Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время07.07.22 14:20:55
На обложку
Болезни перикардаавторы — Гогин Е. Е.
Средние века. Выпуск 66авторы — Сванидзе А. А., ред.
История катастрофических провалов военной разведкиавторы — Хьюз-Уилсон Д.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
В ЛЕТНЕЕ ВРЕМЯ ВОЗМОЖНЫ И НЕМИНУЕМЫ ЗАДЕРЖКИ ПРИ ОБРАБОТКЕ ЗАКАЗОВ
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Методы анализа поверхностей — Зандерна А. В., ред.
Методы анализа поверхностей
Зандерна А. В., ред.
год издания — 1979, кол-во страниц — 584, тираж — 4800, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 620 гр., издательство — Мир
цена: 1000.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

METHODS OF
SURFACE ANALYSIS

Edited by
A. W. CZANDERNA
Professor of Physics,
Clarson College of Technology,
Potsdam, N.Y., USA

VOLUME 1 of
Methods and Phenomena: Their Applications in Science and Technology

ELSEVIER SCIENTIFIC PUBLISHING COMPANY
1975

Пер. с англ. А. А. Майорова, Р. Л. Немченок

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №2. Печать высокая
ключевые слова — поверхност, спектрометр, фотоэлектрон, оже-, вторично-ионн, металловед, материаловед, распылен, ионам, травлен, бомбардировк, зондирован, вимс, тантал, плёнк, адсорбц, масс-сепаратор, десорбц, абсорбц

Книга написана коллективом специалистов США и ФРГ и посвящена методам анализа поверхности твёрдого тела. Даётся общая классификация этих методов и подробно излагаются такие методы, как спектрометрия рассеяния медленных ионов, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, электронная оже-спектроскопия, вторично-ионная масс-спектрометрия и полевая масс-спектрометрия.

Предназначена для широкого круга научных работников — физиков и химиков, металловедов и материаловедов, инженеров и технологов, а также для преподавателей вузов и студентов соответствующих специальностей.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редакторов перевода6
Предисловие редакторов новой серии книг «Методы и явления»11
А. Зандерна. Введение13
 
ГЛАВА 1 Г. Венер. РАСПЫЛЕНИЕ ИОНАМИ И АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ18
 
I. Введение18
II. Процесс распыления ионами20
А. Общие представления (20). Б. Коэффициенты распыления (23). В. Ионное травление (31). Г. Изменения состава поверхности, вызываемые ионной бомбардировкой (35). Д. Соотношение чисел распыленных ионов и нейтральных атомов (44).
III. Некоторые особенности ионной бомбардировки при различных методах анализа поверхности47
А. Спектрометрия рассеянных медленных ионов (47). Б. Вторично-ионная масс-спектрометрия (50). В. Электронная спектроскопия для химического анализа и оже-спектроскопия (52).
IV. Перспективы55
Литература57
 
ГЛАВА 2 Д. Лихтман. МЕТОДЫ АНАЛИЗА ПОВЕРХНОСТИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ60
 
I. Введение60
II. Классификация методов анализа поверхности по зондирующим воздействиям и детектируемым частицам62
А. Тепловое воздействие, эмиссия нейтральных атомов (62). Б. Зондирование электронами (63). В. Зондирование ионами (76). Г. Зондирование фотонами (83). Д. Зондирование нейтральными частицами (88).
III. Воздействие электрического и магнитного полей90
А. Регистрация изменений электрического и магнитного полей (91). Б. Эмиссия электронов (93).
IV. Воздействие поверхностными волнами96
А. Эмиссия нейтральных частиц (96).
V. Заключение97
Литература98
 
ГЛАВА 3 Т. Бак. СПЕКТРОМЕТРИЯ РАССЕЯНИЯ МЕДЛЕННЫХ ИОНОВ102
 
I. Введение102
А. Общие замечания (102). Б. Историческая справка (103). В. Сравнение с рассеянием ионов высоких энергий (106).
II. Экспериментальное оборудование107
A. Общие требования (107). Б. Ионный источник (110). B. Вакуумная система и камера рассеяния (111). Г. Электростатический анализатор и детектор ионов (111).
III. Рассеяние ионов114
А. Кинематика (114). Б. Выход рассеяния (115). В. Нейтрализация ионов (116).
IV. Анализ состава поверхности123
А. Калибровка (123). Б. Технические приложения (124).
V. Структура поверхности126
А. Эффекты экранировки (затенения) (126). Б. Двукратное и многократное рассеяние, анализ поверхностных дефектов (128).
VI. Выводы132
Литература134
 
ГЛАВА 4 В. Риггс, М. Паркер. АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ137
 
I. Введение137
II. Основные принципы метода141
А. Поглощение рентгеновских лучей (141). Б. Качественный анализ (142). В. Количественный анализ (143).
III. Химические сдвиги150
А. Информация о структуре соединений (150). Б. Информация в структуре и химических свойствах неорганических соединений (153).
IV. Аппаратура158
А. Введение (158). Б. Источники рентгеновского излучения (159). В. Энергоанализаторы электронов (165). Г. Детекторы (приёмники) электронов (169). Д. Вакуумная система (170). Е. Образцы (171). Ж. Сбор и обработка данных (172).
V. Некоторые особенности эксперимента174
A. Эффект зарядки (174). Б. Компенсация заряда (174). B. Получение профилей концентрации по глубине при ионном травлении (176). Г. ЭСХА при скользящем угле (179).
VI. Применение181
А. Поверхности органических веществ (181). Б. Поверхности неорганических веществ (185). В. Катализ (187).
VII. Заключение197
Литература197
 
ГЛАВА 5 А. Иоши, Л. Дэвис, П. Палмберг. ЭЛЕКТРОННАЯ ОЖЕ-СПЕКТРОСКОПИЯ200
 
I. Введение200
II. Физические основы201
А. Оже-процесс (201). Б. Глубина выхода оже-электронов (205). В. Вероятности ионизации внутренних уровней электронным ударом (206). Г. Влияние матрицы (208).
III. Экспериментальные методы212
А. Анализ электронов по энергиям (213). Б. Отношение сигнала к шуму (215). В. Анализ тонких плёнок (216). Г. Сканирующая оже-микроскопия (220).
IV. Количественный анализ226
А. Основные механизмы и абсолютные измерения (226). Б. Метод внешних эталонов (228). В. Метод коэффициентов элементной чувствительности (230). Г. Экспериментальные результаты (230).
V. Приложения234
А. Фундаментальные исследования в области физики поверхности (235). Б. Металловедение и материаловедение (242). В. Активность катализаторов (260). Г. Полупроводниковая техника (264).
Литература271
 
ГЛАВА 6 И. А. Мак-Хью. ВТОРИЧНО-ИОННАЯ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЯ276
 
I. Введение276
II Вторичная ионная эмиссия282
А. Механизм явления (284). Б. Коэффициент вторичной ионной эмиссии (287). В. Виды вторичных ионов (289). Г. Влияние первичных ионов (290).
III. Оборудование ВИМС296
А. Принципы действия установок (297). Б. Порог чувствительности (301). В. Анализ следов элементов (305). Г. Ионное изображение (308). Д. Требования к первичному ионному пучку (311). Е. Масс-спектроскопическии анализ нейтральных распыленных частиц (312).
IV. Количественный анализ313
V. Глубинные профили концентрации элементов319
А. Приборные факторы, влияющие на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации (322). Б. Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации (324).
VI. Применения327
А. Исследование поверхности (328). Б. Глубинные профили концентрации (331). В. Распределение частиц по поверхности, микроанализ и объёмный анализ (334).
VII. Заключение335
Литература336
 
ГЛАВА 7 И. Морабито, Р. Льюис. ПРИМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ОЖЕ-СПЕКТРОСКОПИИ И ВТОРИЧНО-ИОННОЙ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ В МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ342
 
I. Введение342
II. Выбор материалов343
А. Танталовые тонкие плёнки (343). Б. Кремний, легированный В, Р, As (344).
III. Выбор ионов инертных или активных газов в качестве первичных частиц для исследования профилей концентрации методами ЭОС и ВИМС345
IV. Измерение скоростей распыления и разрешение по глубине при снятии профилей концентрации методами ВИМС и ЭОС347
V. Химический анализ тонких плёнок тантала, полученных распылением, методами ЭОС и ВИМС348
VI. Количественный анализ методами ЭОС и ВИМС напылённых танталовых плёнок, легированных азотом, углеродом и кислородом355
VII. Анализ методами ЭОС и ВИМС плёнок Ta2O5, легированных фосфором362
VIII. Анализ плёнок платины, содержащих фосфор, методами ЭОС и ВИМС366
IX. Анализ керамических подложек из окиси алюминия методами ЭОС и ВИМС370
X. Химический анализ кремния, легированного Р, As и В, методами ВИМС и ЭОС372
А. Фосфор (372). Б. Мышьяк (375). В. Бор (377).
XI. Чувствительность методов ЭОС и ВИМС при анализе поверхности и объёма, а также при регистрации профилей концентрации380
XII. Влияние изменения коэффициента вторичной ионной эмиссии при получении профилей концентрации методом ВИМС382
XIII. ВИМС с разделением ионов высоких и низких энергий387
XIV. Выводы и заключения391
А. Распыляющий ионный пучок (391). Б. Скорость распыления (391). В. Перекрывание линий в энергетических спектрах и спектрах масс (392). Г. Анализ поверхности (393). Д. Анализ элементов по глубине (> 500А) (394). Е. Разрешение по глубине (395). Ж. Количественный анализ (396).
Литература398
 
глава 8 Э. Мюллер. ПОЛЕВОЙ ИОННЫЙ МИКРОСКОП С АТОМНЫМ ЗОНДОМ401
 
I. Введение401
II. Принципы, на которых основаны атомные зонды403
III. Теория ионизации и испарения полем404
IV. Времяпролётный (ВП) атомный зонд407
A. Конструкция прибора (407). Б. Детекторы (410). B. Генераторы импульсов (413). Г. Измерение времени пролёта ионов (414). Д. Разрешение по массе (417). Е. Дефицит энергии ионов (419). Ж. Компенсация дефицита энергии (426). 3. Атомный зонд с фокусировкой по энергии (428).
V. Десятисантиметровый времяпролётный атомный зонд433
VI. Атомный зонд с секторным магнитным анализатором435
VII. Новые явления, обнаруженные при помощи атомного зонда438
А. Многозарядные ионы (438). Б. Адсорбция изображающих газов под действием поля (440). В. Ионы соединений металл — инертный газ (442). Г. Ионы из запрещенной области (446). Д. Взаимодействие поверхности с молекулярными газами (449). Е. Калибровка поля по ионизации в объёме прибора (453).
VIII. Применение в металловедении456
Литература461
 
ГЛАВА 9 Дж. Блок, А. Зандерна. ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛЕВОЙ ИОННОЙ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ ПОВЕРХНОСТИ464
 
I. Введение464
II. Техника эксперимента466
А. Полевой эмиттер (466). Б. Полевой ионный источник (470). В. Масс-сепараторы (472). Г. Измерение энергетических спектров ионов, создаваемых полем (480). Д. Детекторы ионов (482).
III. Механизмы образования ионов483
A. Ионизация полем (483). Б. Протонный обмен (484). B. Зарядово-обменное и межмолекулярное взаимодействия (486). Г. Гетеролитический разрыв связи (490). Д. Ионно-молекулярные реакции (490).
IV. Идентификация поверхностных взаимодействий493
А. Селективность ионизации полем на различных поверхностях (494). Б. Потенциалы появления (496). В. Импульсные поля (498).
V. Поверхностные реакции, стимулированные полем500
А. Адсорбция, вызванная полем (500). Б. Десорбция полем (501). В. Термодинамическое равновесие (503). Г. Полимеризация и распад на фрагменты под действием поля (506)! Д. Десорбция полем поверхностных комплексов (508).
VI. Поверхностные реакции без возмущения полем512
А. Ионы карбония на поверхностях (512). Б. Химические реакции с нулевым электрическим моментом (516).
VII. Применение ПИМС519
А. Реакции с участием молекул воды (519). Б. Анализ продуктов испарения твёрдых тел (524). В. Соединения азота на поверхности металлов (532).
Литература539
 
ГЛАВА 10 X. Томпкинс. ИНФРАКРАСНАЯ ОТРАЖАТЕЛЬНО-АБСОРБЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ542
 
I. Введение542
II. Теория543
A. История (543). Б. Однократное отражение (544). B. Усиление полосы поглощения (547).
III. Условия применимости метода553
A. Влияние плёнки (553). Б. Влияние подложки (555). B. Совместное влияние подложки и плёнки (557).
IV Экспериментальные устройства558
А. Общие представления (558). Б. Типичные схемы (559).
V. Применение отражательно-абсорбционной спектроскопии564
VI. Заключение569
Литература569
 
Предметный указатель571

Книги на ту же тему

  1. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике, Бериш Р., Виттмак К., Легрейд Н., Мак-Кланахан Э., Сандквист Б., Хауффе В., Хофер В., Ю М., 1998
  2. Введение в физику поверхности, Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М., 2006
  3. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твёрдого тела, Экштайн В., 1995
  4. Электронные явления в гетерогенном катализе, Рогинский С. 3., 1975
  5. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  6. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  7. Роль поверхностных явлений в структурно-механическом поведении твёрдых полимеров, Волынский А. Л., Бакеев Н. Ф., 2014
  8. Молекулярная теория адсорбции в пористых телах, Товбин Ю. К., 2013
  9. Химическая физика поверхности твёрдого тела, Моррисон С., 1980
  10. Природные сорбенты, Быков В. Т., ред., 1967
  11. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
  12. Электронные свойства двумерных систем, Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф., 1985
  13. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
  14. Плазменная технология в производстве СБИС, Айнспрук Н., Браун Д., ред., 1987
  15. Механизмы вторичной электронной эмиссии рельефной поверхности твёрдого тела, Новиков Ю. А., ред., 1998
  16. Химическое состояние и атомная структура поверхности г.ц.к. металлов в реакции взаимодействия с галогенами, Конов В. И., Ельцов К. Н., ред., 2003
  17. Сегнетоэлектрические твёрдые растворы на основе оксидных соединений ниобия и тантала: синтез, исследование структурного упорядочения и физических характеристик, Палатников М. Н., Сидоров Н. В., Калинников В. Т., 2001
  18. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение, Метфессель С., 1963
  19. Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
  20. Методы Монте-Карло в статистической физике, Биндер К., ред., 1982
  21. Спектрометрия ионизирующих излучений на космических аппаратах, Горн Л. С., Хазанов Б. И., 1979

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.043 secработаем на движке KINETIX :)