КнигоПровод.Ru | 05.10.2024 |
|
|
Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках |
Мурзин В. Н. |
год издания — 1985, кол-во страниц — 264, тираж — 1560, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 330 гр., издательство — Физматлит |
|
|
Сохранность книги — хорошая
Р е ц е н з е н т: д-р ф.-м. наук Я. Е. Покровский
Формат 60x90 1/16. Бумага книжно-журнальная импортная. Печать высокая |
ключевые слова — квазиатом, квазимолекуляр, дырок, полупроводник, кристалл, коллективн, квазичаст, конденсац, электронно-дырочн, экситон, неравновесн, субмиллиметр, некогерент, излучен, световод, фотовозбужд, фототермич, фотодиссоциац, келдыш, фермиевск, фонон, альфвен |
Рассмотрены квазиатомные, квазимолекулярные и другие связанные состояния носителей тока — электронов и дырок в полупроводниковых кристаллах, процессы коллективного взаимодействия этих квазичастиц при высоких концентрациях. Основное внимание уделено проблеме конденсации носителей. Обсуждаются уникальные квантовые свойства электронно-дырочной жидкости, физические явления, обусловленные взаимодействием электромагнитного излучения с электронно-дырочными каплями.
Изложены теоретические представления и экспериментальный материал, основанный главным образом на результатах спектроскопических исследований в области характерных энергий связи систем квазичастиц.
Предназначена для специалистов в области физики твёрдого тела, физики плазмы, атомной и молекулярной физики, физики и техники спектроскопии„ аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Табл. 15. Ил. 116. Библиогр. 596 назв.
Одной из главных особенностей физических явлений, происходящих в твёрдых телах, является их ярко выраженный коллективный характер. Возбуждённое состояние, возникающее в такой системе (например, в результате поглощения фотона или порции тепловой энергии), не остаётся локализованным, а из-за сильной связи частиц переходит на соседние ячейки и таким образом распространяется по кристаллу в виде волн, в формировании которых участвуют все частицы системы. Описание такой системы представляет собой чрезвычайно сложную задачу. Один из наиболее эффективных подходов к её решению основан на использовании концепции элементарных возбуждений. В приближении слабо возбуждённых состояний, которые могут быть представлены как совокупность отдельных (невзаимодействующих или слабо взаимодействующих) элементарных возбуждений, современная квантовая теория успешно объясняет многообразный круг явлений в твёрдых телах. Элементарные возбуждения при таком описании ведут себя как квантовые частицы — квазичастицы, движущиеся в кристалле и обладающие определённой энергией и импульсом. Примерами таких квазичастиц являются электроны и дырки в полупроводнике — элементарные возбуждения, с помощью которых осуществляется электропроводность в кристалле. Новый этап в развитии физики твёрдого тела связан с исследованиями при высоких уровнях возбуждения, соответствующих большим плотностям возбуждённых состояний и их сильному коллективному взаимодействию.
Важнейшим результатом исследований в этом направлении является открытие конденсации экситонов в полупроводниках. С понятием конденсации экситонов связан совершенно новый и необычный для физики твёрдого тела круг явлений, обусловленных коллективным взаимодействием неравновесных носителей тока — электронов и дырок при низких температурах в условиях, когда энергия кулоновского взаимодействия квазичастиц становится соизмеримой с энергией их теплового движения. Эти явления свидетельствуют о существовании глубокой аналогии между процессами взаимодействия, происходящими в электронно-дырочной системе в полупроводнике, и процессами, происходящими в мире обычных частиц типа электронов и протонов, из которых состоит обычное вещество…
ПРЕДИСЛОВИЕ
|
ОГЛАВЛЕНИЕПредисловие | 5 | | Г л а в а 1. Носители тока как система взаимодействующих квазичастиц | в полупроводниковых кристаллах | 9 | | § 1. Введение | 9 | § 2. Зонное строение полупроводников. Движение заряда вблизи | экстремумов энергетических зон | 14 | § 3. Приближение эффективной массы при описании связанных | состояний носителей тока | 19 | § 4. Особенности квазичастичного описания системы сильно | взаимодействующих носителей тока в кристаллах | 24 | § 5. Пределы применимости приближения эффективной массы и | особенности, обусловленные атомарной структурой кристалла | 26 | | Г л а в а 2. Методы субмиллиметровой спектроскопии полупроводников | 29 | | § 6. Дальняя инфракрасная или субмиллиметровая область спектра | 29 | § 7. Методы некогерентной субмиллиметровой спектроскопии | 31 | § 8. Методы монохроматической когерентной спектроскопии | 36 | § 9. Приёмники излучения | 40 | § 10. Низкотемпературные световодные методы исследования. Способы | генерации неравновесных носителей в кристалле | 44 | | Г л а в а 3. Мелкие примесные состояния. Спектры фотовозбуждения и | энергетическое строение | 47 | | § 11. Примесные состояния вблизи невырожденной сферической зоны | 47 | § 12. Примесные состояния в многодолинных полупроводниках | (донорные примеси) | 51 | § 13. Примесные состояния вблизи экстремума вырожденных зон | (акцепторные примеси) | 60 | § 14. Фототермическая ионизация примесей | 69 | § 15. Водородоподобные связанные состояния с лишним электроном | 71 | § 16. Примесные комплексы молекулярного типа. Коллективное | взаимодействие примесей | 74 | | Г л а в а 4. Водородоподобные экситоны в полупроводниках | 79 | | § 17. Строение и свойства водородоподобных экситонов в полупроводниках | 80 | § 18. Прямые экситоны | 82 | § 19. Непрямые экситоны | 87 | § 20. Фотовозбуждение и фотодиссоциация экситонов | 93 | § 21. Экситонные молекулы. Взаимодействие экситонов при высоких | концентрациях | 105 | | Г л а в а 5. Коллективные свойства носителей тока в полупроводниках. | Конденсация экситонов | 109 | | § 22. Модель Келдыша конденсации экситонов в электронно-дырочную | жидкость | 109 | § 23. Энергия основного состояния и критерии возникновения | конденсированной фазы | 116 | § 24. Обнаружение и исследование конденсации экситонов в | полупроводниках | 119 | | Г л а в а 6. Взаимодействие электромагнитных волн с | электронно-дырочными каплями | 122 | | § 25. Теория Ми взаимодействия электромагнитных волн со | сферическими частицами | 122 | § 26. Диэлектрическая проницаемость электронно-дырочной жидкости | 127 | § 27. Плазменный резонанс в ЭДК | 135 | § 28. Плазменный резонанс в ЭДК произвольного радиуса. | Распределение капель по размерам | 143 | § 29. Плазменный резонанс в больших каплях | 151 | § 30. Рассеяние излучения ЭДК в ближней ИК области | 154 | § 31. Взаимодействие миллиметровых волн с ЭДК. Циклотронный | резонанс на свободных носителях. СВЧ пробой экситонов | 157 | | Г л а в а 7. Характеристики фазового перехода и конденсированного | состояния экситонов | 163 | | § 32. Температурная зависимость интенсивности плазменного | поглощения ЭДК. Фазовая диаграмма газ — жидкость в системе | экситонов | 163 | § 33. Спектры плазменного резонанса в ЭДК при увеличении уровня | возбуждения | 170 | § 34. Важнейшие параметры ЭДЖ, определённые методом плазменного | резонанса | 175 | | Г л а в а 8. Свойства конденсированной фазы, обусловленные фермиевским | вырождением носителей | 182 | | § 35. Квантовые осцилляции параметров ЭДЖ в магнитном поле | 182 | § 36. Подвижность капель в поле неоднородных деформаций кристалла | 187 | § 37. Движение капель под действием фононного ветра и фотонного | давления | 190 | § 38. Спектры плазменного резонанса ЭДК и конденсация экситонов | в легированном полупроводнике | 196 | | Г л а в а 9. Магнитоплазменный резонанс в электронно-дырочных каплях | 202 | | § 39. Особенности энергетического спектра носителей в магнитном | поле | 202 | § 40. Диэлектрическая проницаемость ЭДЖ в магнитном поле | 204 | § 41. Теория магнитоплазменного резонанса в ЭДК | 208 | § 42. Магнитоплазменный резонанс в случае наиболее симметричных | (гиротропных) ориентаций кристалла в магнитном поле | 212 | § 43. Магнитоплазменный резонанс при произвольной ориентации | магнитного поля | 219 | § 44. Экспериментальные исследования МПР в ЭДК в германии | 222 | § 45. Эффективные массы носителей в конденсированной фазе | 231 | § 46. Затухание магнитоплазменных колебаний ЭДК | 234 | § 47. Эффект самосжимаемости ЭДЖ в магнитном поле | 236 | § 48. Форма ЭДК в магнитном поле | 239 | § 49. Альфвеновские волны в ЭДК. Магниторазмерный резонанс в | больших каплях | 246 | | Список литературы | 249 |
|
Книги на ту же тему- Рассеяние электромагнитного излучения в плазме, Шеффилд Д., 1978
- Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
- Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
- Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
- Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
- Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
- Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
- Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
- Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
- Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
- Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
- Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
- Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
- Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
- Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987
|
|
|
© 1913—2013 КнигоПровод.Ru | http://knigoprovod.ru |
|