| От авторов | 3 |
| Принятые обозначения | 4 |
| |
| Глава 1. Основные представления физики полупроводников |
| |
| § 1. Строение кристаллической решётки полупроводниковых веществ | 7 |
| § 2. Зонная схема полупроводникового кристалла | 9 |
| § 3. Собственная проводимость полупроводников | 13 |
| § 4. Примесная проводимость полупроводников | 17 |
| § 5. Основные и неосновные носители тока | 23 |
| § 6. Выражение для потока носителей тока в полупроводнике | 26 |
| |
| Глава 2. Электронно-дырочный переход |
| |
| § 7. Зонная схема электронно-дырочного перехода | 32 |
| § 8. Электронно-дырочный переход под прямым напряжением | 37 |
| § 9. Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода | 43 |
| § 10. Толщина и ёмкость запорного слоя | 57 |
| |
| Глава 3. Плоскостные транзисторы |
| |
| § 11. Принцип действия плоскостного транзистора | 63 |
| § 12. Эквивалентная схема плоскостного транзистора | 77 |
| § 13. Практическая эквивалентная схема транзистора | 85 |
| § 14. Семейство вольтамперных характеристик коллектора и |
 эмиттера | 98 |
| § 15. Плоскостные транзисторы, обладающие отрицательным |
| сопротивлением | 106 |
| |
| Глава 4. Зависимость параметров германиевых транзисторов от |
| температуры и режима питания |
| |
| § 16. Введение | 109 |
| § 17. Сопротивление эмиттера и сопротивление базы | — |
| § 18. Сопротивление коллектора | 110 |
| § 19. Усиление по току | 111 |
| § 20. Зависимость граничной частоты от температуры | 115 |
| § 21. Зависимость Iks и Ik0 от температуры | 116 |
| § 22. Температурная стабилизация режима работы плоскостных |
| транзисторов в электронных устройствах | 118 |
| |
| Глава 5. Многокаскадные усилители на плоскостных транзисторах |
| |
| § 23. Одиночный усилительный каскад | 123 |
| § 24. Анализ усилительного каскада с заземлённым эмиттером | 127 |
| § 25. Усилители с конденсаторным соединением | 131 |
| § 26. Усилители с трансформаторным соединением | 139 |
| § 27. Методика расчёта оконечных каскадов усилителей низкой |
| частоты | 140 |
| § 28. Практические схемы двухтактных усилителей | 150 |
| § 29. Усилительный каскад с высоким входным сопротивлением | 151 |
| |
| Глава 6. Некоторые вопросы построения высокочастотных схем |
| |
| § 30. Введение | 154 |
| § 31. Теория нейтрализации | 155 |
| § 32. Практические схемы резонансных усилителей с |
| нейтрализацией внутренней обратной связи | 160 |
| § 33. Амплитудный детектор | 164 |
| § 34. Смесители частот | 168 |
| |
| Глава 7. Генераторы |
| |
| § 35. Введение | 172 |
| § 36. Генераторы почти синусоидальных колебании с обратной |
| связью | — |
| § 37. Релаксационный генератор с индуктивной обратной связью | 182 |
| § 38. Генераторы синусоидальных колебаний с отрицательным |
| сопротивлением | 185 |
| § 39. Генераторы разрывных колебаний | 191 |
| |
| Глава 8. Методы измерения параметров транзисторов |
| |
| § 40. Введение | 201 |
| § 41. Методы измерения параметров | 203 |
| § 42. Прибор для осциллографического исследования |
| характеристик транзисторов | 211 |
| |
| Глава 9. Шумовые свойства плоскостных транзисторов |
| |
| § 43. Введение | 216 |
| § 44. Измерение шумфактора | 222 |
| § 45. Усилители с малым уровнем шумов | 227 |
| |
| Глава 10. Транзисторные преобразователи и их применение |
| |
| § 46. Полупроводниковые преобразователи | 230 |
| § 47. Схема питания и развёртки портативного переносного |
| осциллографа | 239 |
| § 48. Модулятор | 242 |
| § 49. Тональный генератор на плоскостных транзисторах | 244 |
| § 50. Усилитель громкоговорящей связи | 247 |
| § 51. Бесконтактный замыкатель | 250 |
| |
| Приложение | 254 |
| Литература | 259 |
