Физика

Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы

Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А.

год издания — 1981, кол-во страниц — 336, тираж — 2500, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 450 гр., издательство — Физматлит

цена: 699.00 руб

Сохранность книги — хорошая

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая

В книге изложены современные разделы радиоспектроскопии: электрические эффекты в ЭПР, параэлектрический резонанс и двойной электронно-ядерный резонанс. Рассмотрено взаимодействие парамагнитных и параэлектрических центров с постоянным и переменным электрическим полем различного происхождения: собственно внутрикристаллическим, внешним, полем дефектов и носителей тока. Описываемые явления и методы используются для получения новой информации о свойствах и структуре твёрдых тел.

Рис. 78, табл. 23, библ. 780 назв.

Предисловие	6
Список сокращении	10

Г л а в а 1. Электрические эффекты в электронном парамагнитном резонансе	11

§ 1.1. Введение	11
§ 1.2. Гамильтониан	12
1. Исходный гамильтониан (13). 2. Матричные элементы оператора H_Е(r) (16). 3. Спиновый гамильтониан (19)
§ 1.3. Расщепление линии ЭПР внешним электрическим полем	23
1. Линейный по полю Е эффект (23). 2. Парамагнитный ион с компенсатором. Нецентральные ионы (29). 3. Хаотически ориентированные ПЦ (32). 4. Нелинейное по электрическому полю расщепление (36)
§ 1.4. Другие проявления электрических эффектов	39
1. Электрические дипольные переходы (39). 2. E_H и E_E резонансы парамагнитных центров (41). 3. Индукция и эхо (43). 4. Магнитоэлектрический эффект. Эффекты Фарадея, Коттона-Мутона и Керра (48). 5. Электрические поля дефектов (48). 6. Смежные резонансы (51)
§ 1.5. Микротеория	52
§ 1.6. Определение симметрии ПЦ методом ЭПР	56
1. Случай Е = 0 (56), 2. Случай Е ≠ 0 (57)

Г л а в а 2. Параэлектрический резонанс нецентральных ионов	61

§ 2.1. Экспериментальные доказательства существования нецентральных ионов	62
1. Аномалии в теплопроводности (62). 2. Аномалии в теплоёмкости (63). 3. Особенности в диэлектрических свойствах (63). 4. Адиабатическое охлаждение (64). 5. Рассеяние ультразвука (64). 6. Особенности оптических спектров НИ (65). 7. Инфракрасные спектры в гидростатически сжатых кристаллах с НИ (66). 8. Параэлектрический и магнитные резонансы (66)
§ 2.2. О природе нецентральности примесных ионов	67
§ 2.3. Параэлектрический резонанс	76
1. Спектр туннельных состояний (76). 2. Влияние внешних электрических полей Е на спектры НИ (79). 3. Параэлектрический резонанс НИ (82)
§ 2.4. Процессы релаксации в кристаллах с нецентральными ионами	86
1. Гамильтониан ион-решёточного взаимодействия (86). 2. Влияние давлений на спектры ПЭР (87). 3. Ион-решёточная релаксация (89). 4. Динамика бесполевого ПЭР (91)
§ 2.5. Магнитные резонансы в кристаллах с нецентральными ионами	94
1. ЯМР нецентральных ионов (94). 2. Двойной электронно-ядерный резонанс парамагнитных центров в кристаллах с НИ (97). 3. ЭПР нецентральных ионов (98). 4. Спин-решёточная релаксация парамагнитных центров в кристаллах с НИ (102)
§ 2.6. Резонансное поглощение гиперзвука нецентральными ионами	104

Г л а в а 3. Теория формы линий парамагнитного и параэлектрического резонансов	106

§ 3.1. Методы расчёта формы линий	106
§ 3.2. Статистическая теория формы линий	107
1. Предположения теории (107). 2. Основные формулы (109)
§ 3.3. Форма линий при наличии нескольких механизмов уширения	111
1. Свёртка форм линий (111). 2. Ширина сложной линии (113). 3. Определение параметров составляющих механизмов по наблюдаемой линии (114)
§ 3.4. Изучение дефектной структуры методами радиоспектроскопии	118
1. Уширение линий ЭПР полями точечных дефектов (118). 2. Уширение линий электрическими диполями (119). З. Уширение линий дислокациями (120). 4. Изучение дефектной структуры твёрдых тел методом ЭПР (121). 5. Форма линий параэлектрического резонанса (126). 6. Неоднородное уширение линий E_H-резонанса (129)
§ 3.5. Динамика спинов в электрическом поле	132
1. Метод кинетических уравнений (132). 2. Уравнения движения для средних значении спиновых операторов (134). 3. Движение спинов во внешнем электрическом поле, E_H-резонанс (137)
§ 3.6. Температурное уширение линий и релаксация	141
1. Уширение линий спин-фононным взаимодействием (141). 2. Расчёт времени релаксации по температурному уширению линии ЭПР (143). 3. Определение характеристик фононного спектра по температурному измерению ширины (146). 4. Определение механизма спин-фононного взаимодействия по угловым зависимостям ширины (148). 5. Форма линий электродипольных переходов (H_E-резонанс) (149)

Г л а в а 4. Двойной электронно-ядерный резонанс парамагнитных центров в неметаллических кристаллах	151

§ 4.1. Идея и информационные возможности ДЭЯР	151
§ 4.2. Расчёт частот	158
1. Общая теория (158). 2. Центры с S = I =1/2 (160). 3. Центры с S = 1/2, I > 1/2 (164). 4. ПЦ с S = 1/2 и одним-двумя собственными ядрами (167). 5. ПЦ с S > 1/2 (169). 6. Эффекты второго порядка теории возмущений (172). 7. Рекомендации к получению частот ДЭЯР на ЭВМ (179)
§ 4.3. Динамика	180
1. Невзаимодействующие ПЦ с S = I = 1/2 (180). 2. Взаимодействующие ПЦ с S = I = 1/2 (188). 3. Многоядерные ПЦ (194)
§ 4.4. Расшифровка спектров	205
1. Основные особенности спектров ДЭЯР (205). 2. Определение относительных значений констант СГ (207). 3. Определение знаков компонент тензоров А и Q (211)
§ 4.5. Примеры применения	215
1. ДЭЯР собственных ядер ПЦ (216). 2. ДЭЯР ядер окружения ПЦ (217). 3. ДЭЯР удалённых ядер (228)
§ 4.6. Электрическое поле в ДЭЯР	230
1. Сдвиги и расщепления линий в постоянном поле (231). 2. Расчёт электро-полевых констант (236). 3. Ядерные переходы в переменном поле (239)
§ 4.7. Влияние давления и температуры на спектры ДЭЯР	239
1. ДЭЯР в присутствии внешних натяжений (239). 2. Температурные изменения констант СТВ и KB (241)

Г л а в а 5. Взаимодействие парамагнитных центров с плазмой полупроводников	244

§ 5.1. Введение	244
§ 5.2. Рассеяние носителей тока на парамагнитных центрах	245
1. Удельное сопротивление полупроводника в условиях парамагнитного поглощения (245). 2. Динамика намагниченности парамагнитных центров при освещении полупроводника неполяризованным светом (248)
§ 5.3. Парамагнитная релаксация, обусловленная коллективными явлениями в плазме	258
1. Оператор спин-плазменной связи (258). 2. Передача энергии коллективным возбуждениям (260). 3. Передача энергии индивидуальным возбуждениям (264). 4. Релаксация при гидродинамическом режиме движения носителей тока (264). 5. Экранирование спин-фононного взаимодействия (266)
§ 5.4. Косвенное взаимодействие парамагнитных центров, обладающих ЭДМ, через плазму носителей тока	267

П р и л о ж е н и е 1. Обобщённый спиновый гамильтониан	273

П р и л о ж е н и е 2. Роль дополнительных слагаемых ОСГ и симметрия ПЦ	282
1. Введение (282). 2. Зеемановская энергия (283). 3. ЭНС при наличии оператора внутрикристаллического электрического поля (285). 4. ЭНС в сверхтонкой структуре (292). 5. Эффекты от дополнительных слагаемых в высокосимметричных группах (294). 6. Заключение (296)
П р и л о ж е н и е 3. Спин-решёточная релаксация, обязанная внутренним электрическим полям	300
1. Обменносвязанные ПЦ (300). 2. Электрические поля дефектов [8] (303)
Литература	305

Книги на ту же тему

Магнитный резонанс и его применение в химии, Керрингтон А., Мак-Лечлан Э., 1970
Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках, Мурзин В. Н., 1985
Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
Спиновые флуктуации в магнетиках с коллективизированными электронами, Мория Т., 1988
Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
Электроны и фононы в металлах: Учебное пособие. — 2-е изд., перераб. и доп., Брандт Н. Б., Чудинов С. М., 1990
Физика фононов, Рейсленд Д., 1975
Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
Континуальная теория дислокаций, Эшелби Д., 1963
Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах, Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч., 1989
Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987
Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
Нелинейные свойства твёрдых тел, 1972
Лекции по физике твёрдого тела: Принципы строения, реальная структура, фазовые превращения, Жданов Г. С., Хунджуа А. Г., 1988
Квантовая теория твёрдых тел, Пайерлс Р., 1956
Высокотемпературная сверхпроводимость: Актуальные проблемы. Вып. 1, Киселёв А. А., ред., 1989

http://knigoprovod.ru

/Наука и Техника/Физика

ОГЛАВЛЕНИЕ

Книги на ту же тему