Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время22.06.24 10:06:10
На обложку
Введение в теорию функций комплексного переменного. — 12-е…авторы — Привалов И. И.
Российская наука: Нам гранты думать и жить помогаютавторы — Скулачёв В. П., ред.
Американский ежегодник, 1994авторы — Болховитинов Н. Н., ред.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
В ВЕСЕННЕ-ЛЕТНЕ-ОСЕННЕЕ ВРЕМЯ ВОЗМОЖНЫ И НЕМИНУЕМЫ ЗАДЕРЖКИ ПРИ ОБРАБОТКЕ ЗАКАЗОВ
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твёрдого тела — Экштайн В.
Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твёрдого тела
Научное издание
Экштайн В.
год издания — 1995, кол-во страниц — 321, ISBN — 5-03-002506-5, 3-540-19057-0, тираж — 1000, язык — русский, тип обложки — мягк., масса книги — 370 гр., издательство — Мир
КНИГА СНЯТА С ПРОДАЖИ
Сохранность книги — хорошая

Издание осуществлено при финансовом участии Троицкого института инновационных и термоядерных исследований

Wolfgang Eckstein
Computer Simulation of Ion-Solid Interactions

Springer-Verlag 1991

Пер. с англ. М. Г. Степановой

Формат 60x88 1/16. Бумага офсетная №2. Печать офсетная
ключевые слова — столкновен, твёрд, численн, двухчастичн, неупруг, ионов, атомов, распылен, радиационн, микроэлектроник, материаловед, компьютерн, моделирован, поверхност, рассеян, дефект, имплантац, реактор, экраниров, кулоновск, борна-майер, монте-карл, мишен, пробег

В книге немецкого учёного детально рассмотрен элементарный акт столкновения в твёрдом теле, описаны различные численные методы интегрирования уравнений движения частиц. Дан анализ потенциалов двухчастичного взаимодействия, используемых в современных компьютерных программах, рассмотрены способы учёта неупругих потерь энергии при движении ионов и атомов в твёрдом теле, способы введения в программы тепловых колебаний атомов твёрдого тела, характерных энергий. Описаны конкретные программы, основанные как на методе молекулярной динамики, так и на приближении парных столкновений, включая MARLOWE и TRIM. Приведены многочисленные результаты, полученные при моделировании прохождения частиц, отражения ионов, распыления твёрдых тел и радиационных повреждений.

Для специалистов в области физики твёрдого тела, физики плазмы, микроэлектроники и радиационного материаловедения, а также студентов и аспирантов.


Книга посвящена компьютерному моделированию процессов, которые происходят при столкновении налетающих частиц с поверхностью аморфного, кристаллического или поликристаллического твёрдого тела. В качестве налетающих частиц рассматриваются нейтральные или заряженные атомные частицы. Обсуждаются такие вопросы, как проникновение атомных частиц в мишень, обратное рассеяние и прохождение через мишень, удаление атомов мишени из-за распыления и образование дефектов в мишени. Предмет исследования книги можно определить как атомные столкновения в твёрдом теле и на его поверхностях.

Все указанные процессы имеют многочисленные применения, в качестве примера можно привести имплантацию в полупроводниках. Процессам рассеяния принадлежит особая роль при химическом и структурном анализе поверхности. Распыление используется для производства тонких плёнок, в методиках анализа поверхности и при очистке поверхности. Распыление, обратное рассеяние и имплантация оказывают решающее воздействие на стенки термоядерных устройств, а также других плазменных установок. Ещё одной важной проблемой является повреждение материалов, используемых в ядерных реакторах, под действием атомных частиц.

В монографии даны физические основы для исследования основных процессов, связанных со столкновениями, при помощи компьютерного моделирования. Обсуждаются два подхода-приближение парных столкновений и классическая динамическая модель; рассматриваются также потенциалы взаимодействия и неупругие потери энергии. Представлены наиболее значительные результаты, достигнутые в упомянутых выше областях, и обширный обзор литературы, опубликованной до 1990 г. включительно. Книгу можно использовать как введение в данную область науки, рассчитанное на студента-физика с соответствующей подготовкой. Она также будет полезна специалистам как источник подробной информации о проведённых исследованиях…

Предисловие
В. Экштайн
Гархинг
май 1991

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора перевода5
Предисловие7
 
Глава 1. Введение9
 
Литература12
 
Глава 2. Модель парных столкновений14
 
2.1. Лабораторная система координат14
2.2. Система центра масс17
2.3. Переход от системы центра масс к лабораторной системе координат17
2.4. Передача энергии22
2.5. Классическая теория рассеяния22
2.6. Асимптотические траектории25
2.7. Вычисление угла рассеяния и интеграла времени30
2.8. Пределы применимости приближения парных столкновений38
2.9. Ограничения подхода в рамках классической механики45
Литература47
 
Глава 3. Классическая динамическая модель49
 
3.1. Уравнения Ньютона49
3.2. Интегрирование уравнений Ньютона52
3.3. Выбор временного шага. Методика учёта траекторий56
Литература57
 
Глава 4. Потенциалы взаимодействия58
 
4.1. Экранированные кулоновские потенциалы58
4.2. Потенциал Борна-Майера64
4.3. Потенциалы притяжения71
4.4. Комбинированные потенциалы74
4.5. Эмпирические потенциалы76
4.6. Модель погружённого атома78
4.7. Аналитические методы79
4.8. Сравнение потенциалов81
Литература83
 
Глава 5. Неупругие потери энергии86
 
5.1. Локальные электронные потери энергии87
5.2. Непрерывные электронные потери энергии91
5.3. Сравнение96
Литература97
 
Глава 6. Тепловые колебания и характерные энергии99
 
6.1. Тепловые колебания99
6.2. Характерные энергии104
Литература110
 
Глава 7. Программы, основанные на модели парных столкновений112
 
7.1. Структура неупорядоченных мишеней11З
7.2. Программы Монте-Карло119
7.3. Структура кристаллических мишеней121
7.4. Программы для кристаллических мишеней121
7.5. Программы TRIM.SP и TRIDYN122
7.6. Программа MARLOWE138
Литература142
 
Глава 8. Программы на основе классической динамической модели145
 
8.1. Программы, основанные на стабильной, метастабильной и
квазистабильной моделях твёрдого тела145
8.2. Программы классической динамики146
Литература148
 
Глава 9. Исследование траекторий151
 
Литература162
 
Глава 10. Пробеги ионов в твёрдом теле164
 
10.1. Определения164
10.2. Обзор литературы168
10.3. Примеры183
Литература190
 
Глава 11. Рассеяние ионов твёрдым телом194
 
11.1. Определения194
11.2. Обзор литературы196
11.3. Примеры213
Литература226
 
Глава 12. Распыление232
 
12.1. Определения232
12.2. Обратное биномиальное распределение233
12.3. Обзор литературы237
12.4. Примеры256
Литература283
 
Глава 13. Радиационные повреждения291
 
13.1. Основные определения291
13.2. Построение ковариационного базиса294
13.3. Кластерный анализ с использованием нечётких множеств295
13.4. Обзор литературы297
13.5. Примеры298
Литература312
 
Постоянные316
Предметно-именной указатель317

Книги на ту же тему

  1. Электронные свойства двумерных систем, Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф., 1985
  2. Методы анализа поверхностей, Зандерна А. В., ред., 1979
  3. Итоги науки и техники: Физика плазмы. Том 3, Шафранов В. Д., ред., 1982
  4. Диэлектрики и радиация: Кн. 1: Радиационная электропроводность, Костюков Н. С., Муминов М. И., Атраш С. М., Мухамеджанов М. А., Васильев Н. В., 2001
  5. Модифицирование полупроводников пучками протонов, Козловский В. В., 2003
  6. Химическая физика поверхности твёрдого тела, Моррисон С., 1980
  7. Диэлектрики и радиация: Кн. 7: Влияние трансмутантов на свойства керамических диэлектриков, Костюков Н. С., Астапова Е. С., Еремин И. Е., Демчук В. А., Щербакова Е. В., 2007
  8. Диэлектрики и радиация: Кн. 5: Диэлектрические свойства полимеров в полях ионизирующих излучений, Тютнев А. П., Саенко B. C., Пожидаев Е. Д., Костюков Н. С., 2005
  9. Нанотехнологии в микроэлектронике, Агеев О. А., Коноплёв Б. Г., ред., 2019
  10. Диэлектрические материалы: Радиационные процессы и радиационная стойкость, Шварц К. К., Экманис Ю. А., 1989
  11. Плазменная технология в производстве СБИС, Айнспрук Н., Браун Д., ред., 1987
  12. Вакуумно-плазменное и плазменно-растворное модифицирование полимерных материалов, Кутепов A. M., Захаров А. Г., Максимов А. И., 2004
  13. Теория ангармонических эффектов в кристаллах, Лейбфрид Г., Людвиг В., 1963
  14. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах, Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч., 1989
  15. Фотодеструкция, фотоокисление, фотостабилизация полимеров, Рэнби Б., Рабек Я., 1978
  16. Механизмы вторичной электронной эмиссии рельефной поверхности твёрдого тела, Новиков Ю. А., ред., 1998
  17. Введение в теорию многократного рассеяния частиц, Нелипа Н. Ф., 1960
  18. Процессы столкновений в ионизованных газах, Мак-Даниель И., 1967
  19. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике, Бериш Р., Виттмак К., Легрейд Н., Мак-Кланахан Э., Сандквист Б., Хауффе В., Хофер В., Ю М., 1998
  20. Лекции по физике твёрдого тела: Принципы строения, реальная структура, фазовые превращения, Жданов Г. С., Хунджуа А. Г., 1988
  21. Квантовая теория твёрдых тел, Пайерлс Р., 1956
  22. Введение в физику поверхности, Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М., 2006
  23. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
  24. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике, Хеерман Д. В., 1990
  25. Методы Монте-Карло в статистической физике, Биндер К., ред., 1982
  26. Моделирование методом Монте-Карло в статистической физике: Введение, Биндер К., Хеерман Д. В., 1995
  27. Метод Монте-Карло, Соболь И. М., 1978
  28. Метод статистических испытаний (метод Монте-Карло), Бусленко Н. П., Голенко Д. И., Соболь И. М., Срагович В. Г., Шрейдер Ю. А., 1962
  29. Химическое состояние и атомная структура поверхности г.ц.к. металлов в реакции взаимодействия с галогенами, Конов В. И., Ельцов К. Н., ред., 2003
  30. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
  31. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование, 2005
  32. Радиобиологические эффекты корпускулярных излучений: радиационная безопасность космических полётов, Федоренко Б. С., 2006

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.025 secработаем на движке KINETIX :)