Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время09.12.21 04:16:41
На обложку
Телескоп астронома-любителя. — 2-е изд., испр.авторы — Навашин М. С.
Первые понятия топологии: Геометрия отображений отрезков,…авторы — Стинрод Н., Чинн У.
Рыбоядные птицы и их значение в рыбном хозяйствеавторы — Павловский Е. Н., ред.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике — Бериш Р., Виттмак К., Легрейд Н., Мак-Кланахан Э., Сандквист Б., Хауффе В., Хофер В., Ю М.
Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике
Научное издание
Бериш Р., Виттмак К., Легрейд Н., Мак-Кланахан Э., Сандквист Б., Хауффе В., Хофер В., Ю М.
год издания — 1998, кол-во страниц — 551, ISBN — 5-03-003118-9, 3-540-53428-8, тираж — 500, язык — русский, тип обложки — мягк., издательство — Мир
КНИГА СНЯТА С ПРОДАЖИ
Sputtering by Particle Bombardment III
Characteristics of Sputtered Particles,
Technical Applications
Edited by R. Behrisch and K. Wittmaack
Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg 1991

Пер. с англ. Л. Л. Балашовой, И. Н. Евдокимова, В. В. Плетнева, В. С. Черныша
Издание осуществлено при поддержке РФФИ по проекту №98-02-30018

Формат 60x90 1/16. Бумага офсетная. Печать офсетная
ключевые слова — распылен, десорбц, молекул, бомбардировк, зарядов, микроструктур, пучк, плазм, микроэлектроник, материалове, термоядерн, кристалл, эмисс, плотноупакован, ионизац, диссоциац, поляризац, спектрометр, спектроскоп

Книга известных учёных Германии, США и Швеции содержит сведения об основных механизмах, режимах и закономерностях физического распыления, о распределении распыленных частиц по углам вылета, о десорбции больших биомолекул с поверхностей твёрдых тел и жидкостей под действием ионной бомбардировки. Анализируются зарядовые состояния и состояния возбуждения распыленных частиц, состав поверхности и объёма твёрдых тел при распылении. Рассматриваются вопросы изготовления микроструктур при помощи распыления под действием ионных пучков и различные технологические подходы к процессу производства тонких плёнок при помощи контролируемого распыления материала.
Для широкого круга исследователей в области физической электроники, физики плазмы, микроэлектроники, материаловедения и термоядерных исследований.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие5
1 Введение7
1.1 Общий обзор7
1.2 Процессы при ионной бомбардировке8
1.3 Механизмы распыления9
1.4 Моделирование и микроскопическое изучение процесса
распыления11
1.5 Коэффициент распыления13
1.6 Распределения распыленных частиц16
1.7 Диагностические методы, основанные на распылении17
1.8 Микрообработка распылением при ионной бомбардировке20
1.9 Напыление с помощью распыления21
Литература22
 
2 Распределения распыленных частиц по углам, энергиям
и массам
26
2.1 Исторический обзор и введение26
2.2 Угловое распределение30
    2.2.1 Экспериментальные методы и требования к ним30
       а) Геометрические искажения32
       б) Искажения за счёт неполноты сбора35
       в) Оценка профиля напыленного материала37
    2.2.2 Угловые распределения частиц, распыляемых из
    поликристаллических и аморфных твёрдых тел39
       а) Каскадное распыление40
       б) Распыление в режиме первичного прямого
       выбивания: тяжёлые ионы43
       в) Распыление в режиме первичного прямого
       выбивания: лёгкие ионы46
       г) Влияние топографии поверхности48
    2.2.3 Угловые распределения атомов, распыленных из
    монокристаллов52
       а) Преимущественная эмиссия в направлениях
       плотноупакованных рядов решётки; модели53
       б) Преимущественная эмиссия в направлениях
       плотноупакованных рядов решётки: эксперименты
       на металлах с кубической решёткой59
       в) Преимущественная эмиссия в направлении
       плотной упаковки решётки: гексагональные металлы67
       г) Предположение Силсби70
       д) Подавление изотропных каскадов столкновений73
       е) Эмиссия частиц сквозь симметричные
       расположения атомов75
       ж) Угловые распределения ионов и кластеров82
2.3 Энергетическое распределение распыленных частиц83
    2.3.1 Влияние поверхностных сил связи83
    2.3.2 Экспериментальные методы85
       а) Исследование распыленных ионов85
       б) Исследование нейтральных частиц86
    2.3.3 Столкновительные явления в твёрдых телах91
       а) Линейные каскады91
       б) Пики столкновений93
       в) Эмиссия при прямом первичном выбивании95
       г) Монокристаллы97
       д) Сплавы98
2.4 Распределение распыленных частиц по массам101
    2.4.1 Измерительная аппаратура102
    2.4.2 Эмиссия кластеров104
       а) Устойчивость кластеров104
       б) Энергетические и угловые распределения109
    2.4.3 Механизмы эмиссии кластеров112
       а) Прямая эмиссия кластеров112
       б) Агломерация после эмиссии113
       в) Обсуждение и выводы114
    2.4.4 Применения117
    2.4.5 Эмиссия микрочастиц и «чанков»117
2.5 Выводы и перспективы119
Литература121
Дополнительная литература (с названием статей)134
    Угловое распределение распыленных частиц (разд. 2.2)134
    Энергетические распределения распыленных частиц
    (разд. 2.3)135
    Распределение распыленных частиц по массам (разд. 2.4)135
 
3 Зарядовое состояние и возбуждение распыленных
атомов
137
3.1 Физические основы явления138
3.2 Экспериментальные исследования вторичной ионной
эмиссии140
    3.2.1 Экспериментальные методы141
    3.2.2 Вторичная ионная эмиссия с поверхностей металлов
    и полупроводников145
       а) Зависимость выхода вторичных ионов от
       работы выхода, потенциала ионизации и
       электронного сродства145
       б) Зависимость от энергии и угла эмиссии150
       в) Эффект сплавления153
       г) Вторичная ионная эмиссия из полупроводников155
    3.2.3 Химические эффекты во вторичной ионной эмиссии155
       а) Связь с общими физическими величинами156
       б) Связь с локальными химическими связями157
       в) Зависимость от свойств распыленных атомов163
    3.2.4 Образование вторичных ионов вследствие сильных
    столкновений и электронных возбуждений166
       а) Образование ионов при распылении первичных
       атомов отдачи166
       б) Образование ионов посредством возбуждения
       внутренних оболочек168
       в) Образование ионов посредством электронных
       возбуждений173
3.3 Модели образования вторичных ионов174
    3.3.1 Вторичная ионная эмиссия из металлов и
    полупроводников175
       а) Компьютерное моделирование175
       б) Автоионизация распыленных атомов178
       в) Модель туннельного эффекта для электрона178
    3.3.2 Образование вторичных ионов посредством
    локальных взаимодействий187
       а) Модель локального теплового равновесия187
       б) Диссоциация распыленных возбуждённых
       молекул187
       в) Модель поляризации поверхности188
       г) Модель разрыва связи189
    3.3.3 Образование вторичных ионов в сильных
    столкновениях193
3.4 Эмиссия атомных частиц разного сорта196
    3.4.1 Экспериментальные методы197
       а) Детектирование распыленных короткоживущих
       возбуждённых атомов197
       б) Регистрация метастабильных возбуждённых
       атомов200
    3.4.2 Экспериментальные результаты202
       а) Зависимость от квантового состояния и энергии
       возбуждения распыленного атома203
       б) Связь с общей электронной структурой
       поверхности205
       в) Химические эффекты207
       г) Распределения по скоростям214
       д) Зависимость от вида первичного иона и условий
       столкновений218
    3.4.3 Модели возбуждения атомов при распылении220
       а) Возбуждение посредством сильных столкновений221
       б) Электронный обмен с поверхностью222
       в) Модель разрыва связи224
3.5 Заключительные замечания227
Литература228
 
4 Элементный анализ твёрдых тел с использованием
распыления
237
4.1 Исторические предпосылки238
4.2 Основные представления242
    4.2.1 Цель рассмотрения; идеальный случай242
    4.2.2 Распыление при низких, средних и высоких дозах
    бомбардировки243
    4.2.3 Глубина выхода распыленных частиц248
    4.2.4 Влияние селективного выхода компонентов и
    стимулированного бомбардировкой перемещения атомов
    на поток распыленных частиц251
       а) Каскадное перемешивание253
       б) Форма профиля распыления и смещение
       максимума254
       в) Экспоненциальный спад и длина затухания256
       г) Распыление сплавов и соединений; модель
       изменённого слоя260
    4.2.5 Глубина выхода, ответственная за информацию, и
    результирующий эффект уширения в
    электронно-спектроскопических методах анализа262
       а) Глубина выхода электронов263
       б) Возможность (обратной свёртки) преобразования266
       в) Определение in situ средней глубины выхода268
    4.2.6 Разрешение по массе и глубине в спектроскопии
    рассеянных ионов269
       а) Спектрометрия рассеяния низкоэнергетических
       ионов270
       б) Спектрометрия обратного резерфордовского
       рассеяния при высоких энергиях272
4.3 Экспериментальный метод; общие положения274
    4.3.1 Контролируемая бомбардировка274
    4.3.2 Калибровка глубины распыленного слоя276
    4.3.3 Определение местонахождения анализируемой
    площади: индикация и селекция281
4.4 Аппаратура; понятия и характеристики284
    4.4.1 Масс-спектрометрия вторичных ионов284
    4.4.2 Масс-анализ постионизованных распыленных
    нейтральных частиц289
       а) Электронно-пучковая МСРН289
       б) Ионизация термализованных газов электронным
       пучком290
       в) Ионизация электронным ударом в
       высокотемпературной камере291
       г) Электронно-газовая МСРН292
       д) Масс-спектрометрия тлеющего разряда294
       е) Ионизация за счёт переноса заряда295
       ж) Лазерная МСРН297
    4.4.3 Оптический анализ распыленных частиц300
       а) Испускание света под действием ионной
       бомбардировки300
       б) Оптическая спектроскопия тлеющего разряда302
    4.4.4 Анализ образца, распыляемого ионной
    бомбардировкой303
       а) Электронная спектроскопия304
       б) Спектрометрия рассеяния низкоэнергетических
       ионов305
       в) Спектроскопия обратного рассеяния при высоких
       энергиях306
4.5 Разнообразные примеры аналитических применений307
    4.5.1 Результаты, полученные с помощью ВИМС,
    лазерной МСРН и ИСР307
    4.5.2 Сравнение результатов профилирования
    многослойных структур по глубине, полученных с
    использованием ЭОС, электронно-газовой МСРН и СОРР315
4.6 Уширение профиля, вызванное ионной бомбардировкой320
    4.6.1 Влияние параметров бомбардировки320
       а) Энергия бомбардирующих ионов320
       б) Масса первичных ионов325
       в) Изменение химического состава поверхности при
       бомбардировке её ионами326
       г) Угол падения пучка329
    4.6.2 Влияние параметров образца331
       а) Кристалличность образца332
       б) Температура образца333
       в) Термодинамические свойства336
4.7 Количественный анализ и проблемы исследования
изоляторов337
    4.7.1 Зависимость величины сигнала от состава образца337
       а) Электронная спектроскопия337
       б) Спектрометрия рассеяния ионов (ИСР)337
       в) Масс-спектрометрия и оптическая
       спектроскопия338
    4.7.2 Влияние матрицы на усиление выхода вторичных
    ионов339
    4.7.3 Возникновение заряда на изоляторах343
4.8 Факторы, определяющие чувствительность344
    4.8.1 Общие представления344
    4.8.2 Перепыление (эффект памяти)346
    4.8.3 Адсорбция и включения остаточных газов349
4.9 Итоги и перспективы352
Литература353
 
5 Десорбция органических молекул с поверхностей
твёрдых тел и жидкостей под действием
бомбардировки быстрыми частицами
369
5.1 Исторический обзор369
5.2 Терминология372
5.3 Основные аспекты методов анализа больших молекул374
    5.3.1 Количественное описание коэффициентов
    распыления ионов374
    5.3.2 Повреждения, индуцируемые бомбардировкой377
    5.3.3 Фрагментация десорбированных молекулярных
    ионов379
    5.3.4 Оптимизация разрешения по массам385
    5.3.5 Детектирование ионов больших молекул387
5.4 Осуществление эксперимента389
    5.4.1 Приготовление образцов389
       а) Твёрдые образцы389
       б) Жидкие образцы392
    5.4.2 Аппаратура для масс-анализа393
       а) Приборы с секторным магнитным полем393
       б) Времяпролётные приборы395
5.5 Экспериментальные результаты398
    5.5.1 Облучение медленными частицами398
    5.5.2 Облучение быстрыми частицами404
    5.5.3 Сравнение масс-спектров и коэффициентов
    распыления ионов при облучении медленными и
    быстрыми частицами408
    5.5.4 Основные применения411
5.6 Теоретические аспекты417
    5.6.1 Общие замечания417
    5.6.2 Механизмы выделения энергии417
    5.6.3 Режим ядерного торможения419
    5.6.4 Режим электронного торможения421
    5.6.5 Механизмы выбивания424
    5.6.6 Механизмы ионизации428
5.7 Заключение и перспективы430
Литература431
 
6 Изготовление микроструктур методом распыления
ионными пучками
437
6.1 Общие замечания438
6.2 Получение тонких плёнок методом ионного пучка440
    6.2.1 Стандартный ионно-пучковый метод изготовления
    тонких плёнок441
    6.2.2 Модифицированные методы утончения образцов
    ионным пучком442
    6.2.3 Приложения444
6.3 Ионно-пучковое травление, индуцированное
неоднородностями материала444
    6.3.1 Поликристаллические материалы445
    6.3.2 Монокристаллические и аморфные вещества447
    6.3.3 Гетерогенные и органические материалы449
    6.3.4 Влияние начального состояния поверхности451
    6.3.5 Приложения453
6.4 Изготовление микротопографических структур путём
«засевания» затравкой454
    6.4.1 Фасеточные и конусообразные структуры454
    6.4.2 Приложения457
6.5 Маскированное травление ионным пучком457
    6.5.1 Физическое распыление сквозь маски457
    6.5.2 Создание структур путём химически
    модифицированного распыления ионными пучками461
    6.5.3 Приложения462
6.6 Изготовление наклонных микросрезов с помощью
ионных пучков463
    6.6.1 Основной метод и его модификации463
    6.6.2 Условия формирования наклонного среза464
    6.6.3 Приложения467
    6.6.4 Нарезание тонких плёнок с помощью
    ионно-пучкового микротома470
6.7 Ионно-пучковая микромеханическая обработка472
    6.7.1 Распыление сквозь подвижные экраны473
    6.7.2 Ионно-пучковая микротокарная обработка473
    6.7.3 Заточка кромок475
6.8 Распыление микрофокусированными ионными пучками475
    6.8.1 Распыление сканирующим ионным пучком476
    6.8.2 Приложения478
6.9 Заключение479
Литература480
Дополнительная литература486
 
7 Изготовление тонких плёнок методом управляемого
осаждения распыленного материала
487
7.1 Исторический обзор487
7.2 Основы метода распыления489
7.3 Тлеющий разряд постоянного тока494
    7.3.1 Режимы работы496
       а) Расстояние между мишенью и подложкой498
       б) Давление газа в камере498
    7.3.2 Устройства для осаждения методом распыления500
       а) Камера для осаждения500
       б) Мишень, подложка и задвижка501
       в) Системы вакуумной откачки и подачи газа506
       г) Источник питания506
       д) Контроль температуры электродов507
    7.3.3 Распылительное осаждение при наличии
    электрического смещения509
    7.3.4 Осаждение сплавов и соединений методом
    распыления510
       а) Осаждение сплавов методом распыления511
       б) Осаждение соединений реактивным распылением512
7.4 Несамостоятельный разряд постоянного тока516
    7.4.1 Общее рассмотрение516
    7.4.2 Накаливаемые катоды из тугоплавких металлов518
    7.4.3 Накаливаемые катоды с оксидным покрытием519
    7.4.4 Тонкоплёночные накаливаемые катоды519
    7.4.5 Ртутные катоды522
7.5 Высокочастотный разряд525
    7.5.1 Технологические особенности526
    7.5.2 Приложения527
7.6 Разряд, усиленный магнитным полем527
    7.6.1 Приложения528
    7.6.2 Магнетронный режим осаждения методом
    распыления531
       а) Распылительное осаждение в цилиндрическом
       магнетроне532
       б) Осаждение методом распыления в планарном
       магнетроне533
7.7 Заключительные замечания535
Литература537

Книги на ту же тему

  1. Методы анализа поверхностей, Зандерна А. В., ред., 1979
  2. Введение в теорию многократного рассеяния частиц, Нелипа Н. Ф., 1960
  3. Вопросы теории плазмы. Выпуск 12, Леонтович М. А., Кадомцев Б. Б., ред., 1982
  4. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение, Метфессель С., 1963
  5. Процессы столкновений в ионизованных газах, Мак-Даниель И., 1967
  6. Плазменная технология в производстве СБИС, Айнспрук Н., Браун Д., ред., 1987
  7. Итоги науки и техники: Физика плазмы. Том 3, Шафранов В. Д., ред., 1982

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.032 secработаем на движке KINETIX :)