КнигоПровод.Ru24.11.2024

/Наука и Техника/Физика

Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп. — Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф.
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп.
Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф.
год издания — 2009, кол-во страниц — 368, ISBN — 978-5-94836-209-0, 0-080-44553-5, тираж — 1500, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7БЦ, масса книги — 500 гр., издательство — Техносфера
серия — Мир материалов и технологий
цена: 700.00 рубПоложить эту книгу в корзину
NANOTECHNOLOGY FOR
MICROELECTRONICS AND
OPTOELECTRONICS


J. M. Martínez-Duart
Director of the Departament of Applied Physics,
Universidad Autónoma de Madrid
Madrid, Spain


R. J. Martín-Palma
Universidad Autónoma de Madrid
Madrid, Spain


F. Agulló-Rueda
Materials Science Institute of Madrid, CSIC
Madrid, Spain

Elsevier


Пер. с англ. А. В. Хачояна

Формат 60x90 1/16. Бумага офсетная №1, плотность 65 г/м2, 80 г/м2. Печать офсетная
ключевые слова — нанонаук, нанотех, микроэлектрон, оптоэлектрон, мезоскоп, наноэлектрон, квантов, гетерострукт, перенос, твёрд, решётк, фонон, полупроводник, экситон, наноструктур, моп-транзистор, mosfet, гетеропереход, mqw, холл, iqhe, fqhe, электроопт, modfet, vcsel

В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения.

В настоящее время издаётся много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для учёных и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие11
Структура книги15
 
Глава 1. Мезоскопическая физика и нанотехнологии17
 
1.1. Содержание книги17
1.2. Основные тенденции развития нано- и оптоэлектроники18
1.3. Характеристические длины в мезоскопических системах26
1.4. Квантово-механическая когерентность31
1.5. Квантовые ямы, проволоки и точки32
1.6. Плотность состояний и размерность системы33
1.7. Полупроводниковые гетероструктуры36
1.8. Квантовые процессы переноса38
Литература39
Дополнительная литература39
Задачи и упражнения40
 
Глава 2. Введение в физику твёрдого тела43
 
2.1. Введение43
2.2. Краткие сведения из квантовой механики45
2.2.1. Корпускулярно-волновой дуализм и принцип Гейзенберга45
2.2.2. Уравнение Шрёдингера47
2.2.3. Распределения Ферми-Дирака и Бозе-Эйнштейна50
2.2.4. Методы теории возмущений52
2.3. Модель свободных электронов в твёрдых телах. Функция плотности
состояний54
2.4. Теорема Блоха58
2.5. Электроны в кристаллических твёрдых телах60
2.5.1. Модель почти свободных электронов60
2.5.2. Приближение сильной связи62
2.6. Динамика электронов в энергетических зонах65
2.6.1. Уравнение движения65
2.6.2. Эффективная масса67
2.6.3. Дырки70
2.7. Колебания решётки
2.7.1. Одномерная решётка72
2.7.2. Трёхмерная решётка77
2.8. Фононы78
Литература79
Дополнительная литература80
Задачи и упражнения80
 
Глава 3. Общие сведения из физики полупроводников83
 
3.1. Введение83
3.2. Энергетические зоны электронов в типичных полупроводниках84
3.3. Собственные и примесные полупроводники87
3.4. Концентрации электронов и дырок в полупроводниках92
3.5. Элементарные процессы переноса в полупроводниках98
3.5.1. Движение носителей заряда в электрическом поле.
    Подвижность зарядов99
3.5.2. Диффузионная проводимость101
3.5.3. Уравнения непрерывности. Время жизни носителей и длина
    диффузии102
3.6. Вырожденные полупроводники107
3.7. Оптические свойства полупроводников108
3.7.1. Оптические процессы в полупроводниках108
3.7.2. Межзонное поглощение110
3.7.3. Экситонные эффекты113
3.7.4. Спектр излучения117
3.7.5. Стимулированное излучение119
Литература122
Дополнительная литература122
Задачи и упражнения123
 
Глава 4. Физика полупроводников с пониженной размерностью126
 
4.1. Введение126
4.2. Основные характеристики двумерных полупроводниковых
наноструктур127
4.3. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины134
4.4. Параболическая и треугольная квантовые ямы136
4.4.1. Параболическая потенциальная яма136
4.4.2. Треугольная потенциальная яма137
4.5. Квантовые проволоки139
4.6. Квантовые точки142
4.7. Напряжённые слои144
4.8. Влияние напряжений на валентную зону146
4.9. Зонная структура в квантовых ямах150
4.10. Экситонные эффекты в квантовых ямах152
Литература156
Дополнительная литература156
Задачи и упражнения157
 
Глава 5. Полупроводниковые квантовые наноструктуры и сверхрешётки160
 
5.1. Введение160
5.2. Структуры полевых МОП-транзисторов (MOSFET)161
5.3. Гетеропереходы166
5.3.1. Гетеропереходы с модулированным легированием166
5.3.2. Напряжённые гетероструктуры на основе SiGe170
5.4. Квантовые ямы172
5.4.1. Модулированно-легированные квантовые ямы172
5.4.2. Множественные квантовые ямы (MQW)174
5.5. Сверхрешётки177
5.5.1. Концепция сверхрешёток177
5.5.2. Модель сверхрешётки Кронига-Пенни. Расщепление зон178
5.5.3. Приближение сильной связи в теории сверхрешёток184
5.5.4. Сверхрешётки типа nipi187
Литература
Дополнительная литература190
Задачи и упражнения190
 
Глава 6. Процессы переноса в наноструктурах в электрических полях192
 
6.1. Введение
6.2. Продольный перенос193
6.2.1. Механизмы рассеяния электронов193
6.2.2. Экспериментальные данные по продольному переносу197
6.2.3. Продольный перенос горячих электронов200
6.3. Поперечный перенос203
6.3.1. Резонансное туннелирование204
6.3.2. Влияние поперечных электрических полей на свойства
    сверхрешёток206
6.4. Квантовый перенос в наноструктурах212
6.4.1. Квантовая проводимость. Формула Ландауэра213
6.4.2. Формула Ландауэра-Бюттикера для квантового переноса
    в многозондовых структурах218
6.4.3. Кулоновская блокада220
Литература224
Дополнительная литература225
Задачи и упражнения225
 
Глава 7. Перенос в магнитных полях и квантовый эффект Холла229
 
7.1. Введение229
7.2. Воздействие магнитного поля на кристаллы231
7.3. Поведение систем пониженной размерности в магнитных полях233
7.4. Плотность состояний двумерных систем в магнитных полях234
7.5. Эффект Аронова-Бома236
7.6. Эффект Шубникова-де Гааза239
7.7. Квантовый эффект Холла242
7.7.1. Экспериментальные данные и элементарная теория
    целочисленного квантового эффекта Холла (IQHE)242
7.7.2. Краевые состояния и IQHE244
7.7.3. Протяжённые и локализованные состояния247
7.7.4. Использование квантового эффекта Холла (IQHE) в метрологии249
7.7.5. Дробный квантовый эффект Холла (FQHE)251
Литература254
Дополнительная литература255
Задачи и упражнения255
 
Глава 8. Оптические и электрооптические процессы в квантовых
гетероструктурах
258
 
8.1. Введение258
8.2. Оптические свойства квантовых ям и сверхрешёток259
8.3. Оптические характеристики квантовых точек и нанокристаллов265
8.3.1. Методы выращивания кристаллов. Самоорганизация квантовых
    точек265
8.3.2. Оптические свойства268
8.4. Электрооптические эффекты в квантовых точках. Эффект
квантово-размерный Штарка277
8.5. Электрооптические эффекты в сверхрешётках. Лестницы Штарка
и осцилляции Блоха282
Литература288
Дополнительная литература289
Задачи и упражнения289
 
Глава 9. Электронные приборы на наноструктурах292
 
9.1. Введение292
9.2. Модуляционно-легированные полевые транзисторы (MODFET)295
9.3. Биполярные транзисторы на гетеропереходах298
9.4. Резонансный туннельный эффект302
9.5. Транзисторы на горячих электронах307
9.6. Транзисторы с резонансным туннелированием311
9.7. Одноэлектронные транзисторы314
Литература319
Дополнительная литература319
Задачи и упражнения319
 
Глава 10. Оптоэлектронные устройства на основе наноструктур322
 
10.1. Введение322
10.2. Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах323
10.3. Лазеры на полупроводниковых квантовых ямах327
10.4. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором (VCSEL)332
10.5. Лазеры на напряжённых структурах с квантовыми ямами335
10.6. Лазеры на квантовых точках338
10.7. Фотодетекторы на квантовых ямах и сверхрешётках343
10.7.1. Фотодетекторы на подзонах квантовых ям343
10.7.2. Лавинные фотодетекторы на сверхрешётках345
10.8. Модуляторы на квантовых ямах346
Литература349
Дополнительная литература350
Задачи и упражнения350
 
Дополнение. Метрологический и стандартизационный базис
нанотехнологий
353

Книги на ту же тему

  1. Нанотехнологии в микроэлектронике, Агеев О. А., Коноплёв Б. Г., ред., 2019
  2. Основы технологий и применение наноматериалов, Колмаков А. Г., Баринов С. М., Алымов М. И., 2012
  3. Нанотехнологии. — 2-е изд., доп., Пул Ч., Оуэнс Ф., 2005
  4. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований, 2002
  5. Углеродная фотоника, Конов В. И., ред., 2017
  6. Полимерные нанокомпозиты: многообразие структурных форм и приложений, Микитаев А. К., Козлов Г. В., Заиков Г. Е., 2009
  7. Новые углеродные наноматериалы: получение, исследование, перспективы применения, Сладкова Т. А., сост., 2013
  8. Биологически активные нанопорошки железа, Коваленко Л. В., Фолманис Г. Э., 2006
  9. Золотые наночастицы: синтез, свойства, биомедицинское применение, Дыкман Л. А., Богатырев В. А., Щёголев С Ю., Хлебцов Н. Г., 2008
  10. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование, 2005
  11. Квантовые сильнокоррелированные системы: современные численные методы: Учебное пособие, Кашурников В. А., Красавин А. В., 2007
  12. Линейные измерения микрометрового и нанометрового диапазонов в микроэлектронике и нанотехнологии, 2006
  13. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
  14. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
  15. Физика фононов, Рейсленд Д., 1975
  16. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах, Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч., 1989
  17. Теория экситонов, Нокс Р., 1966
  18. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
  19. Лекции по физике твёрдого тела: Принципы строения, реальная структура, фазовые превращения, Жданов Г. С., Хунджуа А. Г., 1988
  20. Электрооптические кристаллы, Сонин А. С., Василевская А. С., 1971
  21. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  22. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешётками, Басс Ф. Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П., 1989
  23. Электроны и фононы в металлах: Учебное пособие. — 2-е изд., перераб. и доп., Брандт Н. Б., Чудинов С. М., 1990
  24. Современная квантовая химия. В 2-х томах (комплект из 2 книг), 1968
  25. Квантовая теория твёрдых тел, Пайерлс Р., 1956
  26. Квантовая механика. — Изд. 2-е перераб., Давыдов А. С., 1973
  27. Квантовая механика, Бете Г., 1965
  28. Квантовая механика и квантовая химия, Степанов Н. Ф., 2001
  29. Современная теория твёрдого тела, Зейтц Ф., 1949
  30. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
  31. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  32. Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках, Мурзин В. Н., 1985
  33. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  34. Нелинейные свойства твёрдых тел, 1972
  35. Интегральная оптика: Теория и технология, Хансперджер Р., 1985
  36. Элементы оптоэлектроники, Свечников С. В., 1971
  37. Оптические вычисления, Арратун Р., ред., 1993
  38. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий, Яфаров Р. К., 2009

© 1913—2013 КнигоПровод.Ruhttp://knigoprovod.ru