| П р е д и с л о в и е | 7 |
| |
| Г л а в а 1. Электроны и дырки в полупроводнике | 13 |
| |
| § 1. «Порядок» и «беспорядок» в кристалле | 13 |
 А. Типы дефектов (13). Б. Свойства дефектов (15). |
| § 2. Электропроводность неметаллических кристаллов | 18 |
| А. Факторы, влияющие на проводимость (18). Б. Типы проводимости |
| (21). |
| § 3. Механизм электронной и дырочной проводимости | 22 |
| А. Свободные электроны, дырки и экситоны в решётке (22). |
| Б. Электронные и дырочные энергетические уровни (25). |
| § 4. Энергетический спектр электрона в бесконечной кристаллической |
| решётке | 28 |
| А. Постановка задачи (28). Б. Собственные функции и собственные |
| значения (31). В. Переход к трёхмерной решётке (34). |
| Г. Энергетический спектр дырки (36). |
| § 5. Энергетический спектр электрона в ограниченной кристаллической |
| решётке | 38 |
| А. Постановка задачи (38). Б. Собственные функдии и собственные |
| значения (40). В. Поверхностные уровни Тамма и Шокли (43). |
| § 6. Статистика электронов и дырок в полупроводнике | 45 |
| A. Функция распределения Ферми-Дирака (45). Б. Электронный |
| и дырочный полупроводники (48). B. Статистика локальных |
| состояний (50). Г. Определение положения уровня Ферми (52). |
| § 7. Пределы применимости зонной теории полупроводников | 55 |
| А. Характерные черты зонной теории (55). Б. Условия применимости |
| зонной теории (57). В. Понятие о валентной зоне (59). |
| |
| Г л а в а 2. Различные типы адсорбции | 62 |
| |
| § 8. Основные закономерности адсорбции | 62 |
| А. Основные предпосылки теории Ленгмюра (62). Б. Кинетика |
| адсорбции (64). В. Адсорбционное равновесие (66). |
| § 9. Физическая и химическая адсорбции | 69 |
| А. Различие между физической и химической адсорбцией (69). |
| Б. Вычисление адсорбционного минимума (71). В. Активированная |
| адсорбция (73). Г. Природа активационного барьера (75). |
| § 10. «Прочная» и «слабая» связи при хемосорбции | 79 |
| А. «Слабая», «прочная» донорная и «прочная» акцепторная формы |
| хемосорбции (79). Б. Различные формы хемосорбции на ионном |
| кристалле (82). В. Примеры (84). |
| § 11. Радикальные и валентно-насыщенные формы хемосорбции | 83 |
| А. Свободные валентности поверхности (88). Б. Реакционная |
| способность хемосорбированных частиц (91). В. Примеры |
| радикальных и валентно-насыщенных форм хемосорбции (92). |
| Г. Диссоциация молекулы при адсорбции (97). |
| § 12. Одноэлектронная связь при хемосорбции | 101 |
| А. Постановка задачи (101). Б. Собственные функции и собственные |
| значения (105). В. Поляризация хемосорбированного атома (108). |
| § 13. Двухэлектронная связь при хемосорбции | 111 |
| А. Постановка задачи (111). Б. Собственные функции и собственные |
| значения (115). В. Свободные электроны решётки как адсорбционные |
| центры (118). Г. Учёт «слабой» связи (120). |
| |
| Г л а в а 3. Электронные процессы на поверхности полупроводника |
| при хемосорбции | 122 |
| |
| § 14. Переходы между различными формами хемосорбции | 122 |
| А. Переходы между энергетическими уровнями (122). Б. Переходы |
| между адсорбционными кривыми (125). В. Равновесие различных форм |
| хемосорбции (128). Г. Понятие «электронных переходов» в теориях |
| хемосорбции (132). |
| § 15. Адсорбционное равновесие | 134 |
| А. Адсорбционная способность поверхности (134). Б. Заряжение |
| поверхности при адсорбции (137). |
| § 16. Кинетика адсорбции | 142 |
| А. Постановка задачи (142). Б. Адсорбция при постоянном |
| поверхностном потенциале. Общий случай (146). В. Адсорбция при |
| постоянном поверхностном потенциале. Частные случаи (149). |
| Г. Адсорбция при изменяющемся поверхностном потенциале (153). |
| § 17. Кинетика десорбции | 157 |
| А. Десорбция при соблюдающемся электронном равновесии (157). |
| Б. Нарушение электронного равновесия при десорбции (160). |
| В. Неполная десорбция (164). |
| § 18. Роль уровня Ферми в хемосорбции | 167 |
| А. Уровень Ферми как регулятор хемосорбционных свойств |
| поверхности (167). Б. Происхождение неленгмюровских |
| закономерностей (169). В. Приближения «теории граничного слоя» |
| (172). |
| |
| Г л а в а 4. Взаимодействие поверхности с объёмом полупроводника | 175 |
| |
| § 19. Связь между поверхностными и объёмными свойствами |
| полупроводника | 175 |
| А. Связь между положениями уровня Ферми на поверхности и |
| в объёме полупроводника (175). Б. Поверхностный потенциал (178). |
| В. Зависимость поверхностного потенциала от различных факторов |
| (183). |
| § 20. Эффекты, обусловленные заряжением поверхности | 186 |
| А. Влияние адсорбции на работу выхода (186). Б. Поверхностная |
| проводимость (191). В. Влияние внешнего поля и адсорбции на |
| проводимость (196). |
| § 21. «Квазиизолированная» поверхность | 201 |
| А. Понятие «квазиизолированной» поверхности (201). Б. Некоторые |
| свойства «квазиизолированной» поверхности (205). |
| § 22. Адсорбционные свойства заряженного полупроводника | 208 |
| А. Адсорбционная способность заряженного полупроводника (208). |
| Б. Влияние внешнего электрического поля на адсорбционную |
| способность полупроводника (212). В. Адсорбция ионов на |
| полупроводнике (216). |
| § 23. Влияние поверхности на распределение примеси внутри |
| полупроводника | 218 |
| A. Постановка задачи (218). Б. Распределение примеси в |
| приповерхностном слое полупроводника (221). B. Влияние примеси |
| на адсорбционную способность полупроводника (224). |
| Г. Необратимая адсорбция (228). |
| § 24. Полупроводниковая плёнка на металле. Дисперсные полупроводники | 234 |
| А. Ход потенциала в плёнке (234). Б. Адсорбционная способность |
| плёнки. Положительный поверхностный заряд (239). |
| В. Адсорбционная способность плёнки. Отрицательный поверхностный |
| заряд (244). Г. Адсорбционные свойства дисперсного |
| полупроводника (248). |
| |
| Г л а в а 5. Каталитическое действие полупроводника | 252 |
| |
| § 25. Основные понятия катализа | 252 |
| А. Полупроводники как катализаторы химических реакций (252). |
| Б. Активность и селективность катализатора (254). В. Энергия |
| активации реакции (257). Г. Электронная теория катализа (259). |
| § 26. Роль уровня Ферми в катализе | 262 |
| А. Радикальные механизмы гетерогенных реакций (262). |
| Б. Акцепторные и донорные реакции (267). В. Коллективные |
| и локальные эффекты в катализе (271). |
| § 27. Электронные механизмы каталитических реакций | 274 |
| А. Окисление водорода (274). Б. Разложение спирта (277). |
| В. Окисление окиси углерода (284). Г. Дейтеро-водородный обмен |
| (290). |
| § 28. Связь между работой выхода, электропроводностью |
| и каталитической активностью | 295 |
| А. Происхождение связи между работой выхода, электропроводностью |
| и активностью (295). Б. Экспериментальные данные по связи работы |
| выхода и электропроводности с каталитической активностью (300). |
| В. Изменения работы выхода и электропроводности в процессе |
| реакции (304). |
| § 29. Влияние различных факторов на каталитическую активность | 308 |
| А. Влияние внешнего электрического поля (308). Б. Каталитические |
| свойства полупроводниковой плёнки на металле (310). В. Механизм |
| влияния примесей (314). Г. Экспериментальные данные по влиянию |
| примесей (319). Д. Компенсационный эффект (325). |
| |
| Г л а в а 6. Процессы на реальной поверхности | 331 |
| |
| § 30. Роль в адсорбции структурных дефектов поверхности | 331 |
| А. Адсорбция при неравномерном распределении дефектов |
| на поверхности (331). Б. Адсорбция на структурном дефекте (334). |
| § 31. Адсорбция на поверхности с переменным числом адсорбционных |
| центров | 339 |
| А. Особенности адсорбции, обусловленные «тепловым беспорядком» |
| на поверхности кристалла (339). Б. Адсорбция на локализованном |
| электроне (343). |
| § 32. «Эффект памяти» у полупроводников при фотоадсорбции | 349 |
| А. Фотоадсорбционный эффект (349). Б. Изменение концентрации |
| адсорбционных центров под влиянием облучения (353). В. Адсорбция |
| после предварительного облучения (358). Г. Эффект последействия |
| (364). |
| § 33. Концепции «неоднородной поверхности» и «взаимодействия» |
| в теориях адсорбции | 370 |
| А. Понятие «неоднородной поверхности» (370). Б. Понятие |
| «взаимодействия» (375). |
| § 34. О физическом смысле «функции распределения» в теории |
| адсорбции на неоднородных поверхностях | 378 |
| А. Неоднородность, обусловленная неравномерным распределением |
| примеси (378). Б. Связь между градиентом концентрации примеси |
| и «функцией распределения» по теплотам адсорбции (381). |
| В. Примеры (384). |
| |
| З а к л юч е н и е | 388 |
| А. Основные положения электронной теории хемосорбции (388). |
| Б. Электронная теория хемосорбции и эксперимент (389). |
| |
| Л и т е р а т у р а | 392 |
