Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время10.11.24 02:56:04
На обложку
Египет и египтяне. — 3-е изд., перераб. и доп.авторы — Васильев А. М.
Диагностические и тактические ошибки при остром аппендицитеавторы — Ротков И. Л.
Среди кочевников Северной Австралииавторы — Чеслинг У.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
В ВЕСЕННЕ-ЛЕТНЕ-ОСЕННЕЕ ВРЕМЯ ВОЗМОЖНЫ И НЕМИНУЕМЫ ЗАДЕРЖКИ ПРИ ОБРАБОТКЕ ЗАКАЗОВ
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение — Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред.
Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред.
год издания — 1973, кол-во страниц — 472, тираж — 3500, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 550 гр., издательство — Физматлит
серия — Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
цена: 899.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Формат 84x108 1/32
ключевые слова — полупроводник, арсенид, галл, дырочн

На основе обобщения литературных данных и результатов, полученных самими авторами, дано описание зонной структуры и основных физических свойств одного из интереснейших полупроводниковых кристаллов — арсенида галия. Рассмотрена технология получения кристаллов и электронно-дырочных переходов на их основе.

Табл. 28, рис. 209, библ. 1199 назв.

Книги на ту же тему

  1. Арсенид галлия в микроэлектронике, Айнспрук Н., Уиссмен У., ред., 1988
  2. Волноводная оптоэлектроника, Тамир Т., ред., 1991
  3. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, Маделунг О., 1967
  4. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
  5. Сложные алмазоподобные полупроводники, Горюнова Н. А., 1968
  6. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  7. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория, Ланно М., Бургуэн Ж., 1984
  8. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
  9. Квантовые процессы в полупроводниках, Ридли Б., 1986
  10. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  11. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
  12. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  13. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
  14. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
  15. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  16. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
  17. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  18. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.021 secработаем на движке KINETIX :)