Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов

Марадудин А.

год издания — 1968, кол-во страниц — 432, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б тканев., масса книги — 480 гр., издательство — Мир

цена: 600.00 руб

Сохранность книги — хорошая

THEORETICAL AND EXPERIMENTAL ASPECTS
OF THE EFFECTS OF POINT DEFECTS
AND DISORDER ON THE VIBRATIONS OF CRYSTALS
A. A. MARADUDIN
WESTINGHOUSE RESEARCH LABORATORIES,
PITTSBURGH, PENNSYLVANIA

Solid State Physics
vol. 18, p. 273-420, 1966; vol. 19, p. 1-134, 1966
ACADEMIC PRESS INC.
1966

Пер. с англ. И. П. Ипатовой

Формат 84x108 1/32. Бумага типографская №1

Книга крупного американского физика А. Марадудина, известного специалиста по физике твёрдого тела, посвящена проблеме влияния колебательного спектра кристаллов и его изменений при наличии различных дефектов и, в частности, примесей на физические свойства твёрдых тел. Систематически рассматривается изменение теплоёмкости, инфракрасного поглощения в полупроводниках, теплопроводности и электропроводности, эффекта Мёссбауэра и др.

Книга рассчитана на физиков, работающих в различных областях физики твёрдого тела. Она будет также полезна преподавателям и студентам старших курсов тех вузов, где читаются лекции по физике твёрдого тела и отдельным её разделам.

Предисловие переводчика	5
Предисловие автора к русскому изданию	9

ДЕФЕКТЫ И КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ СПЕКТР КРИСТАЛЛОВ

Г л а в а I. Введение	13

Г л а в а II. Динамические свойства изолированного примесного
атома	19

Г л а в а III. Динамические свойства неупорядоченных кристаллов	43

§ 1. Спектр частот неупорядоченного кристалла	43
а. Спектры частот неупорядоченных одномерных кристаллов (46).
б. Спектры частот неупорядоченных двумерных кристаллов (63).
в. Спектры частот неупорядоченных трёхмерных кристаллов (66).
§ 2. Теплоёмкость неупорядоченного кристалла	79

Г л а в а IV. Электрические свойства кристаллов и динамика
дефектной решётки	88

§ 1. Электропроводность	88
§ 2. Возможность наблюдения локальных и резонансных колебаний
в туннельных характеристиках сверхпроводников	91

Г л а в а V. Влияние точечных дефектов на теплопроводность
кристаллической решётки диэлектриков	94

§ 1. Введение	94
§ 2. Влияние изотопических примесей на низкотемпературную
теплопроводность диэлектриков	96
§ 3. Резонансное рассеяние колебаний решётки точечными дефектами	100
§ 4. Теория	102

Г л а в а VI. Рассеяние нейтронов на колебаниях решётки
в дефектных кристаллах	114

§ 1. Теория	116
а. Рассеяние нейтронов на колебаниях сплошного спектра (117).
б. Рассеяние нейтронов на локальных колебаниях (127).
§ 2. Экспериментальные результаты	133

Г л а в а VII. Эффект Мёссбауэра на примесных ядрах	143

§ 1. Теория	143
а. Процессы без отдачи (144). б. Сечение процессов с возбуждением
одного кванта колебательной энергии решётки (148).
в. Допплеровский сдвиг второго порядка (153).
§ 2. Экспериментальные результаты	163
а. Процессы без отдачи (164). б. Допплеровский сдвиг второго
порядка (168).

Г л а в а VIII. Оптические аналоги эффекта Мёссбауэра	174

§ 1. Теория оптических спектров, обусловленных примесными центрами
в кристаллах	174
а. Коэффициент поглощения света в адиабатическом приближении
(176). б. Пик поглощения для процессов без участия колебаний
решётки (182). в. Форма коэффициентов V_s и V_ss' (184). г. Спектр
поглощения с возбуждением одного кванта колебательной энергии (192).
§ 2. Эксперимент	196

Г л а в а IX. Примесное инфракрасное поглощение кристаллической
решёткой	209

§ 1. Теория	211
а. Поглощение с участием одного колебания решётки,
индуцированное точечными дефектами в ионных кристаллах (213).
б. Поглощение с участием одного колебания решётки,
индуцированное нейтральными примесями (218). в. Инфракрасное
поглощение заряженными примесями (222).
§ 2. Экспериментальные результаты для ионных кристаллов	229
§ 3. Примесное поглощение гомеополярными кристаллами с участием
одного колебания решётки	253
а. Алмаз (254). б. Кремний (258). в. Германий (263).
г. Различные кристаллы (264).
§ 4. Примесное комбинационное рассеяние первого порядка в кристаллах	267
а. Теория (269). б. Экспериментальные результаты (282).

Г л а в а X. Влияние ангармонизма колебаний решётки
на индуцированное примесями поглощение света с участием одного
колебания решётки	288

§ 1. Введение	288
§ 2. Время жизни локальных колебаний	293
§ 3. Боковые полосы пиков локальных колебаний	307
§ 4. Обертоны пиков локальных колебаний в спектрах поглощения ионных
кристаллов с U-центрами	316
§ 5. Влияние ангармонизма на эффект Мёссбауэра на примесных ядрах	323

Г л а в а XI. Локальные колебания и спин-решёточное взаимодействие	333

§ 1. Теория спин-решёточной релаксации и локальные колебания	334
а. Резонансные процессы (340). б. Процессы типа комбинационного
рассеяния (341).
§ 2. Экспериментальные результаты	347

Г л а в а XII. Поверхность кристалла как дефект	354

§ 1. Введение	354
§ 2. Исследование динамических свойств поверхностных атомов методом
дифракции медленных электронов	354
а. Лауэвское рассеяние (354). б. Тепловое диффузное рассеяние
(363).
§ 3. Эффект Мёссбауэра на поверхностных атомах	365
§ 4. Теория	371
§ 5. Поверхностные колебания	386
§ 6. Вклад поверхности в теплоёмкость кристалла	395
§ 7. Взаимодействие дефектов с поверхностью кристалла	404

Заключение	408
Литература	410

Книги на ту же тему

Лекции по физике твёрдого тела: Принципы строения, реальная структура, фазовые превращения, Жданов Г. С., Хунджуа А. Г., 1988
Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны, Сидоров Н. В., Волк Т. Р., Маврин Б. Н., Калинников В. Т., 2003
Современная теория твёрдого тела, Зейтц Ф., 1949
Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешётками, Басс Ф. Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П., 1989
Теория ангармонических эффектов в кристаллах, Лейбфрид Г., Людвиг В., 1963
Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
Физика фононов, Рейсленд Д., 1975
Электроны и фононы в металлах: Учебное пособие. — 2-е изд., перераб. и доп., Брандт Н. Б., Чудинов С. М., 1990
Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах, Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч., 1989
Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
Теория и свойства неупорядоченных материалов, 1977
Физические основы прочности и пластичности (Введение в теорию дислокаций), Миркин Л. И., 1968
Континуальная теория дислокаций, Эшелби Д., 1963
Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
Методы анализа поверхностей, Зандерна А. В., ред., 1979
Сверхпроводимость полупроводников и переходных металлов, Коэн М., Глэдстоун Г., Йенсен М., Шриффер Д., 1972
Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
Математика диффузии в полупроводниках, Малкович Р. Ш., 1999

elapsed time 0.019 sec

/Наука и Техника/Физика

ОГЛАВЛЕНИЕ

Книги на ту же тему