t.me/knigoprovod Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время19.10.20 18:28:15
На обложку
Параллельные вычислительные системыавторы — Головкин Б. А.
Краткий курс теории экстремальных задачавторы — Галеев Э. М., Тихомиров В. М.
Защита неэндемичных территорий от тропических вирусных геморрагических…авторы — Дроздов С. Г., Сергиев В. П.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
В ЛЕТНЕ-ОСЕННЕЕ ВРЕМЯ ВОЗМОЖНЫ И НЕМИНУЕМЫ ЗАДЕРЖКИ ПРИ ОБРАБОТКЕ ЗАКАЗОВ
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Диэлектрические материалы: Радиационные процессы и радиационная стойкость — Шварц К. К., Экманис Ю. А.
Диэлектрические материалы: Радиационные процессы и радиационная стойкость
Шварц К. К., Экманис Ю. А.
год издания — 1989, кол-во страниц — 187, ISBN — 5-7966-0134-2, тираж — 1000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7БЦ, масса книги — 290 гр., издательство — Зинатне. Рига
серия — Физика твёрдого состояния
цена: 299.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — очень хорошая

Р е ц е н з е н т ы:
акад. АН Эстонии, проф., д-р физ.-мат. наук Ч. Б. Лущик
проф., д-р хим. наук Б. Т. Плаченов

Печатается по решению Редакционно-издательского совета АН ЛатвССР от 10.03.1988

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая
ключевые слова — радиацион, диэлектр, поглощённ, дефектов, радиолиз, щелочно-галоид, кристалл, облучен, нейтрон, коллоид, лазерн, радиоактив, отход, ионизирующ, твёрд, дозиметр, радиохром, треков, детектор, физико-хим, имплантац, твердотельн, окраск

В радиационных процессах, протекающих в диэлектрических материалах при больших поглощённых дозах излучения (102—103 МГр), решающую роль играют агрегация точечных дефектов и радиолиз. В щелочно-галоидных кристаллах при дозах 102—104 МГр основными радиационными дефектами являются агрегатные (Fn- и Vn-центры) и макродефекты — металлические коллоиды и агрегаты анионных продуктов радиолиза. В оксидных материалах при облучении быстрыми нейтронами (до 1022 нейтр/см2) также происходит агрегация точечных дефектов, приводящая к изменению плотности вещества. В этих соединениях образование металлических коллоидов менее выражено, чем в щелочно-галоидных кристаллах. Радиационные дефекты в оксидных материалах образуются по ударному механизму, что определяет их более высокую радиационную стойкость по сравнению со щелочно-галоидными кристаллами, в которых реализуется электронный механизм генерации дефектов.

В монографии освещена также проблема радиационной стойкости диэлектрических материалов, использующихся в ядерной и термоядерной энергетике, а также в твердотельной электронике Коротко рассмотрены вопросы лучевой стойкости лазерных материалов. Анализируется экологический аспект захоронения радиоактивных отходов в пластах каменной соли.

Табл. 47, ил. 87, библиогр. 395 назв.


В настоящей работе предпринята попытка рассмотреть радиационные процессы, протекающие в диэлектрических материалах в области больших поглощённых доз ионизирующего излучения, при которых поглощённая на один атом энергия сравнима с энергией связи или существенно больше её.

Первичные процессы образования радиационных дефектов в твёрдых телах рассмотрены в двух монографиях тартуской школы: Ч. Б. Лущик, А. Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с рождением дефектов в твёрдых телах. — М.: Наука, 1989; М. А. Эланго. Элементарные упругие радиационные процессы. — М.: Наука, 1988. В связи с этим в настоящей монографии главное внимание уделяется вторичным радиационным процессам — агрегации точечных дефектов с образованием макродефектов и продуктов радиолиза, которые существенно зависят как от поглощённой дозы, так и от мощности дозы и температуры облучения.

На основе исследований щелочно-галоидных кристаллов предпринята попытка установить общие закономерности процессов образования радиационных макродефектов в области больших поглощённых доз. Разработанные при этом методология и модели применимы и к другим классам материалов. Радиационные эффекты при больших поглощённых дозах в оксидных материалах (MgO, Аl2О3, SiO2) рассмотрены на более описательном уровне, чем в щелочно-галоидных кристаллах. Это объясняется тем, что первичные процессы в оксидных материалах менее исследованы, чем в щелочно-галоидных кристаллах, что затрудняет выявление элементарных механизмов вторичных радиационных процессов. Однако более высокая радиационная стойкость оксидных материалов в значительной степени объясняется отсутствием в них электронного механизма образования первичных радиационных дефектов.

Прикладные аспекты отражены при рассмотрении радиационной стойкости диэлектриков. Приведённые в монографии данные можно использовать для поиска радиационно стойких материалов. Взаимосвязь радиационной и лучевой стойкости анализируется при рассмотрении лазерного повреждения (лучевой стойкости) материалов и стабильности лазеров на центрах окраски. Экологические проблемы затронуты при анализе радиационных процессов в хранилищах радиоактивных отходов.

ПРЕДИСЛОВИЕ




Авторы Курт Куртович Шварц, чл.-кор. АН ЛатвССР, проф., д-р физ.-мат. наук, заведующий лабораторией радиационных процессов в твёрдых телах Института физики АН ЛатвССР, и Юрий Арнольдович Экманис, д-р физ.-мат. наук, директор Физико-энергетического института АН ЛатвССР, более двадцати лет занимаются исследованием радиационных и фотостимулированных процессов в неорганических диэлектриках и полупроводниках.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие5
Основные обозначения7
 
ГЛАВА 1. Взаимодействие радиации с диэлектрическими материалами9
 
1.1. Источники радиации9
1.2. Основные этапы развития радиационной физики твёрдого тела15
1.3. Взаимодействие радиации с твёрдыми диэлектриками18
1.4. Образование центров окраски в ионных кристаллах23
1.5. Радиационные дефекты при больших поглощённых дозах27
1.6. Радиационные процессы при воздействии ионов30
1.7. Методы исследования радиационных дефектов в области больших
поглощённых доз32
 
ГЛАВА 2. Определение поглощённой дозы37
 
2.1. Поглощённая доза37
2.2. Калориметрия40
2.3. Химическая дозиметрия41
2.4. Люминесцентная дозиметрия44
2.5. Радиохромная дозиметрия49
2.6. Твердотельные трековые детекторы51
 
ГЛАВА 3. Радиационные процессы в щелочно-галоидных кристаллах53
 
3.1. Физико-химические свойства щелочно-галоидных кристаллов53
3.2. Первичные процессы образования дефектов55
3.2.1. Дефекты при малых поглощённых дозах55
3.2.2. Кинетика накопления первичных дефектов59
3.2.3. Агрегатные радиационные дефекты65
3.3. Образование конечных продуктов радиолиза73
3.3.1. Коллоидные центры73
3.3.2. Образование зародышей электронных агрегатных центров81
3.3.3. Модели роста радиационных коллоидных частиц84
 
ГЛАВА 4. Радиационные процессы в широкощелевых оксидных материалах100
 
4.1. Общая характеристика материалов100
4.2. Ударный механизм образования дефектов в оксидных материалах104
4.3. Модели центров окраски в оксидных кристаллах105
4.4. Радиационные эффекты в кристаллах MgO, Аl2О3 и MgAl2O4 при
больших поглощённых дозах108
4.5. Радиационные эффекты при ионной имплантации112
4.6. Радиационные эффекты в SiO2115
 
ГЛАВА 5. Радиационная стойкость диэлектрических материалов123
 
5.1. Материалы для термоядерных устройств126
5.2. Элементы твердотельной электроники128
5.3. Лазерное разрушение прозрачных диэлектриков130
5.4. Управление радиационной стойкостью132
5.5. Радиационное повреждение поверхности133
5.6. Роль рекомбинационных процессов при воздействии радиации138
5.7. Стабилизация продуктов радиолиза примесями140
 
ГЛАВА 6. Лазеры на центрах окраски142
 
6.1. Общие принципы лазеров на центрах окраски142
6.2. Лазеры на центрах окраски щелочно-галоидных кристаллов144
6.3. Стабилизация центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах146
6.4. Лазеры на центрах окраски других кристаллических матриц150
 
ГЛАВА 7. Процессы в хранилищах радиоактивных отходов151
 
7.1. Радиационные эффекты в каменной соли151
7.2. Накопление продуктов радиолиза в пластах каменной соли152
 
Итоги и перспективы157
Приложения160
Список литературы164
Предметный указатель183

Книги на ту же тему

  1. Электрическая проводимость жидких диэлектриков, Адамчевский И., 1972
  2. Диэлектрики и радиация: Кн. 7: Влияние трансмутантов на свойства керамических диэлектриков, Костюков Н. С., Астапова Е. С., Еремин И. Е., Демчук В. А., Щербакова Е. В., 2007
  3. Водный режим атомных электростанций, Герасимов В. В., Касперович А. И., Мартынова О. И., 1976

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.057 secработаем на движке KINETIX :)