год издания — 1989, кол-во страниц — 264, ISBN — 5-02-014026-0, тираж — 2000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 240 гр., издательство — Физматлит

цена: 700.00 руб

Сохранность книги — хорошая

Р е ц е н з е н т
д-р ф.-м. наук В. М. Агранович

Формат 60x90 1/16. Бумага книжно-журнальная. Печать офсетная

Первый в мировой литературе монографический обзор явлений распада электронных возбуждений с рождением точечных дефектов в твёрдых телах. Для ионных кристаллов рассмотрены особенности электронных возбуждений, дефектов, излучательного и безызлучательного распада экситонов. Обсуждены механизмы действия запоминающих сред и критерии радиационной неустойчивости кристаллов.

Особенно подробно обсуждаются электронные возбуждения и радиационные дефекты в простейших модельных щёлочно-галоидных кристаллах; менее подробно — процессы радиационного дефектообразования в других неорганических системах.

Для научных работников, инженеров, аспирантов и преподавателей, специализирующихся в области физики твёрдого тела, люминесценции, радиационной физики диэлектриков и полупроводников, физики экситонов.

Табл. 19. Ил. 132. Библиогр. 562 назв.

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ	6

ПРЕДИСЛОВИЕ	7

Г л а в а 1. СОЗДАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ТВЁРДЫХ ТЕЛАХ	11

§ 1.1. Ударные механизмы создания радиационных дефектов в
кристаллах	11
§ 1.2. Создание радиационных дефектов при распаде электронных
возбуждений	13
§ 1.3. Возможные механизмы дефектообразования при распаде
электронных возбуждений	15

Г л а в а 2. ЩЁЛОЧНО-ГАЛОИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ	19

§ 2.1. Общие замечания	19
§ 2.2. Структура идеальных кристаллов	20
§ 2.3. Элементарные возбуждения кристаллов A^IB^VII	23
§ 2.4. Примесные ионы в ЩГК	25
§ 2.5. Методы выращивания ЩГК	27

Г л а в а 3. ИОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЩГК	31

§ 3.1. Колебательные спектры. Фононы	31
§ 3.2. Дефекты Френкеля и Шоттки	33
§ 3.3. Анионные френкелевские дефекты	36
§ 3.4. Катионные френкелевские дефекты	41

Г л а в а 4. ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЩГК	44

§ 4.1. Экспериментальное исследование электронных возбуждений в
кристаллах	44
§ 4.2. Собственные электронные возбуждения в ЩГК	48
§ 4.3. Зонная структура ЩГК	56
§ 4.4. Размножение электронных возбуждений в ЩГК	60
§ 4.5. Рентгеновские возбуждения. Катионные экситоны	67

Г л а в а 5. СВОБОДНЫЕ И АВТОЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ	69

§ 5.1. Автолокализация электронных возбуждений в твёрдых телах	69
§ 5.2. Автолокализованные дырки в ЩГК	71
§ 5.3. Движение автолокализованных и горячих дырок	74
§ 5.4. Автолокализованные экситоны	77
§ 5.5. Свободные экситоны в ЩГК	86
§ 5.6. Сосуществование свободных и автолокализованных экситонов
в ЩГК	95

Г л а в а 6. РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ СТАБИЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК	101

§ 6.1. Создание дефектов рентгеновской радиацией и электронами	101
§ 6.2. Создание дефектов ВУФ радиацией	105
§ 6.3. Низкотемпературное создание френкелевских дефектов ВУФ
радиацией	110
§ 6.4. Пространственная топография радиационного
дефектообразования	114

Г л а в а 7. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ТЕРМОАКТИВАЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ДЕФЕКТОВ В ЩГК	116

§ 7.1. Термоактивационная спектроскопия облученных кристаллов	116
§ 7.2. Термоактивационная спектроскопия радиационных дефектов
в ЩГК	124
§ 7.3. Излучательные и безызлучательные рекомбинации дефектов	131
§ 7.4. Распределение френкелевских пар по междефектным расстояниям	135

Г л а в а 8. КОРОТКОЖИВУЩИЕ ДЕФЕКТЫ	139

§ 8.1. Создание дефектов импульсными электронными пучками	139
§ 8.2. Создание дефектов пикосекундными лазерными импульсами	141
§ 8.3. Создание дефектов методом каскадного возбуждения	142

Г л а в а 9. *ЭКСИТОННЫЕ МЕХАНИЗМЫ СОЗДАНИЯ F, H-ПАР*	147

§ 9.1. Основные модели создания F, H-пар	147
§ 9.2. Вибронный механизм распада экситонов	150
§ 9.3. Диссоциативные механизмы	157
§ 9.4. Релаксационный механизм	161
§ 9.5. Экситонно-примесные механизмы	161

Г л а в а 10. ПЕРЕЗАРЯДКА ФРЕНКЕЛЕВСКИХ ПАР	164

§ 10.1. Возможные механизмы создания α, I-пар	164
§ 10.2. Туннельная перезарядка френкелевских пар	165
§ 10.3. Создание α, I-пар с участием вторичных e^-, e⁺, e^o	168
§ 10.4. Низкотемпературное движение горячих междоузельных ионов	172

Г л а в а 11. ОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ ПРИ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК	174

§ 11.1. Образование дефектов при фотостимулированной рекомбинации
электронов с автолокализованными дырками	174
§ 11.2. Обнаружение рекомбинационного создания F, H-пар методом ЭПР	175
§ 11.3. Особенности рекомбинационного механизма	177
§ 11.4. Температурная зависимость радиационного создания дефектов	178

Г л а в а 12. ДВА КАНАЛА БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНОГО РАСПАДА ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ	180

§ 12.1. Излучательный распад электронных возбуждений	180
§ 12.2. Безызлучательный распад электронных возбуждений с
тепловыделением	133
§ 12.3. Безызлучательный распад электронных возбуждений с рождением
дефектов	187
§ 12.4. Роль локальных колебаний при распаде электронных возбуждений
с рождением дефектов	189
§ 12.5. Ориентационные эффекты при радиационном создании дефектов	192

Г л а в а 13. РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ КАТИОННЫХ ДЕФЕКТОВ	196

§ 13.1. Радиационное создание катионных френкелевских дефектов	196
§ 13.2. Радиационное создание катионных вакансий и ионная проводимость	198
§ 13.3. Радиационное создание V_F-центров	199
§ 13.4. Поиск междоузельных катионов	200
§ 13.5. Трёхгалоидные центры окраски в ЩГК	201
§ 13.6. Механизмы создания катионных дефектов в ЩГК	205

Г л а в а 14. АССОЦИАЦИЯ ДЕФЕКТОВ И РАДИОЛИЗ	209

§ 14.1. Ассоциация H-центров. Дислокационные петли	209
§ 14.2. Ассоциация F-центров. Образование коллоидального металла	213
§ 14.3. Радиолиз и разрушение ЩГК с участием катионных и анионных
дефектов	216

Г л а в а 15. СОЗДАНИЕ ДЕФЕКТОВ С УЧАСТИЕМ ДОРАДИАЦИОННЫХ НАРУШЕНИЙ	218

§ 15.1. Радиационное дефектообразование с участием примесных
диполей M²⁺v_c^-	218
§ 15.2. Создание центров окраски с участием примесных ионов M⁺	220
§ 15.3. Радиационное создание активных центров для перестраиваемых
лазеров	223

Г л а в а 16. РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ ДЕФЕКТОВ В ТВЁРДЫХ ТЕЛАХ РАЗНЫХ КЛАССОВ	226

§ 16.1. Критерии радиационной неустойчивости широкощелевых
диэлектриков	226
§ 16.2. Особенности электронных возбуждений в твёрдых телах разных
классов	228
§ 16.3. Создание дефектов при больших мощностях облучения	233
§ 16.4. Распад электронных возбуждений с созданием и преобразованием
дефектов в полупроводниках	233

Г л а в а 17. ПРИМЕНЕНИЕ РАСПАДА ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ С РОЖДЕНИЕМ ДЕФЕКТОВ В ЗАПОМИНАЮЩИХ СРЕДАХ	236

§ 17.1. Радиационно-чувствительные запоминающие среды	236
§ 17.2. Запоминающие среды на основе галоидосодержащих
алюмосиликатов	237
§ 17.3. Сверхлинейные по мощности возбуждения эффекты памяти	239

ЗАКЛЮЧЕНИЕ	242

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ	246

Книги на ту же тему

Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
Теория ангармонических эффектов в кристаллах, Лейбфрид Г., Людвиг В., 1963
Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
Физика твёрдого тела: Атомная структура твёрдых тел, Жданов Г. С., ред., 1972
Физика твёрдого тела: Электронные свойства твёрдых тел, Жданов Г. С., ред., 1972
Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987
Физические основы прочности и пластичности (Введение в теорию дислокаций), Миркин Л. И., 1968
Континуальная теория дислокаций, Эшелби Д., 1963
Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
Высокотемпературная сверхпроводимость: Актуальные проблемы. Вып. 1, Киселёв А. А., ред., 1989
Диэлектрики и радиация: Кн. 7: Влияние трансмутантов на свойства керамических диэлектриков, Костюков Н. С., Астапова Е. С., Еремин И. Е., Демчук В. А., Щербакова Е. В., 2007
Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, Адирович Э. И., 1951
Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973

elapsed time 0.021 sec

/Наука и Техника/Физика

ОГЛАВЛЕНИЕ

Книги на ту же тему