Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время07.02.23 01:02:52
На обложку
Биота в процессах массопереноса в водных объектахавторы — Бреховских В. Ф., Казмирук В. Д., Вишневская Г. Н.
Тюрко-татарское письмо (история, состояние и перспективы)авторы — Закиев М. З.
Где сидит фазан…: Очерки последних летавторы — Зорин А. Л.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Радиоэлектроника. Электротехника

Плоскостные транзисторы — Яковчук Н. С., Челноков В. Е., Гейфман М. П.
Плоскостные транзисторы
Яковчук Н. С., Челноков В. Е., Гейфман М. П.
год издания — 1961, кол-во страниц — 264, тираж — 15700, язык — русский, тип обложки — твёрд. картон, масса книги — 320 гр., издательство — Судпромгиз
цена: 499.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — удовл.

Р е ц е н з е н т: к-т ф.-м. наук Ю. К. Барсуков

Формат 60x90 1/16
ключевые слова — электронно-дырочн, транзистор, электроник, радиоинженер, радиотех, полупроводник, эмиттер, германиев, усилител, шумов, шумфактор, осциллограф, модулятор, замыкател

В книге изложены общие основы физики процессов, протекающих в электронно-дырочном переходе и плоскостном транзисторе. Подробно освещены основы расчёта различных электронных схем на плоскостных транзисторах. Приводится также описание некоторых судовых приборов с применением транзисторов. Книга рассчитана на студентов, изучающих электронику транзисторов, радиоинженеров и научных работников, работающих в области применения полупроводниковых приборов.


В связи с успешным применением транзисторов в современной радиотехнике возникла задача более широкого ознакомления радиоинженеров с электроникой полупроводниковых приборов.

Вошедший в книгу материал неоднократно обсуждался в лабораториях научно-исследовательских организаций и проверялся на практике. При написании книги авторами были учтены все ценные советы и указания, которые были высказаны в ходе обсуждений.

Главы 1 и 2 книги дают общие понятия о физике процессов, протекающих в электронно-дырочном переходе. В гл. 3 изложены принципы действия плоскостных транзисторов и математический анализ наиболее рациональной эквивалентной схемы. В остальных главах подробно освещены основы расчёта различных электронных схем, дано описание измерительной аппаратуры. В гл. 10 описаны некоторые приборы с применением транзисторов, употребляемые при оборудовании судов, а также дан справочный материал по отечественным транзисторам.

При написании книги были использованы оригинальные статьи и монографии, а также работы авторов. Некоторые вопросы, связанные с работой транзисторов в качестве элементов радиосхем, освещаются впервые.

Главы 1 и 2 написаны В. Е. Челноковым, главы 3—9 и приложение — Н. С. Яковчуком, глава 10 — М. П. Гейфманом.

Авторы выражают благодарность кандидатам физико-математических наук Ю. К. Барсукову, В. И. Стафееву и кандидату техн. наук С. Я. Шацу за ценные советы, а также профессору В. М. Тучкевичу за руководство в работе. Кроме того, авторы благодарят Л. Чижову и А. К. Яковчук за помощь при подготовке рукописи к печати…

ОТ АВТОРОВ

ОГЛАВЛЕНИЕ

От авторов3
Принятые обозначения4
 
Глава 1. Основные представления физики полупроводников
 
§ 1. Строение кристаллической решётки полупроводниковых веществ7
§ 2. Зонная схема полупроводникового кристалла9
§ 3. Собственная проводимость полупроводников13
§ 4. Примесная проводимость полупроводников17
§ 5. Основные и неосновные носители тока23
§ 6. Выражение для потока носителей тока в полупроводнике26
 
Глава 2. Электронно-дырочный переход
 
§ 7. Зонная схема электронно-дырочного перехода32
§ 8. Электронно-дырочный переход под прямым напряжением37
§ 9. Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода43
§ 10. Толщина и ёмкость запорного слоя57
 
Глава 3. Плоскостные транзисторы
 
§ 11. Принцип действия плоскостного транзистора63
§ 12. Эквивалентная схема плоскостного транзистора77
§ 13. Практическая эквивалентная схема транзистора85
§ 14. Семейство вольтамперных характеристик коллектора и
эмиттера98
§ 15. Плоскостные транзисторы, обладающие отрицательным
сопротивлением106
 
Глава 4. Зависимость параметров германиевых транзисторов от
температуры и режима питания
 
§ 16. Введение109
§ 17. Сопротивление эмиттера и сопротивление базы
§ 18. Сопротивление коллектора110
§ 19. Усиление по току111
§ 20. Зависимость граничной частоты от температуры115
§ 21. Зависимость Iks и Ik0 от температуры116
§ 22. Температурная стабилизация режима работы плоскостных
транзисторов в электронных устройствах118
 
Глава 5. Многокаскадные усилители на плоскостных транзисторах
 
§ 23. Одиночный усилительный каскад123
§ 24. Анализ усилительного каскада с заземлённым эмиттером127
§ 25. Усилители с конденсаторным соединением131
§ 26. Усилители с трансформаторным соединением139
§ 27. Методика расчёта оконечных каскадов усилителей низкой
частоты140
§ 28. Практические схемы двухтактных усилителей150
§ 29. Усилительный каскад с высоким входным сопротивлением151
 
Глава 6. Некоторые вопросы построения высокочастотных схем
 
§ 30. Введение154
§ 31. Теория нейтрализации155
§ 32. Практические схемы резонансных усилителей с
нейтрализацией внутренней обратной связи160
§ 33. Амплитудный детектор164
§ 34. Смесители частот168
 
Глава 7. Генераторы
 
§ 35. Введение172
§ 36. Генераторы почти синусоидальных колебании с обратной
связью
§ 37. Релаксационный генератор с индуктивной обратной связью182
§ 38. Генераторы синусоидальных колебаний с отрицательным
сопротивлением185
§ 39. Генераторы разрывных колебаний191
 
Глава 8. Методы измерения параметров транзисторов
 
§ 40. Введение201
§ 41. Методы измерения параметров203
§ 42. Прибор для осциллографического исследования
характеристик транзисторов211
 
Глава 9. Шумовые свойства плоскостных транзисторов
 
§ 43. Введение216
§ 44. Измерение шумфактора222
§ 45. Усилители с малым уровнем шумов227
 
Глава 10. Транзисторные преобразователи и их применение
 
§ 46. Полупроводниковые преобразователи230
§ 47. Схема питания и развёртки портативного переносного
осциллографа239
§ 48. Модулятор242
§ 49. Тональный генератор на плоскостных транзисторах244
§ 50. Усилитель громкоговорящей связи247
§ 51. Бесконтактный замыкатель250
 
Приложение254
Литература259

Книги на ту же тему

  1. Печатные схемы: Их конструирование и применение, Дьюкс Д. М., 1963
  2. 123 эксперимента по робототехнике, Предко М., 2007

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.029 secработаем на движке KINETIX :)