Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время28.03.24 21:40:07
На обложку
Мелкобуржуазный революционаризм. (Об анархизме, троцкизме…авторы — Лейбзон Б. М.
Сад признанияавторы — Новарина В.
Труды востоковедов в годы блокады Ленинграда (1941—1944)авторы — Попова И. Ф., ред.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение
Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение
Сборник статей
год издания — 1968, кол-во страниц — 376, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 420 гр., издательство — Мир
цена: 399.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая. Потёртая обложка

Пер. с англ. Ю. И. Рогозина и В. П. Сондаевского

Формат 84x108 1/32. Бумага кн.-журнальная
ключевые слова — полупроводник, свч-электроник, ганн, ридли-уоткинс, хилсум, перенос, свч-колебан, неустойчивост, gaas, inp, двухдолинн, диод, арсенид, эпитакс, колебан

Сборник переводных статей зарубежных специалистов посвящён одному из новых, перспективных направлений полупроводниковой электроники — генераторам СВЧ на основе эффекта Ганна (возникновение электрических колебаний в однородном полупроводнике при наложении постоянного электрического поля).

Включённые в сборник статьи содержат изложение принципов работы генераторов Ганна, важнейшие экспериментальные исследования эффекта Ганна и описание его практических применений.

Книга рассчитана на инженеров и физиков, работающих в области полупроводниковой электроники, занимающихся её применениями в технике СВЧ и разработкой конкретных бортовых систем.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора5
 
I. МОДЕЛЬ РИДЛИ-УОТКИНСА-ХИЛСУМА И ОТКРЫТИЕ ЭФФЕКТА ГАННА
 
1. Б.  Р и д л и,  Т.  У о т к и н с.  Возможность возникновения
отрицательного сопротивления в полупроводниках17
2. К.  Х и л с у м.  Усилители и генераторы, основанные на
эффекте переноса электронов37
3. Дж.  Г а н н.  СВЧ-колебания тока в полупроводниках типа
AIIIBV51
4. Дж.  Г а н н.  Неустойчивости тока и распределения
потенциала в GaAs и InP55
5. Дж.  Г а н н.  Характеристики эффекта переноса электронов,
связанные с неустойчивостями в GaAs67
 
II. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
 
6. А.  Ч а й н о в е с,  У.  Ф е л д м а н,  Д.  М а к к а м б е р.  Механизм
эффекта Ганна79
7. Р.  Э н г е л ь м а н,  К.  К у э й т.  Линейная, или
«малосигнальная», теория эффекта Ганна99
8. Дж.  К о у п л е н д.  Электростатические домены в
двухдолинных полупроводниках121
9. П.  Б а т ч е р,  У.  Ф о с е т т,  К.  Х и л с у м.  Упрощенный
анализ движения стабильных доменов в эффекте Ганна131
10. П.  Б а т ч е р,  У.  Ф о с е т т.  Стабильные движущиеся
домены в эффекте Ганна152
11. Дж.  К о у п л е н д.  Стабильные слои объёмного заряда в
двухдолинных полупроводниках169
12. Б.  X а к к и.  Усиление в двухдолинных полупроводниках193
13. В.  Х е й н л е.  Определение формы колебаний тока и к.п.д.
диодов Ганна227
14. Дж.  К о у п л е н д.  Теоретическое исследование диода
Ганна в резонансной схеме236
 
III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МЕХАНИЗМА
ЭФФЕКТА ГАННА И ВОЗМОЖНОСТИ ЕГО ПРИМЕНЕНИЯ
 
15. М.  Ш ь я м,  Дж.  А л л е н,  Г.  П и р с о н.  Влияние изменения
энергетического зазора между минимумами на ганновские
колебания251
16. Дж.  Х и к с.  Некоторые характеристики движущегося домена
сильного поля з диодах, основанных на эффекте Ганна263
17. Дж.  Д э й.  СВЧ-колебания в высокоомном GaAs294
18. Д.  Д о у,  Ч.  М о ш е р,  А.  В е й н.  Генераторы большой
импульсной мощности на арсениде галлия311
19. Г.  Т и м,  М.  Б а р б е р.  Усиление СВЧ в объёме GaAs324
20. Т.  X а с т и,  П.  К а н н и н г е м,  У.  В и с с е м а н.  СВЧ-колебания
в эпитаксиальных слоях GaAs336
21. Дж.  Г а н н.  Влияние характеристик домена и внешней
схемы на колебания в GaAs344

Книги на ту же тему

  1. Волны и взаимодействия в плазме твёрдого тела, Платцман Ф., Вольф П., 1975
  2. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  3. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  4. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  5. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  6. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
  7. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  8. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.020 secработаем на движке KINETIX :)