| Предисловие редактора перевода | 5 |
| Предисловие | 7 |
| |
| Глава 1. Перспективы развития технологии и изготовления ИС |
 на основе GaAs. У. Уиссмен, У. Френсли | 9 |
| |
| 1.1. Введение | 9 |
| 1.2. История развития технологии изготовления приборов на GaAs | 11 |
| 1.3. Свойства GaAs и других материалов типа AIIIBV | 20 |
| 1 4. Приборные структуры, предназначенные для использования в ИС | 32 |
| 1.5. Новые материалы и приборы | 46 |
| 1.6. Заключение | 47 |
| |
| Глава 2. Изготовление GaAs и его свойства. У. Дункан, Дж. Уестфел | 54 |
| |
| 2.1. Введение | 54 |
| 2.2. Выращивание монокристаллов GaAs | 55 |
| 2.3. Прямая ионная имплантация | 65 |
| 2.4. Свойства подложки и активного слоя | 85 |
| |
| Глава 3. Границы раздела и приборы. Р. Бауэр, Т. Мак-Джил | 104 |
| |
| 3.1. Введение | 104 |
| 3.2. Электрические свойства границ раздела | 106 |
| 3.3. Структура границ раздела | 113 |
| 3.4. Воспроизводимость и стабильность | 122 |
| 3.5. Заключение | 123 |
| |
| Глава 4. Ограничения, накладываемые границами раздела, |
| на архитектуру полевых транзисторов с затворами Шоттки |
| и МДП-транзисторов. Г. Вайдер | 130 |
| |
| 4.1. Введение | 130 |
| 4.2. Модели полевых транзисторов | 131 |
| 4.3. Поверхности и границы раздела | 135 |
| 4.4. Границы раздела металл-полупроводник | 136 |
| 4.5. Химические реакции между металлами и полупроводниковыми |
| соединениями AIIIBV | 138 |
| 4.6. Барьеры Шоттки к GaAs | 140 |
| 4.7. Граница раздела канал-подложка | 151 |
| 4.8. Омические контакты | 162 |
| 4.9. Граница раздела между диэлектриками и полупроводниковыми |
| соединениями AIIIBV | 167 |
| 4.10. Поверхностные и межфазные свойства тройных и четверных |
| полупроводниковых соединений AIIIBV | 196 |
| 4.11. Нестабильность характеристик полевых МДП-транзисторов | 201 |
| 4.12. Заключение | 203 |
| |
| Глава 5. Интегральные схемы СВЧ-диапазона на GaAs. Д. Р. Декер | 216 |
| |
| 5.1. Обзор ИС СВЧ-диапазона на GaAs | 216 |
| 5.2. Основы технологии изготовления устройств СВЧ на GaAs | 221 |
| 5.3. Принципы разработки ИС СВЧ на GaAs | 228 |
| 5.4. Технологические процессы изготовления ИС СВЧ на GaAs | 241 |
| 5.5. Примеры изготовления различных ИС СВЧ | 251 |
| 5.6. Применение ИС СВЧ | 259 |
| 5.7. Заключение | 264 |
| |
| Глава 6. Перспективы использования цифровых ИС на GaAs. |
| П. Грейлинг, К. Крумм | 270 |
| |
| 6.1. Введение | 270 |
| 6.2. Приборы и схемы на GaAs с высоким быстродействием | 271 |
| 6.3. Ограничения, накладываемые на логические вентили большими ИС | 278 |
| 6.4. Влияние проектных норм на быстродействие | 282 |
| 6.5. Технология изготовления цифровых ИС на GaAs | 292 |
| 6.6. Сравнение технологий изготовления быстродействующих цифровых ИС | З09 |
| |
| Глава 7. Цифровые ИС на биполярных транзисторах на GaAs. |
| X. Ян, У. Маклевидж, X. Ши | 314 |
| |
| 7.1. Разработка биполярных приборов на GaAs | 314 |
| 7.2. Изготовление эпитаксиальных плёнок GaAs и AlGaAs | 317 |
| 7.3. Биполярные транзисторы с гетеропереходами на GaAs | 327 |
| 7.4. Технология производства матриц логических элементов |
| на биполярных гетероструктурах | 338 |
| 7.5. Заключение | 357 |
| |
| Глава 8. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: |
| материалы, приборы и схемы. Р. Дингл, М. Фьюэр, Ч. Ту | 360 |
| |
| 8.1. Введение | 360 |
| 8.2. Требования к материалам для СЛГТ | 368 |
| 8.3. Дискретные приборы | 381 |
| 8.4. Использование СЛГТ в ИС | 401 |
| 8.5. Заключение | 409 |
| |
| Глава 9. Монтаж и корпусирование цифровых интегральных схем |
| на GaAs. Б. К. Гильберт | 416 |
| |
| 9.1. Введение | 416 |
| 9.2. Цифровые ИС на GaAs для процессоров обработки сигналов | 418 |
| 9.3. Проектирование цифровых схем на GaAs | 420 |
| 9.4. Корпусирование и проблемы межсоединений высокочастотных |
| цифровых ИС на GaAs | 427 |
| 9.5. Влияние индуктивности шин питания и земли на уровень шума |
| устройств | 458 |
| |
| Глава 10. Технология СБИС на GaAs для быстродействующих ЭВМ. |
| М. Абэ, Т. Мимура, К. Нишиучи, Н. Ёкояма | 464 |
| |
| 10.1. Введение | 464 |
| 10.2. Приборы на GaAs для быстродействующих СБИС | 466 |
| 10.3. Технология изготовления ПТШ с самосовмещённым затвором |
| на GaAs для СБИС | 469 |
| 10.4. Технология изготовления ТВПЭ для СБИС | 481 |
| 10.5. Применение СБИС на GaAs в быстродействующих ЭВМ | 494 |
| 10.6. Заключение | 497 |
| |
| Глава 11. Радиационные эффекты в ИС на GaAs. Р. Зулиг | 500 |
| |
| 11.1. Введение | 500 |
| 11.2. Механизмы нарушения | 501 |
| 11.3. Деградация приборных характеристик при облучении быстрыми |
| нейтронами | 508 |
| 11.4. Эффекты суммарной дозы ионизирующей радиации | 506 |
| 11.5. Переходные процессы, возникающие под действием импульсов |
| ионизирующей радиации | 519 |
| 11 6. Моделирование отказов логических ИС на GaAs | 525 |
| 11.7. Одиночные случайные отказы | 530 |
| 11.8. Характеристики отжига дефектов | 537 |
| 11.9. Перспективы создания радиационно-стойких ИС на GaAs | 542 |
| |
| Предметно-именной указатель | 548 |
