КнигоПровод.Ru | 22.11.2024 |
|
|
Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов |
Адирович Э. И. |
год издания — 1951, кол-во страниц — 351, тираж — 4000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 440 гр., издательство — Техтеоргиз |
|
цена: 499.00 руб | | | | |
|
Сохранность книги — хорошая
Формат 84x108 1/32 |
ключевые слова — люминесцен, вавилов, видеман, твёрд, полупроводник, кристаллофосфор, послесвечен, фотопроводимост, фонон, люминофор, фосфоресцен |
Книга является монографией, излагающей основные вопросы современной теории люминесценции кристаллов, созданной и разработанной главным образом советскими учёными, в том числе и автором этой книги.
Монография рассчитана на читателей, знакомых с основами теоретической физики, студентов, инженеров и научных работников.
В огромной, более чем трёхсотлетней литературе, относящейся к люминесценции кристаллов, нет ни одной теоретической монографии. Развитие квантовой механики и её приложений к проблемам твёрдого тела, а также новые представления о механизме люминесценции кристаллов, опирающиеся на работы советских учёных, делают возможной попытку восполнить этот пробел.
Настоящая монография состоит из семи глав.
I глава посвящена определению люминесценции Вавилова-Видемана и двум основным законам спектрального преобразования света, установленным С. И. Вавиловым и заменившим недостаточно общие эмпирические правила Стокса и Ломмеля. Содержание этой главы представляет собой общий теоретический фундамент современной науки: о люминесценции тел в любых агрегатных состояниях.
II глава содержит очерк исторического развития теоретических представлений о люминесценции кристаллов в связи с накоплением фактов в этой области, а также в связи с общим развитием естествознания. Цель её — дать правильную историческою перспективу для оценки современного состояния теории, границ её применимости и дальнейших, путей развития.
В III главе излагаются основы современной теории твёрдого тела и её приложения к проблемам люминесценции кристаллов. При этом я стремился в первую очередь к выяснению физической картины состояний и процессов в кристаллической решётке, остающейся обычно нераскрытой при описании явлений в полупроводниках и кристаллофосфорах на энергетическом языке зонной теории. Чтобы сделать эту главу возможно более доступной, математический аппарат теории сведён до минимума. Я счёл, однако, совершенно необходимым, не ограничиваясь изложением зонной теории, дать сначала строгую и общую постановку задачи и показать, на каких упрощениях и пренебрежениях строится зонная теория, широко используемая сейчас в физике твёрдого тела, в частности — в люминесцентной и полупроводниковой проблематике. Это позволяет с самого начала определить границы применимости зонной теории и избежать в дальнейшем как часто встречающегося распространения этой теории на задачи, выходящие за рамки её возможностей, так и возникшего за последние годы необоснованного недоверия к зонной теории даже в тех вопросах, где она целиком приложима.
В IV—VII главах собраны работы автора, опубликованные в 1946 —1950 гг. в журнальной литературе.
Глава IV пссвящена проблеме теоретического закона затухания кристаллофосфсров. Дано обоснование приложимости метода квазистационарных концентраций к электронным явлениям, протекающим в неидеальных кристаллах после прекращения возбуждения, и проведено рассмотрение с помощью этого метода кинетики послесвечения кристаллофосфоров. Полученные результаты в равной степени относятся к затуханию фотопроводимости в полупроводниках после прекращения освещения. В этой же главе дана критика «метастабильной теории», кристаллофосфоров Рэндалла, Уилкинса и Гарлика и некоторых других теоретических работ.
В V главе проведено рассмотрение кинетики стационарного свечения кристаллофосфоров, позволившее предложить новый метод экспериментального определения механизма поглощения света в кристаллах.
В VI главе показана ошибочность теории «множественных соударений» Мёглиха и Ромпе, часто с недостаточной критичностью цитируемой в современной литературе. Теория эта представляет собой попытку разрешения в рамках зонной теории проблемы взаимодействия электрона с решёткой и размена электронной энергии на фононы. Показана недостаточность зонной теории для рассмотрения безизлучательных электронных переходов и дано решение этой задачи с помощью модельного представления дефекта структуры, позволяющего провести расчёт в адиабатическом приближении, а также учесть внешнюю и внутреннюю неадиабатичность системы.
В последней VII главе проводится анализ экспериментальных фактов, приводящий к выводу о необходимости разделения люминесцентных процессов на полупроводниковые и оптические. Только первые входят в компетенцию зонной теории, которую следует дополнить учётом теплового барьера на уровнях возбуждения. Эти теоретические представления привели к предсказанию, а затем — к экспериментальному обнаружению нового явления в люминесценции кристаллов, названного холодной вспышкой.
На протяжении всей книги проводится сопоставление теоретических выводов с экспериментальными фактами.
Я надеюсь, что эта книга будет полезной не только для физиков, но и для всего коллектива советских учёных и инженеров, занимающихся изготовлением, изучением и практическими применениями люминофоров, а также многочисленными приложениями полупроводников.
Всеми результатами, составляющими содержание настоящей монографии, я обязан тому, что моя работа протекала в лаборатории люминесценции Физического института им. П. Н. Лебедева Академии Наук СССР, труды которой заложили основы современной науки о люминесценции кристаллов и сыграли решающую роль в её развитии. Приношу глубокую благодарность руководителю лаборатории академику С. И. Вавилову, члену-корреспонденту АН УССР Д. И. Блохинцеву и всем сотрудникам лаборатории, в тесном научном контакте с которыми и при повседневной товарищеской критике была написана эта книга.
ОТ АВТОРА Э. Адирович Физический институт им. П. Н. Лебедева Академии Наук СССР Москва, 9 ноября 1950 г.
|
ОГЛАВЛЕНИЕОт автора | 5 | | Г л а в а I. Люминесценция и законы спектрального | преобразования света | 9 | | § 1. Люминесценция и другие виды излучения | 9 | § 2. О кандолюминесценции | 14 | § 3. Законы спектрального преобразования света | 20 | § 4. К теории второго закона спектрального преобразования света | 33 | | Г л а в а II. Очерк истории проблемы люминесценции кристаллов | 44 | | § 5. Проблема люминесценции кристаллов и законы затухания | 44 | § 6. Очерк классических теорий | 46 | § 7. Экспериментальные основы современной теории | 58 | § 8. Замечания о прямом доказательстве бимолекулярности | люминесценции кристаллофосфоров | 65 | | Г л а в а III. Основы зонной теории кристаллов | 70 | | § 9. Введение | 70 | § 10. Адиабатическое приближение | 73 | § 11. Одноэлектронные орбиты | 79 | § 12. Энергетические состояния электрона в идеально-периодической | решётке | 82 | § 13. Движение электрона в идеально-периодической решётке | 99 | § 14. Движение электронов в кристалле и статистика Ферми | 109 | § 15. Свободные и связанные электроны в кристалле | 116 | § 16. Энергетические зоны в ионных кристаллах | 119 | § 17. Локальные электронные состояния | 124 | § 18. Зонная теория люминесценции кристаллофосфоров | 136 | | Г л а в а IV. Элементарный закон затухания люминесценции | кристаллофосфоров | 142 | | § 19. Проблема закона затухания в современной теории | кристаллофосфоров | 142 | § 20. Элементарный и интегральный законы затухания | 147 | § 21. Квазистационарное решение | 148 | § 22. Доказательство справедливости и условие применимости | квазистационарного решения | 153 | § 23. Кинетика послесвечения идеального кристаллофосфора при | абсолютном нуле | 156 | § 24. Две стадии послесвечения идеального кристаллофосфора | 161 | § 25. Условие режима длительного послесвечения и моментальные | состояния | 166 | § 26. Элементарный закон затухания фосфоресценции | 169 | § 27. Закон затухания при насыщении фосфоресценции 172 | § 28. Зависимость начальной яркости и закона затухания от степени | возбуждения | 184 | § 29. Элементарный закон затухания и процессы тушения фосфоресценции | 188 | § 30. Обсуждение результатов | 190 | § 31. О последних работах по теории послесвечения кристаллофосфоров | 202 | § 32. О «метастабильной» теории кристаллофосфоров | 212 | | Г л а в а V. Два механизма поглощения света в кристаллах и зонная | теория кристаллофосфоров | 219 | | § 33. Введение | 219 | § 34. Свечение идеального кристаллофосфора при постоянном | возбуждении | 222 | § 35. Сопоставление с опытом | 229 | | Г л а в а VI. Уровни прилипания и проблема безизлучательных | электронных переходов | 237 | | § 36. Общие замечания | 237 | § 37. Теория «множественных соударений» | 241 | § 38. Недостаточность зонной теории для рассмотрения | безизлучательных переходов | 248 | § 39. Модель нарушенной структуры и постановка задачи | 252 | § 40. Электронные состояния | 254 | § 41. Движение ионов в месте нарушения кристаллической структуры | 264 | § 42. Безизлучательные электронные переходы | 270 | | Г л а в а VII. Полупроводниковые и оптические процессы | в кристаллофосфорах | 290 | | § 43. Замечания о зонной теории и границах её применимости | 290 | § 44. Тепловой барьер | 304 | § 45. К теории температурных свойств полос люминесценции | 312 | § 46. Холодная вспышка | 318 | § 47. О механизме холодной вспышки | 322 | § 48. Закон затухания фосфоресценции кристаллов при учёте теплового | барьера и уровней прилипания различных типов | 332 | § 49. Заключение | 335 | | Л и т е р а т у р а | 338 |
|
Книги на ту же тему- Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, Фок М. В., 1964
- Люминесценция кристаллов, Кюри Д., 1961
- Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
- Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
- Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
- Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
- Лекции по физике твёрдого тела: Принципы строения, реальная структура, фазовые превращения, Жданов Г. С., Хунджуа А. Г., 1988
- Квантовая теория твёрдых тел, Пайерлс Р., 1956
- Физика фононов, Рейсленд Д., 1975
- Электроны и фононы в металлах: Учебное пособие. — 2-е изд., перераб. и доп., Брандт Н. Б., Чудинов С. М., 1990
- Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
- Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
- Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах, Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч., 1989
- Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
- Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
- Бактериальная биолюминесценция: фундаментальные и прикладные аспекты, Дерябин Д. Г., 2009
|
|
|
© 1913—2013 КнигоПровод.Ru | http://knigoprovod.ru |
|