t.me/OB4UHHUKOB Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время01.03.21 15:28:01
На обложку
Мировоззрение и культура севернорусского населенияавторы — Власова И. В., ред.
Компьютерные модели и прогресс медициныКомпьютерные модели и прогресс медицины
Коллективные явления в плазме. — 2-е изд., испр. и доп.авторы — Кадомцев Б. Б.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах — Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч.
Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах
Научное издание
Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч.
год издания — 1989, кол-во страниц — 264, ISBN — 5-02-014026-0, тираж — 2000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 240 гр., издательство — Физматлит
цена: 700.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Р е ц е н з е н т
д-р ф.-м. наук В. М. Агранович

Формат 60x90 1/16. Бумага книжно-журнальная. Печать офсетная
ключевые слова — фонон, дефект, твёрд, кристалл, распад, экситон, радиацион, неустойчивост, щёлочно-галоид, люминесцен, возбужден, френкел, шоттк, термоактивац, рекомбинац, виброн, примесн, перезарядк, коллоид, перестраиваем, лазер, широкощелев, галоидосод, алюмосилик

Первый в мировой литературе монографический обзор явлений распада электронных возбуждений с рождением точечных дефектов в твёрдых телах. Для ионных кристаллов рассмотрены особенности электронных возбуждений, дефектов, излучательного и безызлучательного распада экситонов. Обсуждены механизмы действия запоминающих сред и критерии радиационной неустойчивости кристаллов.

Особенно подробно обсуждаются электронные возбуждения и радиационные дефекты в простейших модельных щёлочно-галоидных кристаллах; менее подробно — процессы радиационного дефектообразования в других неорганических системах.

Для научных работников, инженеров, аспирантов и преподавателей, специализирующихся в области физики твёрдого тела, люминесценции, радиационной физики диэлектриков и полупроводников, физики экситонов.

Табл. 19. Ил. 132. Библиогр. 562 назв.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ6
 
ПРЕДИСЛОВИЕ7
 
Г л а в а  1.  СОЗДАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ТВЁРДЫХ ТЕЛАХ11
 
§ 1.1. Ударные механизмы создания радиационных дефектов в
кристаллах11
§ 1.2. Создание радиационных дефектов при распаде электронных
возбуждений13
§ 1.3. Возможные механизмы дефектообразования при распаде
электронных возбуждений15
 
Г л а в а  2.  ЩЁЛОЧНО-ГАЛОИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ19
 
§ 2.1. Общие замечания19
§ 2.2. Структура идеальных кристаллов20
§ 2.3. Элементарные возбуждения кристаллов AIBVII23
§ 2.4. Примесные ионы в ЩГК25
§ 2.5. Методы выращивания ЩГК27
 
Г л а в а  3.  ИОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЩГК31
 
§ 3.1. Колебательные спектры. Фононы31
§ 3.2. Дефекты Френкеля и Шоттки33
§ 3.3. Анионные френкелевские дефекты36
§ 3.4. Катионные френкелевские дефекты41
 
Г л а в а  4.  ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЩГК44
 
§ 4.1. Экспериментальное исследование электронных возбуждений в
кристаллах44
§ 4.2. Собственные электронные возбуждения в ЩГК48
§ 4.3. Зонная структура ЩГК56
§ 4.4. Размножение электронных возбуждений в ЩГК60
§ 4.5. Рентгеновские возбуждения. Катионные экситоны67
 
Г л а в а  5.  СВОБОДНЫЕ И АВТОЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ
ВОЗБУЖДЕНИЯ
69
 
§ 5.1. Автолокализация электронных возбуждений в твёрдых телах69
§ 5.2. Автолокализованные дырки в ЩГК71
§ 5.3. Движение автолокализованных и горячих дырок74
§ 5.4. Автолокализованные экситоны77
§ 5.5. Свободные экситоны в ЩГК86
§ 5.6. Сосуществование свободных и автолокализованных экситонов
в ЩГК95
 
Г л а в а  6.  РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ СТАБИЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК101
 
§ 6.1. Создание дефектов рентгеновской радиацией и электронами101
§ 6.2. Создание дефектов ВУФ радиацией105
§ 6.3. Низкотемпературное создание френкелевских дефектов ВУФ
радиацией110
§ 6.4. Пространственная топография радиационного
дефектообразования114
 
Г л а в а  7.  НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ТЕРМОАКТИВАЦИОННАЯ
СПЕКТРОСКОПИЯ ДЕФЕКТОВ В ЩГК
116
 
§ 7.1. Термоактивационная спектроскопия облученных кристаллов116
§ 7.2. Термоактивационная спектроскопия радиационных дефектов
в ЩГК124
§ 7.3. Излучательные и безызлучательные рекомбинации дефектов131
§ 7.4. Распределение френкелевских пар по междефектным расстояниям135
 
Г л а в а  8. КОРОТКОЖИВУЩИЕ ДЕФЕКТЫ139
 
§ 8.1. Создание дефектов импульсными электронными пучками139
§ 8.2. Создание дефектов пикосекундными лазерными импульсами141
§ 8.3. Создание дефектов методом каскадного возбуждения142
 
Г л а в а  9.  ЭКСИТОННЫЕ МЕХАНИЗМЫ СОЗДАНИЯ F, H-ПАР147
 
§ 9.1. Основные модели создания F, H-пар147
§ 9.2. Вибронный механизм распада экситонов150
§ 9.3. Диссоциативные механизмы157
§ 9.4. Релаксационный механизм161
§ 9.5. Экситонно-примесные механизмы161
 
Г л а в а  10.  ПЕРЕЗАРЯДКА ФРЕНКЕЛЕВСКИХ ПАР164
 
§ 10.1. Возможные механизмы создания α, I-пар164
§ 10.2. Туннельная перезарядка френкелевских пар165
§ 10.3. Создание α, I-пар с участием вторичных e-, e+, eo168
§ 10.4. Низкотемпературное движение горячих междоузельных ионов172
 
Г л а в а  11.  ОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ ПРИ РЕКОМБИНАЦИИ
ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК
174
 
§ 11.1. Образование дефектов при фотостимулированной рекомбинации
электронов с автолокализованными дырками174
§ 11.2. Обнаружение рекомбинационного создания F, H-пар методом ЭПР175
§ 11.3. Особенности рекомбинационного механизма177
§ 11.4. Температурная зависимость радиационного создания дефектов178
 
Г л а в а  12.  ДВА КАНАЛА БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНОГО РАСПАДА ЭЛЕКТРОННЫХ
ВОЗБУЖДЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ
180
 
§ 12.1. Излучательный распад электронных возбуждений180
§ 12.2. Безызлучательный распад электронных возбуждений с
тепловыделением133
§ 12.3. Безызлучательный распад электронных возбуждений с рождением
дефектов187
§ 12.4. Роль локальных колебаний при распаде электронных возбуждений
с рождением дефектов189
§ 12.5. Ориентационные эффекты при радиационном создании дефектов192
 
Г л а в а  13.  РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ КАТИОННЫХ ДЕФЕКТОВ196
 
§ 13.1. Радиационное создание катионных френкелевских дефектов196
§ 13.2. Радиационное создание катионных вакансий и ионная проводимость198
§ 13.3. Радиационное создание VF-центров199
§ 13.4. Поиск междоузельных катионов200
§ 13.5. Трёхгалоидные центры окраски в ЩГК201
§ 13.6. Механизмы создания катионных дефектов в ЩГК205
 
Г л а в а  14.  АССОЦИАЦИЯ ДЕФЕКТОВ И РАДИОЛИЗ209
 
§ 14.1. Ассоциация H-центров. Дислокационные петли209
§ 14.2. Ассоциация F-центров. Образование коллоидального металла213
§ 14.3. Радиолиз и разрушение ЩГК с участием катионных и анионных
дефектов216
 
Г л а в а  15.  СОЗДАНИЕ ДЕФЕКТОВ С УЧАСТИЕМ ДОРАДИАЦИОННЫХ
НАРУШЕНИЙ
218
 
§ 15.1. Радиационное дефектообразование с участием примесных
диполей M2+vc-218
§ 15.2. Создание центров окраски с участием примесных ионов M+220
§ 15.3. Радиационное создание активных центров для перестраиваемых
лазеров223
 
Г л а в а  16.  РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ ДЕФЕКТОВ В ТВЁРДЫХ ТЕЛАХ
РАЗНЫХ КЛАССОВ
226
 
§ 16.1. Критерии радиационной неустойчивости широкощелевых
диэлектриков226
§ 16.2. Особенности электронных возбуждений в твёрдых телах разных
классов228
§ 16.3. Создание дефектов при больших мощностях облучения233
§ 16.4. Распад электронных возбуждений с созданием и преобразованием
дефектов в полупроводниках233
 
Г л а в а  17.  ПРИМЕНЕНИЕ РАСПАДА ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ
С РОЖДЕНИЕМ ДЕФЕКТОВ В ЗАПОМИНАЮЩИХ СРЕДАХ
236
 
§ 17.1. Радиационно-чувствительные запоминающие среды236
§ 17.2. Запоминающие среды на основе галоидосодержащих
алюмосиликатов237
§ 17.3. Сверхлинейные по мощности возбуждения эффекты памяти239
 
ЗАКЛЮЧЕНИЕ242
 
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ246

Книги на ту же тему

  1. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
  2. Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
  3. Теория ангармонических эффектов в кристаллах, Лейбфрид Г., Людвиг В., 1963
  4. Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
  5. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
  6. Физика твёрдого тела: Атомная структура твёрдых тел, Жданов Г. С., ред., 1972
  7. Физика твёрдого тела: Электронные свойства твёрдых тел, Жданов Г. С., ред., 1972
  8. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987
  9. Физические основы прочности и пластичности (Введение в теорию дислокаций), Миркин Л. И., 1968
  10. Континуальная теория дислокаций, Эшелби Д., 1963
  11. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
  12. Высокотемпературная сверхпроводимость: Актуальные проблемы. Вып. 1, Киселёв А. А., ред., 1989
  13. Диэлектрики и радиация: Кн. 7: Влияние трансмутантов на свойства керамических диэлектриков, Костюков Н. С., Астапова Е. С., Еремин И. Е., Демчук В. А., Щербакова Е. В., 2007
  14. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, Адирович Э. И., 1951
  15. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.030 secработаем на движке KINETIX :)