Благодаря достижениям полупроводниковой технологии в настоящее время возможно создание многослойных периодических структур. Важным классом последних являются полупроводники со сверхрешётками, обладающие уникальными свойствами и поэтому весьма перспективные в плане практических приложений.

С единых позиций исследуются электромагнитные свойства полупроводников со сверхрешётками, находящихся во внешних полях. Рассматриваются линейные и нелинейные волны, а также их взаимодействие. Предсказан ряд новых эффектов.

Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся вопросами физики полупроводников, физики плазмы и твердотельной электроники, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.

Табл. 8. Ил. 61. Библиогр. 247 назв.

Исследование новых физических явлений в полупроводниках и создание приборов твердотельной электроники в значительной мере связаны с синтезированием материалов, обладающих неизвестными ранее свойствами. Логическим следствием развития технологии является тенденция к разработке полупроводниковых устройств на основе многослойных и периодических структур, которые обладают рядом принципиально новых по сравнению с однородными полупроводниками характеристик. Для их описания уже недостаточно фундаментальных параметров, характеризующих однородные материалы. Возникает необходимость использовать ряд дополнительных величин: геометрические размеры, ориентацию структуры относительно внешних полей, амплитуду изменения параметров и т.п. Всё это расширяет возможность гибкого управления физическими свойствами полупроводниковых структур в широких пределах.

Полупроводники со сверхрешётками в настоящее время являются одним из наиболее интересных объектов в физике твёрдого тела. Это связано как с важным прикладным значением таких материалов, так и с необычностью и красотой физических эффектов, в них происходящих. Особенно это относится к электродинамике полупроводников со сверхрешётками.

Высокочастотные свойства полупроводников с квантовыми и классическими сверхрешётками исследовались в многочисленных журнальных публикациях и обзорах. Данная монография является, по сути, первой попыткой систематизировать и последовательно описать высокочастотные свойства полупроводниковых структур, обладающих дополнительной трансляционной симметрией…

ПРЕДИСЛОВИЕ
Ф. Г. Басс, А.А. Булгаков

Книги на ту же тему

1. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
2. Волны и взаимодействия в плазме твёрдого тела, Платцман Ф., Вольф П., 1975
3. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
4. Электронные свойства двумерных систем, Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф., 1985
5. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
6. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
7. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
8. Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
9. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
10. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
11. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
12. Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
13. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987
14. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961