Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время28.01.22 06:21:40
На обложку
За кормой сто тысяч лиавторы — Свет Я.
Как построить свою экспертную системуавторы — Нейлор К.
Радиопульсарыавторы — Малов И. Ф.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках — Мурзин В. Н.
Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках
Мурзин В. Н.
год издания — 1985, кол-во страниц — 264, тираж — 1560, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 330 гр., издательство — Физматлит
КНИГА СНЯТА С ПРОДАЖИ
Сохранность книги — хорошая

Р е ц е н з е н т: д-р ф.-м. наук Я. Е. Покровский

Формат 60x90 1/16. Бумага книжно-журнальная импортная. Печать высокая
ключевые слова — квазиатом, квазимолекуляр, дырок, полупроводник, кристалл, коллективн, квазичаст, конденсац, электронно-дырочн, экситон, неравновесн, субмиллиметр, некогерент, излучен, световод, фотовозбужд, фототермич, фотодиссоциац, келдыш, фермиевск, фонон, альфвен

Рассмотрены квазиатомные, квазимолекулярные и другие связанные состояния носителей тока — электронов и дырок в полупроводниковых кристаллах, процессы коллективного взаимодействия этих квазичастиц при высоких концентрациях. Основное внимание уделено проблеме конденсации носителей. Обсуждаются уникальные квантовые свойства электронно-дырочной жидкости, физические явления, обусловленные взаимодействием электромагнитного излучения с электронно-дырочными каплями.

Изложены теоретические представления и экспериментальный материал, основанный главным образом на результатах спектроскопических исследований в области характерных энергий связи систем квазичастиц.

Предназначена для специалистов в области физики твёрдого тела, физики плазмы, атомной и молекулярной физики, физики и техники спектроскопии„ аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Табл. 15. Ил. 116. Библиогр. 596 назв.


Одной из главных особенностей физических явлений, происходящих в твёрдых телах, является их ярко выраженный коллективный характер. Возбуждённое состояние, возникающее в такой системе (например, в результате поглощения фотона или порции тепловой энергии), не остаётся локализованным, а из-за сильной связи частиц переходит на соседние ячейки и таким образом распространяется по кристаллу в виде волн, в формировании которых участвуют все частицы системы. Описание такой системы представляет собой чрезвычайно сложную задачу. Один из наиболее эффективных подходов к её решению основан на использовании концепции элементарных возбуждений. В приближении слабо возбуждённых состояний, которые могут быть представлены как совокупность отдельных (невзаимодействующих или слабо взаимодействующих) элементарных возбуждений, современная квантовая теория успешно объясняет многообразный круг явлений в твёрдых телах. Элементарные возбуждения при таком описании ведут себя как квантовые частицы — квазичастицы, движущиеся в кристалле и обладающие определённой энергией и импульсом. Примерами таких квазичастиц являются электроны и дырки в полупроводнике — элементарные возбуждения, с помощью которых осуществляется электропроводность в кристалле. Новый этап в развитии физики твёрдого тела связан с исследованиями при высоких уровнях возбуждения, соответствующих большим плотностям возбуждённых состояний и их сильному коллективному взаимодействию.

Важнейшим результатом исследований в этом направлении является открытие конденсации экситонов в полупроводниках. С понятием конденсации экситонов связан совершенно новый и необычный для физики твёрдого тела круг явлений, обусловленных коллективным взаимодействием неравновесных носителей тока — электронов и дырок при низких температурах в условиях, когда энергия кулоновского взаимодействия квазичастиц становится соизмеримой с энергией их теплового движения. Эти явления свидетельствуют о существовании глубокой аналогии между процессами взаимодействия, происходящими в электронно-дырочной системе в полупроводнике, и процессами, происходящими в мире обычных частиц типа электронов и протонов, из которых состоит обычное вещество…

ПРЕДИСЛОВИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие5
 
Г л а в а   1.  Носители тока как система взаимодействующих квазичастиц
в полупроводниковых кристаллах9
 
§ 1. Введение9
§ 2. Зонное строение полупроводников. Движение заряда вблизи
экстремумов энергетических зон14
§ 3. Приближение эффективной массы при описании связанных
состояний носителей тока19
§ 4. Особенности квазичастичного описания системы сильно
взаимодействующих носителей тока в кристаллах24
§ 5. Пределы применимости приближения эффективной массы и
особенности, обусловленные атомарной структурой кристалла26
 
Г л а в а   2.  Методы субмиллиметровой спектроскопии полупроводников29
 
§ 6. Дальняя инфракрасная или субмиллиметровая область спектра29
§ 7. Методы некогерентной субмиллиметровой спектроскопии31
§ 8. Методы монохроматической когерентной спектроскопии36
§ 9. Приёмники излучения40
§ 10. Низкотемпературные световодные методы исследования. Способы
генерации неравновесных носителей в кристалле44
 
Г л а в а   3.  Мелкие примесные состояния. Спектры фотовозбуждения и
энергетическое строение47
 
§ 11. Примесные состояния вблизи невырожденной сферической зоны47
§ 12. Примесные состояния в многодолинных полупроводниках
(донорные примеси)51
§ 13. Примесные состояния вблизи экстремума вырожденных зон
(акцепторные примеси)60
§ 14. Фототермическая ионизация примесей69
§ 15. Водородоподобные связанные состояния с лишним электроном71
§ 16. Примесные комплексы молекулярного типа. Коллективное
взаимодействие примесей74
 
Г л а в а   4.  Водородоподобные экситоны в полупроводниках79
 
§ 17. Строение и свойства водородоподобных экситонов в полупроводниках80
§ 18. Прямые экситоны82
§ 19. Непрямые экситоны87
§ 20. Фотовозбуждение и фотодиссоциация экситонов93
§ 21. Экситонные молекулы. Взаимодействие экситонов при высоких
концентрациях105
 
Г л а в а   5.  Коллективные свойства носителей тока в полупроводниках.
Конденсация экситонов109
 
§ 22. Модель Келдыша конденсации экситонов в электронно-дырочную
жидкость109
§ 23. Энергия основного состояния и критерии возникновения
конденсированной фазы116
§ 24. Обнаружение и исследование конденсации экситонов в
полупроводниках119
 
Г л а в а   6.  Взаимодействие электромагнитных волн с
электронно-дырочными каплями122
 
§ 25. Теория Ми взаимодействия электромагнитных волн со
сферическими частицами122
§ 26. Диэлектрическая проницаемость электронно-дырочной жидкости127
§ 27. Плазменный резонанс в ЭДК135
§ 28. Плазменный резонанс в ЭДК произвольного радиуса.
Распределение капель по размерам143
§ 29. Плазменный резонанс в больших каплях151
§ 30. Рассеяние излучения ЭДК в ближней ИК области154
§ 31. Взаимодействие миллиметровых волн с ЭДК. Циклотронный
резонанс на свободных носителях. СВЧ пробой экситонов157
 
Г л а в а   7.  Характеристики фазового перехода и конденсированного
состояния экситонов163
 
§ 32. Температурная зависимость интенсивности плазменного
поглощения ЭДК. Фазовая диаграмма газ — жидкость в системе
экситонов163
§ 33. Спектры плазменного резонанса в ЭДК при увеличении уровня
возбуждения170
§ 34. Важнейшие параметры ЭДЖ, определённые методом плазменного
резонанса175
 
Г л а в а   8.  Свойства конденсированной фазы, обусловленные фермиевским
вырождением носителей182
 
§ 35. Квантовые осцилляции параметров ЭДЖ в магнитном поле182
§ 36. Подвижность капель в поле неоднородных деформаций кристалла187
§ 37. Движение капель под действием фононного ветра и фотонного
давления190
§ 38. Спектры плазменного резонанса ЭДК и конденсация экситонов
в легированном полупроводнике196
 
Г л а в а   9.  Магнитоплазменный резонанс в электронно-дырочных каплях202
 
§ 39. Особенности энергетического спектра носителей в магнитном
поле202
§ 40. Диэлектрическая проницаемость ЭДЖ в магнитном поле204
§ 41. Теория магнитоплазменного резонанса в ЭДК208
§ 42. Магнитоплазменный резонанс в случае наиболее симметричных
(гиротропных) ориентаций кристалла в магнитном поле212
§ 43. Магнитоплазменный резонанс при произвольной ориентации
магнитного поля219
§ 44. Экспериментальные исследования МПР в ЭДК в германии222
§ 45. Эффективные массы носителей в конденсированной фазе231
§ 46. Затухание магнитоплазменных колебаний ЭДК234
§ 47. Эффект самосжимаемости ЭДЖ в магнитном поле236
§ 48. Форма ЭДК в магнитном поле239
§ 49. Альфвеновские волны в ЭДК. Магниторазмерный резонанс в
больших каплях246
 
Список литературы249

Книги на ту же тему

  1. Рассеяние электромагнитного излучения в плазме, Шеффилд Д., 1978
  2. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  3. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  4. Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
  5. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  6. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  7. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
  8. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
  9. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  10. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
  11. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  12. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  13. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
  14. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
  15. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.031 secработаем на движке KINETIX :)