год издания — 1990, кол-во страниц — 240, ISBN — 5-256-00736-X, тираж — 9000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 320 гр., издательство — Радио и связь

цена: 299.00 руб

Сохранность книги — очень хорошая

Рецензент д-р техн. наук А. В. Емельянов

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая

Рассмотрены принцип действия, физические основы, устройство и технология изготовления полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. Приведены основные параметры и характеристики различных типов полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов (цифро-знаковых индикаторов, модулей экрана, шкал). Изложены основные пути оптимизации параметров и главные направления развития этого класса полупроводниковых приборов.

Для инженерно-технических работников, связанных с разработкой и использованием полупроводниковых приборов и оптико-электронной аппаратуры.

Развитие современной техники невозможно представить без широкого использования различных устройств для визуального отображения информации.

Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы (ПЗСИ) выгодно отличаются от других типов индикаторов своей универсальностью, так как на их основе можно конструировать устройства и системы отображения информации различного характера (от светящейся точки до текстов и графиков) и назначения (индивидуального, группового и коллективного пользования). Особо следует подчеркнуть, что при использовании ПЗСИ в системах отображения информации блоки приёма, обработки и хранения информации строятся на основе единой элементной базы — на полупроводниковых микросхемах.

Цель настоящей книги заключается в изложении широкого комплекса проблем, связанных с физическими и эргономическими особенностями работы ПЗСИ, с принципами их конструирования и технологии производства, и, наконец, со спецификой применения.

Учитывая динамику развития этого класса оптоэлектронных приборов, авторы сочли необходимым не только рассмотреть современное состояние проблем, но и наиболее подробно остановиться на физико-технологических основах оптимального проектирования ПЗСИ. Для адекватного рассмотрения физических процессов в этих приборах и анализа их потребительских характеристик необходим последовательный учёт многих факторов, связанных как с психофизическими особенностями человеческого зрения, так и с особенностями генерации и вывода светового излучения из кристалла и корпуса ПЗСИ.

Изложенный в книге расчётный аппарат может быть использован не только для прогнозирования достижимого уровня параметров, но и проектирования ПЗСИ на основе новых перспективных полупроводниковых материалов.

Создание современных полупроводниковых индикаторов — результат многолетней исследовательской и инженерной деятельности многих коллективов и отдельных ученых в СССР и за рубежом.

Авторы выражают признательность академику АН СССР Ж. И. Алферову за научную помощь в работах по созданию отечественных ПЗСИ и за обсуждение содержания настоящей книги.

ПРЕДИСЛОВИЕ

Предисловие	3
Введение	4

Г л а в а 1. Эргономические принципы конструиршания
полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов	8
1.1. Логика развития индикаторов для систем отображения
информации	8
1.2. Морфологический и эргономический анализ полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов	14
1.3. Система параметров полупроводниковых знакосинтезирующих
индикаторов	29

Г л а в а 2. Физические принципы работы полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов	31
2.1. Зонная диаграмма гомо- и гетеропереходов и особенности
инжекции неосновных носителей заряда	31
2.2. Рекомбинационные процессы в прямозонных материалах	43
2.3. Рекомбинационные процессы в непрямозонных материалах	50
2.4. Особенности безызлучательной рекомбинации в широкозонных
полупроводниковых материалах	55

Г л а в а 3. Оптимизация параметров светоизлучающих кристаллов	62
3.1. Физическая модель светоизлучающего кристалла	62
3.2. Оптимизация параметров светоизлучающих структур на основе
прямозонных материалов	68
3.3. Оптимизация параметров светоизлучающих структур на основе
непрямозонных материалов	76

Г л а в а 4. Технологические особенности получения полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов	84
4.1. Технология получения полупроводниковых структур	84
4.2. Технология получения светоизлучающего кристалла	95
4.3. Технология разделения пластин на кристаллы и сборки приборов	104

Г л а в а 5. Особенности конструирования полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов	108
5.1. Базовые конструкции	108
5.2. Физические основы конструирования свето-излучающих диодов
и многоэлементных индикаторов	110
5.3. Особенности конструирования цифро-знаковых индикаторов	119
5.4. Особенности конструирования модулей экрана	127
5.5. Особенности конструирования линейных шкал	130

Г л а в а 6. Перспективные полупроводниковые материалы в технологии
знакосинтезирующих индикаторов	132
6.1. Бинарные соединения	132
6.2. Трёхкомпонентные твёрдые растворы	139
6.3. Четырёхкомпонентные твёрдые растворы	144
6.4. Цветовые характеристики люминесценции в полупроводниковых
материалах и проблема космоцветных индикаторов	149

Г л а в а 7. Влияние дестабилизирующих факторов на параметры
полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов	153
7.1. Влияние изменений температуры окружающей среды	153
7.2. Физико-технологические принципы управления температурной
зависимостью излучательных характеристик индикаторов	161
7.3. Влияние деградационных явлений на излучательные характеристики
индикаторов	164
7.4. Радиационные эффекты в светоизлучающих приборах	171

Г л а в а 8. Оптимизация условий функционирования полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов	174
8.1. Основные характеристики и режимы функционирования	174
8.2. Оптимизация режимов функционирования	179

Г л а в а 9. Применение полупроводниковых знакосинтезирующих
индикаторов	185
9.1. Области применения	185
9.2. Схемы управления полупроводниковыми знакосинтезирующими
индикаторами	189
9.3. Проблемы интеграции знакосинтезирующих индикаторов со
схемами управления	198
9.4. Оптимизация эргономических характеристик ПЗСИ в системах
отображения информации	203

Заключение	210
Приложение 1. Основные свойства соединений A^IIIB^V	213
Приложение 2. Основные параметры и характеристики
полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов	215
Приложение 3. Относительная спектральная световая эффективность
(функция .видности) излучения для стандартного
фотометрического наблюдателя МКО	218
Приложение 4. Ординаты кривых сложения х(λ), у(λ), z(λ),
используемых при расчётах координат цветности в системе XYZ	218
Приложение 5. Координаты цветности монохроматических излучений в
системе XYZ (контур цветового графика МКО)	220
Приложение 6. Относительная спектральная плотность излучения Ф
стандартных источников света A, B, C и D₆₅	222
Список литературы	224
Предметный указатель	234

Книги на ту же тему

Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, Адирович Э. И., 1951
Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, Фок М. В., 1964
Основы кристаллохимии неорганических соединений, Кребс Г., 1971

elapsed time 0.017 sec

/Наука и Техника/Радиоэлектроника. Электротехника

ОГЛАВЛЕНИЕ

Книги на ту же тему