоэлектриков46
 
Глава III. Общее рассмотрение статистических свойств методом
самосогласованного поля49
 
§ 12. Метод самосогласованного поля. Одноионная модель.
Выделение взаимодействия с макрополем49
§ 13. Приближение молекулярного поля53
§ 14. Качественные особенности статистики сегнетоэлектриков типа
порядок-беспорядок57
§ 15. Особенности статистики сегнетоэлектриков типа смещения61
§ 16. Сравнение с экспериментальными данными о термодинамике
сегнетоэлектриков68
§ 17. Приближение кластеров. Сравнение с точными результатами
для модели Изинга70
 
Глава IV. Корреляционные функции и корреляционные эффекты в
области фазовых переходов77
 
§ 18. Корреляционная функция смещений в первом приближении
метода самосогласованного поля77
а) Общее обсуждение и метод вычисления77
б) Классическое рассмотрение78
в) Квантовое рассмотрение81
г) Выделение вклада дальнодействующих кулоновских сил83
д) Оценка корреляционной энергии при большом ro84
§ 19. Длинноволновые корреляции вблизи точки сегнетоэлектрического
фазового перехода85
а) Кубический случай85
б) Одноосный случай89
в) Оценка влияния квантовых эффектов91
§ 20. Корреляционные эффекты в термодинамике в первом
приближении самосогласованного поля93
а) Общее выражение для корреляционной добавки к F93
б) Вычисление особой части F в пренебрежении
    дальнодействием94
в) Корреляционные эффекты в кубическом случае96
г) Корреляционные эффекты в одноосном случае98
§ 21. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектриках с пьезоэффектом
в парафазе100
§ 22. Область сильных корреляционных эффектов. Гипотеза подобия
в теории переходов второго рода. Применимость результатов
к сегнетоэлектрикам106
§ 23 Влияние стрикционной связи с упругими силами на термодинамику
перехода. Переходы первого рода, близкие ко второму113
 
Глава V. Статистика некоторых сегнетоэлектриков типа
порядок-беспорядок120
 
§ 24. Статистика сегнетоэлектриков типа KDP120
а) Структура ячейки и особенности фазового перехода120
б) Учёт реальной структуры ячейки в приближении
    молекулярного поля122
в) Приближение кластеров; модели Слетера, Такаги,
    Сильсби-Юлинга-Шмидта129
г) Учёт туннелирования в приближении кластеров136
§ 25. Статистика фазовых переходов в сегнетовой соли141
а) Описание модели. Термодинамика в приближении
    молекулярного поля141
б) Исследование областей существования сегнетофазы145
в) Оценка параметров модели и температурных зависимостей
    Р(Т), ε(Т) для сегнетовой соли148
 
Глава VI. Общее рассмотрение динамических свойств методом
самосогласованного поля152
 
§ 26. Общая характеристика особенностей динамики сегнетоэлектриков
разных типов152
§ 27. Вычисление ε(k, ω) в первом приближении самосогласованного
поля153
§ 28. Спектр и поляризация критических колебаний при малых k158
§ 29. Соответствие с классическим рассмотрением. Особенности
случая порядок-беспорядок161
§ 30. Влияние процессов релаксации. Дисперсия ε(ω) в
сегнетоэлектриках типа порядок-беспорядок163
§ 31. Критические возбуждения в сегнетоэлектриках типа KDP.
Связанные туннельно-фононные колебания170
 
Глава VII. Статистика и динамика сегнетоэлектриков типа смещения183
 
§ 32. Качественное обсуждение особенностей слабо ангармонических
сегнетоэлектриков133
§ 33. Гамильтониан и диаграммная техника188
§ 34. Вычисление свободной энергии в низшем приближении195
§ 35. Функции Грина в области малых k и ω201
§ 36. Низкочастотная динамика; спектры критических и акустических
колебаний при малых k207
§ 37. Низкотемпературные и виртуальные сегнетоэлектрики типа
смещения214
§ 38. Затуханий критических колебаний и диэлектрические потери в
сегнетоэлектриках типа смещения226
а) Постановка задачи и метод вычисления226
б) Трёхфононные процессы227
в) Четырёхфононные процессы233
г) Обсуждение и сравнение с экспериментом237
§ 39. Другие вопросы динамики сегнетоэлектриков типа смещения241
 
Глава VIII. Корреляционные эффекты в статистике сегнетоэлектриков
типа смещения243
 
§ 40. Экспериментальные указания на существенность корреляционных
эффектов243
§ 41. Вычисление первой корреляционной поправки к свободной
энергии245
§ 42. Область выше перехода247
§ 43. Качественное исследование окрестности Tc и тетрагональной
фазы249
§ 44. Ромбическая и ромбоэдрическая фазы252
§ 45. Обсуждение и сравнение с экспериментом254
 
Глава IX. Антисегнетоэлектрики259
 
§ 46. Общие замечания об антисегнетоэлектрических переходах259
§ 47. Исследование структурных фазовых переходов методом
молекулярного поля261
§ 48. Переходы с несимметричными («случайными») ko; случай
NaNO2267
§ 49. Структурные переходы в присутствии электрического поля.
Диэлектрические и антисегнетоэлектрические свойства270
§ 50. Антисегнетоэлектрики типа порядок-беспорядок и типа
смещения273
§ 51. Количественные исследования антисегнетоэлектриков275
 
Глава X. Критерий сегнетоэлектричества и другие актуальные вопросы
теории279
 
§ 52. Постановка вопроса о кристаллохимическом критерии
сегнетоэлектричества279
§ 53. Кристаллохимические расчёты для сегнетоэлектриков типа
смещения280
§ 54. Кристаллохимические расчёты для сегнетоэлектриков типа
порядок-беспорядок291
§ 55. Заключение. Общие замечания и некоторые вопросы теории,
которые кажутся актуальными294
 
Приложения296
 
§ П1. Физический смысл функций Грина G(t) и полюсов G(ω),
расположенных вблизи вещественной оси296
§ П2. Связь G(k, ω) с корреляционной функцией K(k) и сечениями
неупругого рассеяния на кристалле298
§ ПЗ. Вывод формулы (8.16)301
§ П4. Выражение диэлектрической проницаемости через запаздывающий
коррелятор (функцию Грина) поляризаций302
§ П5. Обобщение соотношения Лиддена-Сакса-Теллера на случай
многоатомных кристаллов303
§ П6. Формулы разложения экспоненциальных операторов304
§ П7. Аналитические свойства температурных функций Грина K(τ)
и их фурье-компонент K(ωn)306
§ П8. Вычисление асимптотики К(r) в одноосном сегнетоэлектрике
вблизи перехода307
§ П9. Исследование переходов первого рода в модели Мицуи
сегнетовой соли308
§ П10. Вид тройного критического потенциала Vccc при малых
импульсах в центральном кубическом кристалле311
§ П11. Оценка вклада критических потенциалов в обратную постоянную
Кюри-Вейса 1/С312
Т а б л и ц а  I.  Термодинамические параметры некоторых
сегнетоэлектрических кристаллов314
Т а б л и ц а  II. Оценки параметров низкочастотных спектров
перовскитов316
Т а б л и ц а  III. Значения некоторых термодинамических параметров
перовскитов317
Т а б л и ц а  IV. Связь различных энергетических единиц,
используемых при описании динамики кристаллов317
 
Литература318

Книги на ту же тему

  1. Электрооптические кристаллы, Сонин А. С., Василевская А. С., 1971
  2. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики: Динамика решётки, Блинц Р., Жекш Б., 1975
  3. Сегнетоэлектрические твёрдые растворы на основе оксидных соединений ниобия и тантала: синтез, исследование структурного упорядочения и физических характеристик, Палатников М. Н., Сидоров Н. В., Калинников В. Т., 2001
  4. Макроскопическая электродинамика: Учебное пособие для студентов физ. спец. вузов, Галицкий В. М., Ермаченко В. М., 1988
  5. Природа критического состояния, Фишер М., 1968

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.028 secработаем на движке KINETIX :)