Отзыв о книге академика РАН О. В. Руденко | 11 |
От редактора | 13 |
От авторов | 15 |
|
ГЛАВА 1 |
Акустические волны в пьезокристаллах | 17 |
|
1.1. Плоские акустические волны в неограниченном пространстве | 18 |
1.2. ПАВ Рэлея | 37 |
1.3. ПАВ с горизонтальной поляризацией. Волны Лява. Волны |
Гуляева-Блюштейна | 51 |
1.4. Вытекающие ПАВ | 62 |
1.5. Приповерхностные объёмные акустические волны | 66 |
Литература | 68 |
|
ГЛАВА 2 |
Материалы для устройств на поверхностных акустических волнах | 70 |
|
2.1. Подложки устройств на ПАВ | 71 |
2.1.1. Основные параметры материалов для подложек устройств |
на ПАВ | 74 |
2.1.2. Монокристаллические подложки (α-кварц, ниобат лития, |
танталат лития, тетраборат лития, германат висмута, |
ниобат калия, лангасит, ортофосфат галлия, берлинит) | 98 |
2.1.3. Многослойные подложки | 119 |
2.2. Температурно-стабильные устройства на ПАВ | 134 |
Приложение 2.1 | 140 |
Приложение 2.2 | 141 |
Приложение 2.3 | 143 |
Литература | 145 |
|
ГЛАВА 3 |
Моделирование устройств на поверхностных акустических волнах |
на основе метода связанных волн | 153 |
|
3.1. Методы расчёта устройств на ПАВ | 154 |
3.2. COM-метод | 159 |
3.2.1. Уравнения связанных волн в дифференциальной форме | 163 |
3.2.2. COM-уравнения для однородного встречно-штыревого |
преобразователя | 166 |
3.2.3. COM-уравнения для неоднородных структур | 169 |
3.2.4. СОМ-уравнения в алгебраической форме | 170 |
3.3. Эффективность преобразования ПАВ | 174 |
3.4. Уравнение для силы тока в ВШП | 179 |
3.5. Распределение силы тока на электродах ВШП | 186 |
Литература | 191 |
|
ГЛАВА 4 |
Моделирование устройств на поверхностных |
акустических волнах методом P-матрицы | 195 |
|
4.1. Р-матрица структур на ПАВ | 196 |
4.2. Входная проводимость и потери устройств на ПАВ | 199 |
4.3. Расчёт двухвходового резонатора на ПАВ | 202 |
Литература | 207 |
|
ГЛАВА 5 |
Моделирование устройств на квазиповерхностных |
акустических волнах | 208 |
|
5.1. КвазиПАВ | 209 |
5.1.1. КвазиПАВ SH-типа. Уравнение Плесского | 213 |
5.1.2. COM-уравнения в дифференциальной форме для ПАВ SH-типа | 216 |
5.2. Метод расчёта устройств, использующих квазиПАВ на основе |
модифицированных COM-уравнений | 220 |
Литература | 224 |
|
ГЛАВА 6 |
Резонаторные фильтры на поверхностных акустических волнах | 227 |
|
6.1. DMS-фильтры на ПАВ | 228 |
6.1.1. Методы расчёта и применение DMS-фильтра на ПАВ | 228 |
6.1.2. Примеры реализации DMS-фильтров | 235 |
6.2. Лестничные фильтры на ПАВ-резонаторах | 239 |
6.2.1. Методы расчёта и применение лестничных фильтров |
на ПАВ-резонаторах | 239 |
6.3. Расчет ПАВ-резонаторов на основе уравнений связанных волн | 252 |
6.4. Гибридный фильтр на ПАВ-резонаторах | 258 |
Литература | 262 |
|
ГЛАВА 7 |
Резонаторные фильтры на акустически слабосвязанных |
поперечных волноводных модах поверхностных акустических волн | 265 |
|
7.1. Резонаторный фильтр на ПАВ | 266 |
7.2. Распределение поля волноводных мод ПАВ в поперечном сечении |
резонаторного фильтра на ПСРМ | 271 |
7.3. Уравнения связанных волн для резонаторного фильтра на ПСРМ ПАВ | 277 |
7.4. Расчёт входной проводимости резонаторного фильтра на ПСРМ ПАВ | 283 |
7.5. Примеры резонаторных фильтров на ПСРМ ПАВ | 288 |
Литература | 294 |
|
ГЛАВА 8 |
Трансверсальные фильтры на поверхностных акустических волнах | 296 |
|
8.1. Трансверсальные фильтры на ПАВ с аподизацией sinc(x) | 297 |
8.2. Многополосковый ответвитель | 303 |
8.3. Трансверсальные фильтры на ПАВ с аподизацией sinc(x) |
и многополосковым ответвителем | 314 |
8.4. Трансверсальные фильтры на ПАВ с дисперсионным ВШП | 317 |
8.4.1. Конструкция трансверсального фильтра на ПАВ |
с дисперсионными ВШП линейного типа | 317 |
8.4.2. Конструкция трансверсального фильтра на ПАВ |
с дисперсионными ВШП наклонного типа, расположенными в линию | 319 |
8.4.3. Пример трансверсального фильтра на ПАВ |
с дисперсионными ВШП | 322 |
8.5. Трансверсальные фильтры на ПАВ с веерными ВШП | 323 |
8.5.1. Методы расчёта трансверсальных фильтров на ПАВ |
с веерными ВШП | 326 |
8.5.2. Трансверсальные фильтры на ПАВ с веерными ВШП |
с селективным удалением электродов | 329 |
Литература | 332 |
|
ГЛАВА 9 |
Устройства на поверхностных акустических волнах |
для формирования и сжатия сложных сигналов | 335 |
|
9.1. Устройства на ПАВ корреляционной обработки сложных сигналов | 336 |
9.2. Устройства на ПАВ формирования и сжатия сигналов |
с дисперсионными преобразователями | 348 |
9.2.1. Метод расчёта устройств на ПАВ с дисперсионными ВШП | 351 |
9.2.2. Синтез топологии устройств на ПАВ с дисперсионными ВШП |
лестничного типа | 352 |
9.2.3. Сверхширокополосная дисперсионная линия задержки |
с полосой рабочей частоты 600 МГц | 356 |
9.3. Дисперсионные акустоэлектронные линии задержки с отражательными |
структурами | 361 |
9.3.1. Метод расчёта ДАЛЗ с отражательными структурами | 365 |
9.3.2. Метод синтеза топологии ДАЛЗ | 371 |
9.3.3. Примеры ДАЛЗ | 378 |
Литература | 382 |
|
ГЛАВА 10 |
Радиометки на поверхностных акустических волнах |
для систем идентификации | 385 |
|
10.1. Радиочастотная идентификация с использованием радиометок |
на ПАВ | 386 |
10.2. Методы кодирования радиометок на ПАВ | 391 |
10.3. Основные типы конструкций радиометок на ПАВ | 393 |
10.4. Методы расчёта электрических характеристик радиометок на ПАВ | 400 |
10.4.1. Метод расчёта радиометки с отражательными структурами | 400 |
10.4.2. Метод расчёта радиометки с кодирующим ВШП | 405 |
10.5. Системы опроса радиометок на ПАВ | 408 |
10.6. Корреляционная обработка в системах радиочастотной |
идентификации с использованием радиометки на ПАВ | 412 |
Литература | 415 |
|
ГЛАВА 11 |
Миниатюризация и функциональная интеграция |
устройств на поверхностных акустических волнах | 417 |
|
11.1. Миниатюризация устройств на ПАВ | 418 |
11.2. Миниатюризация корпусов фильтров на ПАВ | 419 |
11.3. Миниатюрные фильтры на упругих граничных волнах | 429 |
11.4. Интеграция устройств на ПАВ | 431 |
11.5. Функциональные модули, включающие устройства на ПАВ | 435 |
Литература | 442 |
|
ГЛАВА 12 |
Многослойные составные резонаторы и фильтры |
СВЧ-диапазона на объёмных акустических волнах | 444 |
|
12.1 Принципы работы составных резонаторов на ОАВ | 445 |
12.2. ОАВ в тонких слоях и структурах | 450 |
12.2.1. Характеристики распространения ОАВ в кристаллах |
в одномерном случае | 450 |
12.2.2. Граничные условия | 454 |
12.2.3. Передаточные матрицы плоского непьезоэлектрического слоя | 457 |
12.2.4. Передаточные матрицы плоского пьезоэлектрического слоя | 460 |
12.2.5. Эквивалентная схема Мэзона | 466 |
12.2.6. Брэгговские структуры | 469 |
12.3. Электрический импеданс составных резонаторных структур | 470 |
12.3.1. Расчёт электрического импеданса многочастотного |
составного резонатора на ПАВ | 470 |
12.3.2. Метод расчёта электрического импеданса |
пьезоэлектрического слоя | 473 |
12.3.3. Метод расчёта добротности резонатора на ПАВ | 477 |
Литература | 478 |
|
ГЛАВА 13 |
Многочастотные составные резонаторы |
на объемных акустических волнах | 482 |
|
13.1. Электрический импеданс многочастотного составного резонатора |
на ОАВ | 483 |
13.1.1. Структура составного резонатора на ОАВ и исходные |
формулы | 483 |
13.1.2. Эквивалентная схема многочастотного составного |
резонатора на ОАВ | 486 |
13.2. Частота резонанса и антирезонанса | 492 |
13.2.1. Анализ эквивалентной схемы составного резонатора на ОАВ | 492 |
13.2.2. Пример расчёта резонатора на ОАВ | 496 |
13.3. Факторы, влияющие на параметры реального составного резонатора |
на ОАВ СВЧ-диапазона | 498 |
13.3.1. Добротность многочастотного составного резонатора на ОАВ | 498 |
13.3.2. Поглощение ОАВ, обусловленное взаимодействием |
с тепловыми фононами | 499 |
13.3.3. Дифракционные потери | 503 |
13.3.4. Потери при отражениях от реальных границ резонаторной |
структуры | 503 |
13.3.5. Джоулевы и диэлектрические потери в составных |
резонаторах на ОАВ | 504 |
13.3.6. Потери, связанные с уходом энергии из области составного |
резонатора на ОАВ | 506 |
13.4. Задачи конструирования и примеры использования многочастотных |
акустических СВЧ-резонаторов на ОАВ | 509 |
13.5. Акустическая резонансная спектроскопия тонких слоёв и плёнок | 514 |
13.5.1. Методы измерения поглощения и константы |
электромеханической связи в акустических резонаторах на ОАВ | 518 |
13.5.2. Примеры нахождения добротности и константы |
электромеханической связи в резонаторах на ОАВ | 519 |
Литература | 521 |
|
ГЛАВА 14 |
Тонкоплёночные резонаторы и фильтры |
на объемных акустических волнах | 523 |
|
14.1. Тонкоплёночные мембранные составные резонаторы на ОАВ | 524 |
14.1.1. Особенности модели тонкоплёночной резонаторной структуры |
на ОАВ | 524 |
14.1.2. Методы изготовления мембранных резонаторных структур |
на ОАВ | 526 |
14.2. Брэгговские резонаторные структуры и тонкоплёночные |
пьезоэлектрические СВЧ-резонаторы на их основе | 528 |
14.2.1. Основные формулы для расчёта брэгговских резонаторных |
структур | 528 |
14.2.2. Расчёт основных параметров бесконечной брэгговской |
резонаторной структуры на ОАВ | 532 |
14.3. Брэгговские зеркала на ОАВ с конечным числом слоёв | 533 |
14.3.1. Электрический импеданс резонаторной структуры |
с брэгговским зеркалом на ОАВ | 533 |
14.3.2. Свойства брэгговских зеркал на ОАВ с конечным числом |
слоёв | 535 |
14.3.3. Резонаторные структуры на ОАВ с брэгговскими |
отражателями | 537 |
14.4. Факторы, влияющие на реальные характеристики тонкоплёночных |
резонаторов на ОАВ | 539 |
14.5. Фильтры на основе тонкоплёночных пьезоэлектрических |
резонаторов на ОАВ | 550 |
14.5.1. Импедансные фильтры | 550 |
14.5.2. Чисто акустические фильтры | 553 |
Литература | 557 |
|
Список сокращений | 560 |
|
ACOUSTOELECTRONIC DEVICES |
FOR SIGNAL PROCESSING AND GENERATION |
Principles of operation modeling |
and development | 563 |
Contents of monography | 565 |