|
|
Точечные дефекты в полупроводниках. Теория |
| Ланно М., Бургуэн Ж. |
| год издания — 1984, кол-во страниц — 264, тираж — 3400, язык — русский, тип обложки — мягк., масса книги — 310 гр., издательство — Мир |
|
| цена: 499.00 руб |  | | | |
|
Сохранность книги — хорошая
Springer Series in
SOLID-STATE SCIENCES 22
Edited by MANUEL CARDONA
Point Defects in
Simiconductors I
THEORETICAL ASPECTS
by
M. LANNOO, J. BOURGON
With a Foreword by J. FRIEDEL
Springer-Verlag
1981
Пер. с англ. д-ра ф.-м. наук Ю. М. Гальперина, к-та ф.-м. наук В. И. Козуба, к-та ф.-м. наук Э. Б. Сонина
Формат 60x90 1/16. Бумага офсетная №2 |
| ключевые слова — дефект, полупроводник, колебател |
Цель данной книги — познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция.
Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
|
Книги на ту же тему- Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
- Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
- Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
- Модифицирование полупроводников пучками протонов, Козловский В. В., 2003
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, Цэндин К. Д., ред., 1996
- Математика диффузии в полупроводниках, Малкович Р. Ш., 1999
|
|
|
