Предисловие | 11 |
Структура книги | 15 |
|
Глава 1. Мезоскопическая физика и нанотехнологии | 17 |
|
1.1. Содержание книги | 17 |
1.2. Основные тенденции развития нано- и оптоэлектроники | 18 |
1.3. Характеристические длины в мезоскопических системах | 26 |
1.4. Квантово-механическая когерентность | 31 |
1.5. Квантовые ямы, проволоки и точки | 32 |
1.6. Плотность состояний и размерность системы | 33 |
1.7. Полупроводниковые гетероструктуры | 36 |
1.8. Квантовые процессы переноса | 38 |
Литература | 39 |
Дополнительная литература | 39 |
Задачи и упражнения | 40 |
|
Глава 2. Введение в физику твёрдого тела | 43 |
|
2.1. Введение | 43 |
2.2. Краткие сведения из квантовой механики | 45 |
2.2.1. Корпускулярно-волновой дуализм и принцип Гейзенберга | 45 |
2.2.2. Уравнение Шрёдингера | 47 |
2.2.3. Распределения Ферми-Дирака и Бозе-Эйнштейна | 50 |
2.2.4. Методы теории возмущений | 52 |
2.3. Модель свободных электронов в твёрдых телах. Функция плотности |
состояний | 54 |
2.4. Теорема Блоха | 58 |
2.5. Электроны в кристаллических твёрдых телах | 60 |
2.5.1. Модель почти свободных электронов | 60 |
2.5.2. Приближение сильной связи | 62 |
2.6. Динамика электронов в энергетических зонах | 65 |
2.6.1. Уравнение движения | 65 |
2.6.2. Эффективная масса | 67 |
2.6.3. Дырки | 70 |
2.7. Колебания решётки |
2.7.1. Одномерная решётка | 72 |
2.7.2. Трёхмерная решётка | 77 |
2.8. Фононы | 78 |
Литература | 79 |
Дополнительная литература | 80 |
Задачи и упражнения | 80 |
|
Глава 3. Общие сведения из физики полупроводников | 83 |
|
3.1. Введение | 83 |
3.2. Энергетические зоны электронов в типичных полупроводниках | 84 |
3.3. Собственные и примесные полупроводники | 87 |
3.4. Концентрации электронов и дырок в полупроводниках | 92 |
3.5. Элементарные процессы переноса в полупроводниках | 98 |
3.5.1. Движение носителей заряда в электрическом поле. |
Подвижность зарядов | 99 |
3.5.2. Диффузионная проводимость | 101 |
3.5.3. Уравнения непрерывности. Время жизни носителей и длина |
диффузии | 102 |
3.6. Вырожденные полупроводники | 107 |
3.7. Оптические свойства полупроводников | 108 |
3.7.1. Оптические процессы в полупроводниках | 108 |
3.7.2. Межзонное поглощение | 110 |
3.7.3. Экситонные эффекты | 113 |
3.7.4. Спектр излучения | 117 |
3.7.5. Стимулированное излучение | 119 |
Литература | 122 |
Дополнительная литература | 122 |
Задачи и упражнения | 123 |
|
Глава 4. Физика полупроводников с пониженной размерностью | 126 |
|
4.1. Введение | 126 |
4.2. Основные характеристики двумерных полупроводниковых |
наноструктур | 127 |
4.3. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины | 134 |
4.4. Параболическая и треугольная квантовые ямы | 136 |
4.4.1. Параболическая потенциальная яма | 136 |
4.4.2. Треугольная потенциальная яма | 137 |
4.5. Квантовые проволоки | 139 |
4.6. Квантовые точки | 142 |
4.7. Напряжённые слои | 144 |
4.8. Влияние напряжений на валентную зону | 146 |
4.9. Зонная структура в квантовых ямах | 150 |
4.10. Экситонные эффекты в квантовых ямах | 152 |
Литература | 156 |
Дополнительная литература | 156 |
Задачи и упражнения | 157 |
|
Глава 5. Полупроводниковые квантовые наноструктуры и сверхрешётки | 160 |
|
5.1. Введение | 160 |
5.2. Структуры полевых МОП-транзисторов (MOSFET) | 161 |
5.3. Гетеропереходы | 166 |
5.3.1. Гетеропереходы с модулированным легированием | 166 |
5.3.2. Напряжённые гетероструктуры на основе SiGe | 170 |
5.4. Квантовые ямы | 172 |
5.4.1. Модулированно-легированные квантовые ямы | 172 |
5.4.2. Множественные квантовые ямы (MQW) | 174 |
5.5. Сверхрешётки | 177 |
5.5.1. Концепция сверхрешёток | 177 |
5.5.2. Модель сверхрешётки Кронига-Пенни. Расщепление зон | 178 |
5.5.3. Приближение сильной связи в теории сверхрешёток | 184 |
5.5.4. Сверхрешётки типа nipi | 187 |
Литература |
Дополнительная литература | 190 |
Задачи и упражнения | 190 |
|
Глава 6. Процессы переноса в наноструктурах в электрических полях | 192 |
|
6.1. Введение |
6.2. Продольный перенос | 193 |
6.2.1. Механизмы рассеяния электронов | 193 |
6.2.2. Экспериментальные данные по продольному переносу | 197 |
6.2.3. Продольный перенос горячих электронов | 200 |
6.3. Поперечный перенос | 203 |
6.3.1. Резонансное туннелирование | 204 |
6.3.2. Влияние поперечных электрических полей на свойства |
сверхрешёток | 206 |
6.4. Квантовый перенос в наноструктурах | 212 |
6.4.1. Квантовая проводимость. Формула Ландауэра | 213 |
6.4.2. Формула Ландауэра-Бюттикера для квантового переноса |
в многозондовых структурах | 218 |
6.4.3. Кулоновская блокада | 220 |
Литература | 224 |
Дополнительная литература | 225 |
Задачи и упражнения | 225 |
|
Глава 7. Перенос в магнитных полях и квантовый эффект Холла | 229 |
|
7.1. Введение | 229 |
7.2. Воздействие магнитного поля на кристаллы | 231 |
7.3. Поведение систем пониженной размерности в магнитных полях | 233 |
7.4. Плотность состояний двумерных систем в магнитных полях | 234 |
7.5. Эффект Аронова-Бома | 236 |
7.6. Эффект Шубникова-де Гааза | 239 |
7.7. Квантовый эффект Холла | 242 |
7.7.1. Экспериментальные данные и элементарная теория |
целочисленного квантового эффекта Холла (IQHE) | 242 |
7.7.2. Краевые состояния и IQHE | 244 |
7.7.3. Протяжённые и локализованные состояния | 247 |
7.7.4. Использование квантового эффекта Холла (IQHE) в метрологии | 249 |
7.7.5. Дробный квантовый эффект Холла (FQHE) | 251 |
Литература | 254 |
Дополнительная литература | 255 |
Задачи и упражнения | 255 |
|
Глава 8. Оптические и электрооптические процессы в квантовых гетероструктурах | 258 |
|
8.1. Введение | 258 |
8.2. Оптические свойства квантовых ям и сверхрешёток | 259 |
8.3. Оптические характеристики квантовых точек и нанокристаллов | 265 |
8.3.1. Методы выращивания кристаллов. Самоорганизация квантовых |
точек | 265 |
8.3.2. Оптические свойства | 268 |
8.4. Электрооптические эффекты в квантовых точках. Эффект |
квантово-размерный Штарка | 277 |
8.5. Электрооптические эффекты в сверхрешётках. Лестницы Штарка |
и осцилляции Блоха | 282 |
Литература | 288 |
Дополнительная литература | 289 |
Задачи и упражнения | 289 |
|
Глава 9. Электронные приборы на наноструктурах | 292 |
|
9.1. Введение | 292 |
9.2. Модуляционно-легированные полевые транзисторы (MODFET) | 295 |
9.3. Биполярные транзисторы на гетеропереходах | 298 |
9.4. Резонансный туннельный эффект | 302 |
9.5. Транзисторы на горячих электронах | 307 |
9.6. Транзисторы с резонансным туннелированием | 311 |
9.7. Одноэлектронные транзисторы | 314 |
Литература | 319 |
Дополнительная литература | 319 |
Задачи и упражнения | 319 |
|
Глава 10. Оптоэлектронные устройства на основе наноструктур | 322 |
|
10.1. Введение | 322 |
10.2. Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах | 323 |
10.3. Лазеры на полупроводниковых квантовых ямах | 327 |
10.4. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором (VCSEL) | 332 |
10.5. Лазеры на напряжённых структурах с квантовыми ямами | 335 |
10.6. Лазеры на квантовых точках | 338 |
10.7. Фотодетекторы на квантовых ямах и сверхрешётках | 343 |
10.7.1. Фотодетекторы на подзонах квантовых ям | 343 |
10.7.2. Лавинные фотодетекторы на сверхрешётках | 345 |
10.8. Модуляторы на квантовых ямах | 346 |
Литература | 349 |
Дополнительная литература | 350 |
Задачи и упражнения | 350 |
|
Дополнение. Метрологический и стандартизационный базис нанотехнологий | 353 |