На основе обобщения литературных данных и результатов, полученных самими авторами, дано описание зонной структуры и основных физических свойств одного из интереснейших полупроводниковых кристаллов — арсенида галия. Рассмотрена технология получения кристаллов и электронно-дырочных переходов на их основе.

Табл. 28, рис. 209, библ. 1199 назв.

Книги на ту же тему

1. Арсенид галлия в микроэлектронике, Айнспрук Н., Уиссмен У., ред., 1988
2. Волноводная оптоэлектроника, Тамир Т., ред., 1991
3. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, Маделунг О., 1967
4. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
5. Сложные алмазоподобные полупроводники, Горюнова Н. А., 1968
6. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
7. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория, Ланно М., Бургуэн Ж., 1984
8. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
9. Квантовые процессы в полупроводниках, Ридли Б., 1986
10. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
11. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
12. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
13. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
14. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
15. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
16. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
17. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
18. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977