КнигоПровод.Ru05.10.2024

/Наука и Техника/Физика

Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках — Мурзин В. Н.
Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках
Мурзин В. Н.
год издания — 1985, кол-во страниц — 264, тираж — 1560, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 330 гр., издательство — Физматлит
КНИГА СНЯТА С ПРОДАЖИ
Сохранность книги — хорошая

Р е ц е н з е н т: д-р ф.-м. наук Я. Е. Покровский

Формат 60x90 1/16. Бумага книжно-журнальная импортная. Печать высокая
ключевые слова — квазиатом, квазимолекуляр, дырок, полупроводник, кристалл, коллективн, квазичаст, конденсац, электронно-дырочн, экситон, неравновесн, субмиллиметр, некогерент, излучен, световод, фотовозбужд, фототермич, фотодиссоциац, келдыш, фермиевск, фонон, альфвен

Рассмотрены квазиатомные, квазимолекулярные и другие связанные состояния носителей тока — электронов и дырок в полупроводниковых кристаллах, процессы коллективного взаимодействия этих квазичастиц при высоких концентрациях. Основное внимание уделено проблеме конденсации носителей. Обсуждаются уникальные квантовые свойства электронно-дырочной жидкости, физические явления, обусловленные взаимодействием электромагнитного излучения с электронно-дырочными каплями.

Изложены теоретические представления и экспериментальный материал, основанный главным образом на результатах спектроскопических исследований в области характерных энергий связи систем квазичастиц.

Предназначена для специалистов в области физики твёрдого тела, физики плазмы, атомной и молекулярной физики, физики и техники спектроскопии„ аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Табл. 15. Ил. 116. Библиогр. 596 назв.


Одной из главных особенностей физических явлений, происходящих в твёрдых телах, является их ярко выраженный коллективный характер. Возбуждённое состояние, возникающее в такой системе (например, в результате поглощения фотона или порции тепловой энергии), не остаётся локализованным, а из-за сильной связи частиц переходит на соседние ячейки и таким образом распространяется по кристаллу в виде волн, в формировании которых участвуют все частицы системы. Описание такой системы представляет собой чрезвычайно сложную задачу. Один из наиболее эффективных подходов к её решению основан на использовании концепции элементарных возбуждений. В приближении слабо возбуждённых состояний, которые могут быть представлены как совокупность отдельных (невзаимодействующих или слабо взаимодействующих) элементарных возбуждений, современная квантовая теория успешно объясняет многообразный круг явлений в твёрдых телах. Элементарные возбуждения при таком описании ведут себя как квантовые частицы — квазичастицы, движущиеся в кристалле и обладающие определённой энергией и импульсом. Примерами таких квазичастиц являются электроны и дырки в полупроводнике — элементарные возбуждения, с помощью которых осуществляется электропроводность в кристалле. Новый этап в развитии физики твёрдого тела связан с исследованиями при высоких уровнях возбуждения, соответствующих большим плотностям возбуждённых состояний и их сильному коллективному взаимодействию.

Важнейшим результатом исследований в этом направлении является открытие конденсации экситонов в полупроводниках. С понятием конденсации экситонов связан совершенно новый и необычный для физики твёрдого тела круг явлений, обусловленных коллективным взаимодействием неравновесных носителей тока — электронов и дырок при низких температурах в условиях, когда энергия кулоновского взаимодействия квазичастиц становится соизмеримой с энергией их теплового движения. Эти явления свидетельствуют о существовании глубокой аналогии между процессами взаимодействия, происходящими в электронно-дырочной системе в полупроводнике, и процессами, происходящими в мире обычных частиц типа электронов и протонов, из которых состоит обычное вещество…

ПРЕДИСЛОВИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие5
 
Г л а в а   1.  Носители тока как система взаимодействующих квазичастиц
в полупроводниковых кристаллах9
 
§ 1. Введение9
§ 2. Зонное строение полупроводников. Движение заряда вблизи
экстремумов энергетических зон14
§ 3. Приближение эффективной массы при описании связанных
состояний носителей тока19
§ 4. Особенности квазичастичного описания системы сильно
взаимодействующих носителей тока в кристаллах24
§ 5. Пределы применимости приближения эффективной массы и
особенности, обусловленные атомарной структурой кристалла26
 
Г л а в а   2.  Методы субмиллиметровой спектроскопии полупроводников29
 
§ 6. Дальняя инфракрасная или субмиллиметровая область спектра29
§ 7. Методы некогерентной субмиллиметровой спектроскопии31
§ 8. Методы монохроматической когерентной спектроскопии36
§ 9. Приёмники излучения40
§ 10. Низкотемпературные световодные методы исследования. Способы
генерации неравновесных носителей в кристалле44
 
Г л а в а   3.  Мелкие примесные состояния. Спектры фотовозбуждения и
энергетическое строение47
 
§ 11. Примесные состояния вблизи невырожденной сферической зоны47
§ 12. Примесные состояния в многодолинных полупроводниках
(донорные примеси)51
§ 13. Примесные состояния вблизи экстремума вырожденных зон
(акцепторные примеси)60
§ 14. Фототермическая ионизация примесей69
§ 15. Водородоподобные связанные состояния с лишним электроном71
§ 16. Примесные комплексы молекулярного типа. Коллективное
взаимодействие примесей74
 
Г л а в а   4.  Водородоподобные экситоны в полупроводниках79
 
§ 17. Строение и свойства водородоподобных экситонов в полупроводниках80
§ 18. Прямые экситоны82
§ 19. Непрямые экситоны87
§ 20. Фотовозбуждение и фотодиссоциация экситонов93
§ 21. Экситонные молекулы. Взаимодействие экситонов при высоких
концентрациях105
 
Г л а в а   5.  Коллективные свойства носителей тока в полупроводниках.
Конденсация экситонов109
 
§ 22. Модель Келдыша конденсации экситонов в электронно-дырочную
жидкость109
§ 23. Энергия основного состояния и критерии возникновения
конденсированной фазы116
§ 24. Обнаружение и исследование конденсации экситонов в
полупроводниках119
 
Г л а в а   6.  Взаимодействие электромагнитных волн с
электронно-дырочными каплями122
 
§ 25. Теория Ми взаимодействия электромагнитных волн со
сферическими частицами122
§ 26. Диэлектрическая проницаемость электронно-дырочной жидкости127
§ 27. Плазменный резонанс в ЭДК135
§ 28. Плазменный резонанс в ЭДК произвольного радиуса.
Распределение капель по размерам143
§ 29. Плазменный резонанс в больших каплях151
§ 30. Рассеяние излучения ЭДК в ближней ИК области154
§ 31. Взаимодействие миллиметровых волн с ЭДК. Циклотронный
резонанс на свободных носителях. СВЧ пробой экситонов157
 
Г л а в а   7.  Характеристики фазового перехода и конденсированного
состояния экситонов163
 
§ 32. Температурная зависимость интенсивности плазменного
поглощения ЭДК. Фазовая диаграмма газ — жидкость в системе
экситонов163
§ 33. Спектры плазменного резонанса в ЭДК при увеличении уровня
возбуждения170
§ 34. Важнейшие параметры ЭДЖ, определённые методом плазменного
резонанса175
 
Г л а в а   8.  Свойства конденсированной фазы, обусловленные фермиевским
вырождением носителей182
 
§ 35. Квантовые осцилляции параметров ЭДЖ в магнитном поле182
§ 36. Подвижность капель в поле неоднородных деформаций кристалла187
§ 37. Движение капель под действием фононного ветра и фотонного
давления190
§ 38. Спектры плазменного резонанса ЭДК и конденсация экситонов
в легированном полупроводнике196
 
Г л а в а   9.  Магнитоплазменный резонанс в электронно-дырочных каплях202
 
§ 39. Особенности энергетического спектра носителей в магнитном
поле202
§ 40. Диэлектрическая проницаемость ЭДЖ в магнитном поле204
§ 41. Теория магнитоплазменного резонанса в ЭДК208
§ 42. Магнитоплазменный резонанс в случае наиболее симметричных
(гиротропных) ориентаций кристалла в магнитном поле212
§ 43. Магнитоплазменный резонанс при произвольной ориентации
магнитного поля219
§ 44. Экспериментальные исследования МПР в ЭДК в германии222
§ 45. Эффективные массы носителей в конденсированной фазе231
§ 46. Затухание магнитоплазменных колебаний ЭДК234
§ 47. Эффект самосжимаемости ЭДЖ в магнитном поле236
§ 48. Форма ЭДК в магнитном поле239
§ 49. Альфвеновские волны в ЭДК. Магниторазмерный резонанс в
больших каплях246
 
Список литературы249

Книги на ту же тему

  1. Рассеяние электромагнитного излучения в плазме, Шеффилд Д., 1978
  2. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  3. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  4. Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
  5. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  6. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  7. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
  8. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
  9. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  10. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
  11. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  12. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  13. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
  14. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
  15. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987

© 1913—2013 КнигоПровод.Ruhttp://knigoprovod.ru