Предисловие | 6 |
Предисловие редактора перевода | 9 |
|
Часть I. НАСТОЯЩИЕ И БУДУЩИЕ ТЕНДЕНЦИИ | 13 |
|
Глава 1. «4G» и беспроводной мир 2015 — проблемы построения систем, |
архитектур и принципов телекоммуникаций | 15 |
|
1.1. Введение | 15 |
1.2. От «швейцарского армейского ножа»… | 16 |
1.3. …к управлению «беспроводным хаосом» | 18 |
1.4. Шесть «великих проблем» в беспроводных системах | 20 |
1.5. Проблемы в разработке радиоустройств — гибкое или |
программируемое радио | 21 |
1.6. Заключение | 22 |
Литература | 23 |
|
Глава 2. Требования к радиочастотной части аппаратуры |
сотовой связи и пути повышения степени интеграции | 24 |
|
2.1. Движущие силы технологии радиотелефонов | 24 |
2.2. Проблемы создания ВЧ трансивера | 29 |
2.3. Архитектуры | 38 |
2.4. Масштабирование технологии | 44 |
2.5. Тенденции проектирования сотовых телефонов | 47 |
Литература | 48 |
|
Глава 3. Программируемые радиоустройства — видение, проблемы |
и решения | 50 |
|
3.1. Введение | 50 |
3.2. Техническая концепция | 51 |
3.3. Некоторые пояснения по частотному планированию | 53 |
3.4. Радиотехнические проблемы | 55 |
3.5. Энергопотребление аналого-цифрового преобразователя | 59 |
3.6. Другие важные компоненты | 63 |
3.7. Пример входных каскадов программируемого радиоустройства |
с несущей частотой 160 МГц | 64 |
3.8. Пример входных каскадов для несущей частоты 2,4 ГГц | 66 |
3.9. Заключение | 70 |
Литература | 71 |
|
Часть II. СОЗДАНИЕ ЦИФРОВОЙ СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ | 72 |
|
Глава 4. Тенденции в архитектурах систем на кристалле | 75 |
|
4.1. Введение | 75 |
4.2. Пространство проектных параметров СБИС | 77 |
4.3. Заключение | 95 |
4.4. Благодарности | 96 |
Литература | 96 |
|
Глава 5. Программируемые процессоры в полосе частот модуляции | 98 |
|
5.1. Введение | 98 |
5.2. Задачи обработки в полосе частот модуляции | 99 |
5.3. Программируемые процессоры в полосе частот модуляции | 101 |
5.4. Примеры OFDM и WCDMA | 104 |
5.5. Разработка многостандартного процессора | 109 |
5.6. Заключение | 114 |
Литература | 114 |
|
Глава 6. Технологии аналого-цифрового преобразования для |
программируемых радиоустройств | 115 |
|
6.1. Введение | 115 |
6.2. Почему именно программируемое радио? | 116 |
6.3. Коммерческие SDR и SR | 117 |
6.4. Настоящие и будущие архитектуры радиосистем | 118 |
6.5. Проблемы аналого-цифрового преобразования | 122 |
6.6. Реконфигурируемые АЦП для SDR/SR | 126 |
6.7. Заключение | 133 |
Литература | 134 |
|
Глава 7. Реконфигурируемые аналого-цифровые преобразователи |
для многостандартных беспроводных трансиверов 4G систем | 136 |
|
7.1. Введение | 136 |
7.2. На пути к радиосистемам 4G | 136 |
7.3. Архитектуры многостандартного приёмника | 139 |
7.4. Многостандартные АЦП | 140 |
7.5. Заключение | 152 |
Литература | 153 |
|
Часть III. ПРОЕКТИРОВАНИЕ РАДИОСИСТЕМЫ | 155 |
|
Глава 8. Проектирование приёмника для интегрированных |
многостандартных беспроводных радиосистем | 157 |
|
8.1. Введение | 157 |
8.2. Последовательность разработки многостандартного приёмника | 160 |
8.3. От стандартов — к спецификациям приёмника | 163 |
8.4. Частотное планирование | 167 |
8.5. Бюджет параметров приёмника | 172 |
8.6. Учебный пример: бюджет параметров приёмника WCDMA/WLAN | 177 |
8.7. Заключение | 181 |
Литература | 181 |
|
Глава 9. Встроенная защита от электростатического разряда |
для радиочастотных интегральных микросхем | 183 |
|
9.1. Введение | 183 |
9.2. Технология защиты кристалла в целом | 183 |
9.3. Схемы защиты от электростатического разряда для радиочастотных |
входов и выходов | 185 |
9.4. Схемы защиты с использованием индуктивностей | 192 |
9.5. Тестирование радиочастотных ИМС электростатическими разрядами | 200 |
Литература | 201 |
|
Глава 10. Кремниевые усилители мощности миллиметрового диапазона | 203 |
|
10.1. Введение | 203 |
10.2. Проблемы разработки усилителей мощности сверхвысоких частот |
и миллиметрового диапазона | 204 |
10.3. Подходы к разработке усилителей мощности | 206 |
10.4. Технология суммирования мощности | 212 |
10.5. Учебный пример: разработка 24 ГГц усилителя мощности на основе |
распределённого активного трансформатора | 216 |
10.6. Выводы и заключение | 223 |
Литература | 224 |
|
Глава 11. Оптимизация и моделирование интегральных индуктивностей | 226 |
|
11.1. Моделирование монолитной индуктивности | 227 |
11.2. Индуктивность CAD-Tool Indentro | 239 |
11.3. Проверка модели ёмкости | 241 |
Литература | 247 |
|
Глава 12. Проблемы разработки ФАП по глубокосубмикронной технологии | 249 |
|
12.1. Введение | 249 |
12.2. Тенденции технологии | 249 |
12.3. Показатели эффективности ФАП | 255 |
12.4. Воздействие масштабирования технологии | 269 |
12.5. Обзор архитектуры | 280 |
Литература | 291 |
|
Глава 13. Разработка радиочастотных интегральных схем для успеха |
с первого прохода кремниевой технологии | 293 |
|
13.1. Введение | 293 |
13.2. Интеграция системы на кристалле | 301 |
13.3. Самосознание | 311 |
13.4. Самокалибровка | 315 |
13.5. Самоконфигурирование | 318 |
13.6. Влияние самоконфигурирования на системные параметры | 318 |
13.7. Заключение | 320 |
Литература | 320 |
|
Об авторах | 321 |
Список сокращений | 328 |