Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время22.05.24 02:32:51
На обложку
Сверхвысокочастотный пробой в газахавторы — Мак-Доналд А.
Химическая термодинамика к курсу общей химииавторы — Зайцев О. С.
Самолёты Японии второй мировой войныавторы — Дорошкевич О. В.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
В ВЕСЕННЕ-ЛЕТНЕ-ОСЕННЕЕ ВРЕМЯ ВОЗМОЖНЫ И НЕМИНУЕМЫ ЗАДЕРЖКИ ПРИ ОБРАБОТКЕ ЗАКАЗОВ
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Радиоэлектроника. Электротехника

Арсенид галлия в микроэлектронике — Айнспрук Н., Уиссмен У., ред.
Арсенид галлия в микроэлектронике
Научное издание
Айнспрук Н., Уиссмен У., ред.
год издания — 1988, кол-во страниц — 555, ISBN — 5-03-000130-1, 0-12-234111-2, тираж — 4600, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 650 гр., издательство — Мир
цена: 1000.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

VLSI Electronics
Microstructure Science
Volume 11

GaAs Microelectronics

Edited by
Norman G. Einspruch
College of Engineering
University of Miami
Coral Gables, Florida


William R. Wisseman
Texas Instruments Incorporated
Dallas, Texas


ACADEMIC PRESS, INC.
1985


Пер. с англ. А. Б. Данилина, Ю. Н. Ерохина, Б. Г. Налбандова, Б. Л. Эйдельмана

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая
ключевые слова — арсенид, галл, микроэлектрон, vlsi, сбис, gaas, подложк, шоттк, мдп-транзистор, полупроводник, эпитаксиал, гетеропереход, гетероструктур

В монографии, написанной американскими и японскими специалистами, подробно рассмотрены вопросы физики, разработки и технологии изготовления арсенидгаллиевых интегральных схем, обладающих высоким быстродействием, высокой стойкостью к воздействию радиации и высоких температур.

Для специалистов в области технологии изделий микроэлектроники, а также студентов старших курсов соответствующих специальностей.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора перевода5
Предисловие7
 
Глава 1. Перспективы развития технологии и изготовления ИС
на основе GaAs. У. Уиссмен, У. Френсли9
 
1.1. Введение9
1.2. История развития технологии изготовления приборов на GaAs11
1.3. Свойства GaAs и других материалов типа AIIIBV20
1 4. Приборные структуры, предназначенные для использования в ИС32
1.5. Новые материалы и приборы46
1.6. Заключение47
 
Глава 2. Изготовление GaAs и его свойства. У. Дункан, Дж. Уестфел54
 
2.1. Введение54
2.2. Выращивание монокристаллов GaAs55
2.3. Прямая ионная имплантация65
2.4. Свойства подложки и активного слоя85
 
Глава 3. Границы раздела и приборы. Р. Бауэр, Т. Мак-Джил104
 
3.1. Введение104
3.2. Электрические свойства границ раздела106
3.3. Структура границ раздела113
3.4. Воспроизводимость и стабильность122
3.5. Заключение123
 
Глава 4. Ограничения, накладываемые границами раздела,
на архитектуру полевых транзисторов с затворами Шоттки
и МДП-транзисторов. Г. Вайдер130
 
4.1. Введение130
4.2. Модели полевых транзисторов131
4.3. Поверхности и границы раздела135
4.4. Границы раздела металл-полупроводник136
4.5. Химические реакции между металлами и полупроводниковыми
соединениями AIIIBV138
4.6. Барьеры Шоттки к GaAs140
4.7. Граница раздела канал-подложка151
4.8. Омические контакты162
4.9. Граница раздела между диэлектриками и полупроводниковыми
соединениями AIIIBV167
4.10. Поверхностные и межфазные свойства тройных и четверных
полупроводниковых соединений AIIIBV196
4.11. Нестабильность характеристик полевых МДП-транзисторов201
4.12. Заключение203
 
Глава 5. Интегральные схемы СВЧ-диапазона на GaAs. Д. Р. Декер216
 
5.1. Обзор ИС СВЧ-диапазона на GaAs216
5.2. Основы технологии изготовления устройств СВЧ на GaAs221
5.3. Принципы разработки ИС СВЧ на GaAs228
5.4. Технологические процессы изготовления ИС СВЧ на GaAs241
5.5. Примеры изготовления различных ИС СВЧ251
5.6. Применение ИС СВЧ259
5.7. Заключение264
 
Глава 6. Перспективы использования цифровых ИС на GaAs.
П. Грейлинг, К. Крумм270
 
6.1. Введение270
6.2. Приборы и схемы на GaAs с высоким быстродействием271
6.3. Ограничения, накладываемые на логические вентили большими ИС278
6.4. Влияние проектных норм на быстродействие282
6.5. Технология изготовления цифровых ИС на GaAs292
6.6. Сравнение технологий изготовления быстродействующих цифровых ИСЗ09
 
Глава 7. Цифровые ИС на биполярных транзисторах на GaAs.
X. Ян, У. Маклевидж, X. Ши314
 
7.1. Разработка биполярных приборов на GaAs314
7.2. Изготовление эпитаксиальных плёнок GaAs и AlGaAs317
7.3. Биполярные транзисторы с гетеропереходами на GaAs327
7.4. Технология производства матриц логических элементов
на биполярных гетероструктурах338
7.5. Заключение357
 
Глава 8. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор:
материалы, приборы и схемы. Р. Дингл, М. Фьюэр, Ч. Ту360
 
8.1. Введение360
8.2. Требования к материалам для СЛГТ368
8.3. Дискретные приборы381
8.4. Использование СЛГТ в ИС401
8.5. Заключение409
 
Глава 9. Монтаж и корпусирование цифровых интегральных схем
на GaAs. Б. К. Гильберт416
 
9.1. Введение416
9.2. Цифровые ИС на GaAs для процессоров обработки сигналов418
9.3. Проектирование цифровых схем на GaAs420
9.4. Корпусирование и проблемы межсоединений высокочастотных
цифровых ИС на GaAs427
9.5. Влияние индуктивности шин питания и земли на уровень шума
устройств458
 
Глава 10. Технология СБИС на GaAs для быстродействующих ЭВМ.
М. Абэ, Т. Мимура, К. Нишиучи, Н. Ёкояма464
 
10.1. Введение464
10.2. Приборы на GaAs для быстродействующих СБИС466
10.3. Технология изготовления ПТШ с самосовмещённым затвором
на GaAs для СБИС469
10.4. Технология изготовления ТВПЭ для СБИС481
10.5. Применение СБИС на GaAs в быстродействующих ЭВМ494
10.6. Заключение497
 
Глава 11. Радиационные эффекты в ИС на GaAs. Р. Зулиг500
 
11.1. Введение500
11.2. Механизмы нарушения501
11.3. Деградация приборных характеристик при облучении быстрыми
нейтронами508
11.4. Эффекты суммарной дозы ионизирующей радиации506
11.5. Переходные процессы, возникающие под действием импульсов
ионизирующей радиации519
11 6. Моделирование отказов логических ИС на GaAs525
11.7. Одиночные случайные отказы530
11.8. Характеристики отжига дефектов537
11.9. Перспективы создания радиационно-стойких ИС на GaAs542
 
Предметно-именной указатель548

Книги на ту же тему

  1. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
  2. Волноводная оптоэлектроника, Тамир Т., ред., 1991
  3. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, Маделунг О., 1967
  4. Логическое проектирование СБИС, Киносита К., Асада К., Карацу О., 1988
  5. Плазменная технология в производстве СБИС, Айнспрук Н., Браун Д., ред., 1987

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.016 secработаем на движке KINETIX :)