КнигоПровод.Ru30.05.2020

/Наука и Техника/Физика

Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках — Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г.
Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках
Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г.
год издания — 1984, кол-во страниц — 288, тираж — 5000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 360 гр., издательство — Физматлит
цена: 599.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая
ключевые слова — гальваномагнит, термомагнит, полупроводник, квазичастиц, неравновесн, кинетическ, фонон, плёнок, кинетик, квазиупруг, теплопроводн, нернста-эттингсгаузен, вольтамперн, невзаимност, неомичност, холл, лерегревн

Книга посвящена изложению современных представлений о гальвано- и термомагнитных явлениях в полупроводниках конечных размеров, основанных на предположении, что полупроводник состоит из нескольких подсистем квазичастиц, каждая из кото!рых во внешних температурных и электрических полях характеризуется своей температурой.

Детально рассмотрено влияние границ и энергетической и импульсной неравновесности квазичастиц на кинетические явления как при однозначной, так и многозначной связи температур и внешних полей.

Книга рассчитана на научных работников и студентов — физиков, а также на разработчиков электронной аппаратуры, интересующихся явлениями переноса в полупроводниках.

Табл. 4, рис. 69, библ. 270 назв.


Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках привлекают внимание многочисленных исследователей, как экспериментаторов, так и теоретиков, в течение многих лет. Это связано с тем, что с помощью гальваномагнитных и термомагнитных явлений можно определить ряд важных параметров полупроводников; на основе этих эффектов действуют многие приборы.

Гальвано- и термомагнитным эффектам посвящена многочисленная литература, в которой, однако, эти явления освещены недостаточно полно. Более того, можно считать, что ряд существенных результатов был получен лишь в самое последнее время.

Настоящая монография по замыслу авторов призвана осветить современное состояние вопроса. В ней впервые излагается теория гальваномагнитных и термомагпитных явлений с последовательным учётом взаимодействия электронов с неравновесной фононной системой, а также конечности размеров образца.

Как показано в монографии, первый фактор важен почти всегда и может существенно изменить результаты, которые принято считать классическими. Второй фактор — учёт границ — является определяющим, в первую очередь для тонких полупроводниковых плёнок, однако может сказаться и на явлениях в макроскопических образцах. Наряду с литературными данными монография содержит изложение многолетних исследований авторов, проведённых в Институте радиофизики и электроники АН УССР и на кафедрах теоретической и экспериментальной физики и металлофизики Харьковского политехнического института им. В. И. Ленина…

ПРЕДИСЛОВИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие4
Введение5
Г л а в а   I.  Кинетика носителей тока и фононов в температурных и
электрических полях21
§ 1. Кинетические уравнения. Уравнения Максвелла21
§ 2. Квазиупругое рассеяние. Температурное приближение24
§ 3. Сильное межфононное взаимодействие34
§ 4. Сильное фонон-электронное взаимодействие41
§ 5. Граничные условия55
Г л а в а   II.  Термомагнитные эффекты в ограниченных образцах62
§ 6. Теплопроводность в изотропных средах62
§ 7. Явления теплопроводности в анизотропных (гиротропных)
    средах83
§ 8. Температурные поля в слабых магнитных полях92
§ 9. Температурные поля в произвольных (классических)
    магнитных полях109
§ 10. Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена117
Г л а в а   III.  Нелинейные вольтамперные характеристики (ВАХ) и
гальваномагнитные эффекты ограниченных полупроводников124
§ 11. Классификация механизмов релаксации и типы ВАХ124
§ 12. Тепловые размерные эффекты (ТРЭ). Сортировка электронов
    по энергиям в магнитном поле132
§ 13. Эффект невзаимности146
§ 14. Коэффициент неомичности тонких образцов153
§ 15. ТРЭ в поперечном магнитном поле при замкнутых
    холловских контактах167
§ 16. Размерный эффект Холла173
§ 17. Тепловые размерные эффекты в сильных электрических
    полях (продольное магнитное поле)177
§18. Тепловые размерные эффекты ов сильных электрических
    полях (поперечное магнитное поле)189
§ 19. Гальваномагнитные эффекты при сильном фонон-электронном
    взаимодействии197
§ 20. Гальваномагнитные эффекты при сильном фонон-фононном
    взаимодействии208
§ 21. Охлаждение электронов статическим электрическим полем223
Г л а в а   IV.  Многозначные вольтамперные характеристики229
§ 22. Лерегревные механизмы в тонких пластинах229
§ 23. Многозначные однородные решения уравнения баланса и их
    устойчивость232
§ 24. Неоднородные стационарные решения и их устойчивость236
§ 25. ВАХ ограниченных полупроводников244
§ 26. Классификация решений и их устойчивость при наличии
    поверхностных механизмов релаксации энергии247
§ 27. ВАХ при наличии поверхностных механизмов256
§ 28. Влияние магнитного поля на S-образные ВАХ259
§ 29. Разрывы тока на S-образной ВАХ266
§ 30. Равновесные фононы в электрических полях270
Приложения I — VI274
Литература281

Книги на ту же тему

  1. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  2. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
  3. Волны и взаимодействия в плазме твёрдого тела, Платцман Ф., Вольф П., 1975
  4. Физики о физике. Сверхпроводимость, Ройзен И. И., сост., 1975
  5. Метод Монте-Карло в физике полупроводников, Реклайтис А. С., Мицкявичюс Р. В., 1988
  6. Электронные свойства двумерных систем, Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф., 1985
  7. Экспериментальные методы исследования энергетических спектров электронов и фононов в металлах (физические основы), Брандт Н. Б., Чудинов С. М., 1983
  8. Физика фононов больших энергий, 1976
  9. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  10. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
  11. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
  12. Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
  13. Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
  14. Теория ангармонических эффектов в кристаллах, Лейбфрид Г., Людвиг В., 1963
  15. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  16. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  17. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
  18. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  19. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
  20. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  21. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики: Динамика решётки, Блинц Р., Жекш Б., 1975
  22. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
  23. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  24. Физические основы квантовой электроники (оптический диапазон), Тарасов Л. В., 1976
  25. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
  26. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987
  27. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение, Метфессель С., 1963

© 1913—2013 КнигоПровод.Ruhttp://knigoprovod.ru