год издания — 2003, кол-во страниц — 268, ISBN — 5-02-024988-2, тираж — 650, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 390 гр., издательство — Наука. СПб

цена: 499.00 руб

Издание осуществлено при поддержке РФФИ по проекту 02-02-30000

Р е ц е н з е н т ы:
чл.-корр. РАН И. В. Грехов
д-р ф.-м. н., проф. Г. Г. Бондаренко

Формат 60x90 1/16. Бумага офсетная. Печать офсетная

В монографии впервые дано систематическое изложение современного состояния исследований модифицирования полупроводников пучками протонов. Выполнен анализ общих феноменологических закономерностей взаимодействия лёгких ионов с монокристаллическими полупроводниками. Проведено концептуальное обобщение результатов фундаментальных исследований, полученных в течение последнего времени по таким основным направлениям радиационного модифицирования полупроводников пучками протонов, как трансмутационное ядерное легирование, радиационно-стимулированная диффузия, легирование радиационными дефектами и формирование наноразмерных пористых слоёв.

Книга предназначена для научных работников в области физики взаимодействия излучения с веществом и радиационной физики твёрдого тела, а также для практиков в области электронного материаловедения и технологии полупроводниковых приборов.

Книги на ту же тему

Кинетика и термодинамика быстрых частиц в твёрдых телах, Кашлев Ю. А., 2010
Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике, Бериш Р., Виттмак К., Легрейд Н., Мак-Кланахан Э., Сандквист Б., Хауффе В., Хофер В., Ю М., 1998
Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твёрдого тела, Экштайн В., 1995
Диэлектрики и радиация: Кн. 7: Влияние трансмутантов на свойства керамических диэлектриков, Костюков Н. С., Астапова Е. С., Еремин И. Е., Демчук В. А., Щербакова Е. В., 2007
Диэлектрические материалы: Радиационные процессы и радиационная стойкость, Шварц К. К., Экманис Ю. А., 1989
Диэлектрики и радиация: Кн. 1: Радиационная электропроводность, Костюков Н. С., Муминов М. И., Атраш С. М., Мухамеджанов М. А., Васильев Н. В., 2001
Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
Точечные дефекты в полупроводниках. Теория, Ланно М., Бургуэн Ж., 1984
Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
Физика пористых структур, Гладков С. О., 1997

elapsed time 0.020 sec