Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время24.01.22 01:09:37
На обложку
Введение в диаграммную технику Фейнманаавторы — Биленький С. М.
В Индийском океане. Очерки истории пиратства в Индийском…авторы — Можейко И. В.
Амазонский дельфинавторы — Соколов В. Е., ред.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках — Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г.
Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках
Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г.
год издания — 1984, кол-во страниц — 288, тираж — 5000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 360 гр., издательство — Физматлит
цена: 599.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая
ключевые слова — гальваномагнит, термомагнит, полупроводник, квазичастиц, неравновесн, кинетическ, фонон, плёнок, кинетик, квазиупруг, теплопроводн, нернста-эттингсгаузен, вольтамперн, невзаимност, неомичност, холл, лерегревн

Книга посвящена изложению современных представлений о гальвано- и термомагнитных явлениях в полупроводниках конечных размеров, основанных на предположении, что полупроводник состоит из нескольких подсистем квазичастиц, каждая из кото!рых во внешних температурных и электрических полях характеризуется своей температурой.

Детально рассмотрено влияние границ и энергетической и импульсной неравновесности квазичастиц на кинетические явления как при однозначной, так и многозначной связи температур и внешних полей.

Книга рассчитана на научных работников и студентов — физиков, а также на разработчиков электронной аппаратуры, интересующихся явлениями переноса в полупроводниках.

Табл. 4, рис. 69, библ. 270 назв.


Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках привлекают внимание многочисленных исследователей, как экспериментаторов, так и теоретиков, в течение многих лет. Это связано с тем, что с помощью гальваномагнитных и термомагнитных явлений можно определить ряд важных параметров полупроводников; на основе этих эффектов действуют многие приборы.

Гальвано- и термомагнитным эффектам посвящена многочисленная литература, в которой, однако, эти явления освещены недостаточно полно. Более того, можно считать, что ряд существенных результатов был получен лишь в самое последнее время.

Настоящая монография по замыслу авторов призвана осветить современное состояние вопроса. В ней впервые излагается теория гальваномагнитных и термомагпитных явлений с последовательным учётом взаимодействия электронов с неравновесной фононной системой, а также конечности размеров образца.

Как показано в монографии, первый фактор важен почти всегда и может существенно изменить результаты, которые принято считать классическими. Второй фактор — учёт границ — является определяющим, в первую очередь для тонких полупроводниковых плёнок, однако может сказаться и на явлениях в макроскопических образцах. Наряду с литературными данными монография содержит изложение многолетних исследований авторов, проведённых в Институте радиофизики и электроники АН УССР и на кафедрах теоретической и экспериментальной физики и металлофизики Харьковского политехнического института им. В. И. Ленина…

ПРЕДИСЛОВИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие4
Введение5
Г л а в а   I.  Кинетика носителей тока и фононов в температурных и
электрических полях21
§ 1. Кинетические уравнения. Уравнения Максвелла21
§ 2. Квазиупругое рассеяние. Температурное приближение24
§ 3. Сильное межфононное взаимодействие34
§ 4. Сильное фонон-электронное взаимодействие41
§ 5. Граничные условия55
Г л а в а   II.  Термомагнитные эффекты в ограниченных образцах62
§ 6. Теплопроводность в изотропных средах62
§ 7. Явления теплопроводности в анизотропных (гиротропных)
    средах83
§ 8. Температурные поля в слабых магнитных полях92
§ 9. Температурные поля в произвольных (классических)
    магнитных полях109
§ 10. Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена117
Г л а в а   III.  Нелинейные вольтамперные характеристики (ВАХ) и
гальваномагнитные эффекты ограниченных полупроводников124
§ 11. Классификация механизмов релаксации и типы ВАХ124
§ 12. Тепловые размерные эффекты (ТРЭ). Сортировка электронов
    по энергиям в магнитном поле132
§ 13. Эффект невзаимности146
§ 14. Коэффициент неомичности тонких образцов153
§ 15. ТРЭ в поперечном магнитном поле при замкнутых
    холловских контактах167
§ 16. Размерный эффект Холла173
§ 17. Тепловые размерные эффекты в сильных электрических
    полях (продольное магнитное поле)177
§18. Тепловые размерные эффекты ов сильных электрических
    полях (поперечное магнитное поле)189
§ 19. Гальваномагнитные эффекты при сильном фонон-электронном
    взаимодействии197
§ 20. Гальваномагнитные эффекты при сильном фонон-фононном
    взаимодействии208
§ 21. Охлаждение электронов статическим электрическим полем223
Г л а в а   IV.  Многозначные вольтамперные характеристики229
§ 22. Лерегревные механизмы в тонких пластинах229
§ 23. Многозначные однородные решения уравнения баланса и их
    устойчивость232
§ 24. Неоднородные стационарные решения и их устойчивость236
§ 25. ВАХ ограниченных полупроводников244
§ 26. Классификация решений и их устойчивость при наличии
    поверхностных механизмов релаксации энергии247
§ 27. ВАХ при наличии поверхностных механизмов256
§ 28. Влияние магнитного поля на S-образные ВАХ259
§ 29. Разрывы тока на S-образной ВАХ266
§ 30. Равновесные фононы в электрических полях270
Приложения I — VI274
Литература281

Книги на ту же тему

  1. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
  2. Волны и взаимодействия в плазме твёрдого тела, Платцман Ф., Вольф П., 1975
  3. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  4. Физики о физике. Сверхпроводимость, Ройзен И. И., сост., 1975
  5. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
  6. Электронные свойства двумерных систем, Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф., 1985
  7. Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
  8. Экспериментальные методы исследования энергетических спектров электронов и фононов в металлах (физические основы), Брандт Н. Б., Чудинов С. М., 1983
  9. Физика фононов больших энергий, 1976
  10. Метод Монте-Карло в физике полупроводников, Реклайтис А. С., Мицкявичюс Р. В., 1988
  11. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
  12. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  13. Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
  14. Теория ангармонических эффектов в кристаллах, Лейбфрид Г., Людвиг В., 1963
  15. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
  16. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  17. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  18. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
  19. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  20. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  21. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики: Динамика решётки, Блинц Р., Жекш Б., 1975
  22. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
  23. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  24. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, Цэндин К. Д., ред., 1996
  25. Физические основы квантовой электроники (оптический диапазон), Тарасов Л. В., 1976
  26. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
  27. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987
  28. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение, Метфессель С., 1963

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.047 secработаем на движке KINETIX :)