t.me/OB4UHHUKOB Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время21.01.21 04:50:48
На обложку
Художественный образ и декоративность в искусстве Азии и…авторы — Кильчевская Э. В., ред.
Создание отечественной радиолокации: Научные труды, мемуары,…авторы — Кобзарев Ю. Б.
Советские подводные лодки в Великой Отечественной войнеавторы — Емельянов Л. А.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Плазменная технология в производстве СБИС — Айнспрук Н., Браун Д., ред.
Плазменная технология в производстве СБИС
Айнспрук Н., Браун Д., ред.
год издания — 1987, кол-во страниц — 471, тираж — 6250, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 590 гр., издательство — Мир
КНИГА СНЯТА С ПРОДАЖИ
Сохранность книги — хорошая

VLSI Electronics
Microstructure Science

Volume 8
Plasma Processing for VLSI

Edited by
Norman G. Einspruch
College of Engineering
University of Miami
Coral Gables, Florida


Dale M. Brawn
General Electric Company
Corporate Research and Development
Schenectady, New York

ACADEMIC PRESS 1984


Пер. с англ. с сокращ. к-та тех. наук Ю. М. Золотарёва и к-та ф.-м. наук В. В. Юдина

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая
ключевые слова — осажден, литограф, травлен, ионно-плазмен, поверхност, распылительн, силицид, кремниев, трёхслойн, субмикрон, ионно-лучев, бомбардировк, фторобразующ, фторуглерод, плёнк, плёнок

Монография ведущих специалистов США и Японии, в которой рассмотрены вопросы физики, химии и технологии применения плазменной обработки в производстве СБИС. Книга является своеобразной энциклопедией по физике и химии процессов осаждения, литографии и травления с применением ионно-плазменных методов.

Для специалистов в областях физической электроники, физики плазмы и технологии изготовления изделий микроэлектроники, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.


Предлагаемая вниманию советского читателя книга представляет собой перевод коллективной монографии, выпущенной в серии «Электроника СБИС. Наука о микроструктурах». Монография отражает последние достижения быстроразвивающейся технологии плазменной обработки, которая находит всё более широкое применение в промышленной микроэлектронике. Книга написана ведущими специалистами известных фирм, исследовательских центров и университетов США и Японии и обобщает опыт, накопленный в исследовании, применении и развитии плазменной технологии в производстве СБИС. Существенным достоинством книги является то, что она охватывает практически все процессы производства СБИС — осаждение, литографию и травление — и может служить своеобразной энциклопедией химии и физики процессов, связанных с использованием плазменной технологии. На русском языке аналогичная монография отсутствует, имеются лишь работы, посвящённые отдельным проблемам.

Материал книги условно можно разделить на три части. В первой части на основе анализа результатов, главным образом электронно-микроскопических и оже-спектроскопических исследований рассматриваются свойства одно- и многокомпонентных металлических и диэлектрических покрытий, получаемых в распылительных системах различных типов. Определяются оптимальные условия создания путём стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы высококачественных плёнок переходных металлов и их силицидов, а также диэлектриков, имеющих кремниевую основу. Рассматриваются механизмы соответствующих процессов.

Во второй части обсуждаются особенности технологии трёхслойных резистов, сопряжённые вопросы применения, в частности рентгеновского и ультрафиолетового излучения для субмикронной литографии, перспективы использования трёхслойных резистов. Третья часть посвящена многочисленным проблемам сухого травления применительно, главным образом, к производству кремниевых устройств. Это проблемы, связанные с травлением при высоком давлении рабочего газа, с реактивным ионным травлением, ионно-лучевым травлением, реактивным ионно-лучевым травлением, а также с другими, пока только развивающимися методами травления. Обсуждаются теоретические основы и механизмы упомянутых способов травления, методы анализа процесса травления.

Достоинством монографии наряду с упомянутыми выше является и то, что в ней прослеживается и подчёркивается взаимосвязь прогресса технологии плазменной обработки материалов с развитием фундаментальных исследований процессов, лежащих в основе ионно-плазменных методов (имеются в виду физика и химия процессов, протекающих собственно в плазме и при взаимодействии атомных частиц и различного вида излучений с поверхностями твёрдых тел). В этой связи необходимо отметить, что проведённый в последние годы анализ экспериментальных и теоретических исследований физического (столкновительного) распыления одно- и многокомпонентных материалов, изменения структуры поверхности под действием ионной бомбардировки, химического распыления, процессов создания и отжига радиационных нарушений, аморфизации и перекристаллизации аморфных слоёв под действием ионной бомбардировки и лазерного излучения способствовал совершенствованию технологии ионно-плазменной обработки материалов. Так, начаты интенсивные экспериментальные исследования, а также исследования с помощью ЭВМ угловой зависимости коэффициентов распыления твёрдых тел в широком диапазоне углов падения (вплоть до скользящего падения), энергетических распределений распылённых частиц — атомов и кластеров, пространственных распределений распылённого вещества, т. е. исследования именно тех закономерностей, которые в большой степени определяют качество профиля топологических элементов СБИС при использовании ионо-плазменной технологии…

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА
Е. С. Машкова

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора перевода5
Предисловие8
 
Глава 1. История развития плазменной обработки. Д. Л. Толливер10
 
1.1. Введение10
1.2. Начальная стадия развития10
1.3. Внедрение плазменной обработки в полупроводниковое производство
(1971—1978 гг.)13
1.4. Освоение технологии сухой обработки в 1978—1983 гг.20
1.5. Проблемы и возможности плазменной технологии в 1983—1988 гг.26
Литература32
 
Глава 2. Физическое распыление при изготовлении СБИС. Р. С. Новицки33
 
2.1. Введение33
2.2. Металлизирующее контактное покрытие34
2.3. Диффузионный барьер36
2.4. Металлизация для диодов Шоттки40
2.5. Осаждение алюминиевого сплава методом совместного распыления41
2.6. Силициды тугоплавких металлов для металлизации затвора43
2.7. Влияние смещения и давления на напряжения в плёнке47
2.8. Осаждение диэлектрических плёнок50
2.9. Присоединение кристалла53
2.10. Заключение и направление дальнейших работ54
Литература57
 
Глава 3. Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы плёнок
переходных металлов и их силицидов. Д. У. Хесс59
 
3.1. Введение59
3.2. Стимулированное плазмой осаждение60
3.3. Заключение70
Литература71
 
Глава 4. Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы
диэлектрических плёнок. Т. Горчика, Б. Горовитц73
 
4.1. Введение73
4.2. Общие принципы стимулированного плазмой осаждения диэлектриков75
4.3. Осаждение некоторых специальных материалов80
4.4. Заключение92
Литература92
 
Глава 5. Трёхслойный резист. Дж. Б. Крюгер, М. М. О'Тул, П. Риссмен94
 
5.1. Введение94
5.2. Плазменная обработка98
5.3. Ограничения, связанные с использованием однослойного резиста100
5.4. Формирование маски для травления110
5.5. Применение масок129
5.6. Двухслойные системы резистов134
5.7. Заключение136
Литература138
 
Глава 6. Основные принципы применения плазменного травления для
изготовления кремниевых приборов. Д. Л. Флэм, В. М. Донелли,
Д. Э. Ибботсон140
 
6.1. Введение140
6.2. Принципы изотропного и анизотропного травления154
6.3. Химические процессы в плазме и на поверхности163
6.4. Селективность при плазменном травлении167
6.5. Травление во фторобразующей плазме171
6.6. Травление органических материалов в кислородной плазме184
6.7. Травление в плазме, образующей фторуглеродные радикалы187
6.8. Травление в плазме, содержащей атомы хлора и брома191
6.9. Травление в водородной плазме200
Литература201
 
Глава 7. Травление при высоком давлении. Д. Л. Смит207
 
7.1. Введение207
7.2. Оборудование213
7.3. Свойства плазмы219
7.4. Обработка специальных материалов240
7.5. Заключение249
Литература250
 
Глава 8. Реактивное ионное травление. Б. Горовитц, Р. Дж. Сайа253
 
8.1. Введение253
8.2. Общие принципы реактивного ионного травления254
8.3. Параметры процесса и их роль258
8.4. Травление некоторых специальных материалов и структур264
8 5. Оборудование287
8.6. Заключение292
Литература293
 
Глава 9. Ионно-лучевое травление. Р. Э. Ли297
 
9.1. Введение297
9.2. Физика ионно-лучевого травления300
9.3. Характеристики ионно-лучевого травления309
9.4. Области применения ИЛТ316
9.5. Оборудование для ионно-лучевого травления319
9.6. Заключение320
Литература320
 
Глава 10. Реактивное ионно-лучевое травление. Б. А. Хит, Т. М. Мейер322
 
10.1. Введение322
10.2. Ионные источники325
10.3. Применение реактивного ионно-лучевого травления334
10.4. Физико-химические основы травления354
10.5. Заключение364
Литература365
 
Глава 11. Диагностика плазмы и определение момента окончания
процесса травления. У. Р. Харшбарджер367
 
11.1. Введение367
11.2. Методы измерений369
11.3. Параметры плазмы385
11.4. Определение момента окончания процесса травления390
11.5. Заключение398
Литература399
 
Глава 12. Развивающиеся методы травления. И. Хориике402
 
12.1. Введение402
12.2. Высокоскоростное РИТ с использованием магнетронного разряда403
12.3. Пробой подзатворного оксида419
12.4. Травление атомными и молекулярными пучками424
12.5. Травление под действием УФ-облучения429
Литература439
 
Глава 13. Новые структуры, изготовленные с помощью сухого
анизотропного травления. Т. П. Чоу442
 
13.1. Введение442
13.2. Основные положения443
13.3. Компоненты приборов445
13.4. Применение компонентов456
13.5. Заключение461
Литература461
 
Предметный указатель463

Книги на ту же тему

  1. Плазменные ускорители и ионные инжекторы, Козлов Н. П., Морозов А. И., ред., 1984
  2. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий, Яфаров Р. К., 2009
  3. Кинетика и термодинамика химических реакций в низкотемпературной плазме, Полак Л. С., ред., 1965
  4. Химия плазмы. Вып. 10, Смирнов Б. М., ред., 1983
  5. Физика плазмы (стационарные процессы в частично ионизованном газе): Учебное пособие для вузов, Синкевич О. А., Стаханов И. П., 1991
  6. Вакуумно-плазменное и плазменно-растворное модифицирование полимерных материалов, Кутепов A. M., Захаров А. Г., Максимов А. И., 2004
  7. Нанотехнологии в микроэлектронике, Агеев О. А., Коноплёв Б. Г., ред., 2019
  8. Плазменные и высокочастотные процессы получения и обработки материалов в ядерном топливном цикле: настоящее и будущее, Туманов Ю. Н., 2003
  9. Введение в физику поверхности, Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М., 2006
  10. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
  11. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  12. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  13. Химическая физика поверхности твёрдого тела, Моррисон С., 1980
  14. Методы анализа поверхностей, Зандерна А. В., ред., 1979
  15. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твёрдого тела, Экштайн В., 1995
  16. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
  17. Массоперенос в тонких плёнках, Колешко В. М., Белицкий В. Ф., 1980
  18. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение, Метфессель С., 1963
  19. Неразрушающий контроль параметров тонких проводящих плёнок электромагнитными методами, Гаврилин В. В., 1991
  20. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике, Бериш Р., Виттмак К., Легрейд Н., Мак-Кланахан Э., Сандквист Б., Хауффе В., Хофер В., Ю М., 1998
  21. Методы элементоорганической химии. Кремний, Андрианов К. А., 1968

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.031 secработаем на движке KINETIX :)