|
Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение Сборник статей |
|
год издания — 1968, кол-во страниц — 376, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 420 гр., издательство — Мир |
|
цена: 399.00 руб | | | | |
|
Сохранность книги — хорошая. Потёртая обложка
Пер. с англ. Ю. И. Рогозина и В. П. Сондаевского
Формат 84x108 1/32. Бумага кн.-журнальная |
ключевые слова — полупроводник, свч-электроник, ганн, ридли-уоткинс, хилсум, перенос, свч-колебан, неустойчивост, gaas, inp, двухдолинн, диод, арсенид, эпитакс, колебан |
Сборник переводных статей зарубежных специалистов посвящён одному из новых, перспективных направлений полупроводниковой электроники — генераторам СВЧ на основе эффекта Ганна (возникновение электрических колебаний в однородном полупроводнике при наложении постоянного электрического поля).
Включённые в сборник статьи содержат изложение принципов работы генераторов Ганна, важнейшие экспериментальные исследования эффекта Ганна и описание его практических применений.
Книга рассчитана на инженеров и физиков, работающих в области полупроводниковой электроники, занимающихся её применениями в технике СВЧ и разработкой конкретных бортовых систем.
|
ОГЛАВЛЕНИЕПредисловие редактора | 5 | | I. МОДЕЛЬ РИДЛИ-УОТКИНСА-ХИЛСУМА И ОТКРЫТИЕ ЭФФЕКТА ГАННА | | 1. Б. Р и д л и, Т. У о т к и н с. Возможность возникновения | отрицательного сопротивления в полупроводниках | 17 | 2. К. Х и л с у м. Усилители и генераторы, основанные на | эффекте переноса электронов | 37 | 3. Дж. Г а н н. СВЧ-колебания тока в полупроводниках типа | AIIIBV | 51 | 4. Дж. Г а н н. Неустойчивости тока и распределения | потенциала в GaAs и InP | 55 | 5. Дж. Г а н н. Характеристики эффекта переноса электронов, | связанные с неустойчивостями в GaAs | 67 | | II. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ | | 6. А. Ч а й н о в е с, У. Ф е л д м а н, Д. М а к к а м б е р. Механизм | эффекта Ганна | 79 | 7. Р. Э н г е л ь м а н, К. К у э й т. Линейная, или | «малосигнальная», теория эффекта Ганна | 99 | 8. Дж. К о у п л е н д. Электростатические домены в | двухдолинных полупроводниках | 121 | 9. П. Б а т ч е р, У. Ф о с е т т, К. Х и л с у м. Упрощенный | анализ движения стабильных доменов в эффекте Ганна | 131 | 10. П. Б а т ч е р, У. Ф о с е т т. Стабильные движущиеся | домены в эффекте Ганна | 152 | 11. Дж. К о у п л е н д. Стабильные слои объёмного заряда в | двухдолинных полупроводниках | 169 | 12. Б. X а к к и. Усиление в двухдолинных полупроводниках | 193 | 13. В. Х е й н л е. Определение формы колебаний тока и к.п.д. | диодов Ганна | 227 | 14. Дж. К о у п л е н д. Теоретическое исследование диода | Ганна в резонансной схеме | 236 | | III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МЕХАНИЗМА ЭФФЕКТА ГАННА И ВОЗМОЖНОСТИ ЕГО ПРИМЕНЕНИЯ | | 15. М. Ш ь я м, Дж. А л л е н, Г. П и р с о н. Влияние изменения | энергетического зазора между минимумами на ганновские | колебания | 251 | 16. Дж. Х и к с. Некоторые характеристики движущегося домена | сильного поля з диодах, основанных на эффекте Ганна | 263 | 17. Дж. Д э й. СВЧ-колебания в высокоомном GaAs | 294 | 18. Д. Д о у, Ч. М о ш е р, А. В е й н. Генераторы большой | импульсной мощности на арсениде галлия | 311 | 19. Г. Т и м, М. Б а р б е р. Усиление СВЧ в объёме GaAs | 324 | 20. Т. X а с т и, П. К а н н и н г е м, У. В и с с е м а н. СВЧ-колебания | в эпитаксиальных слоях GaAs | 336 | 21. Дж. Г а н н. Влияние характеристик домена и внешней | схемы на колебания в GaAs | 344 |
|
Книги на ту же тему- Волны и взаимодействия в плазме твёрдого тела, Платцман Ф., Вольф П., 1975
- Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
- Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
- Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
- Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
- Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
- Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
- Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
|
|
|