КнигоПровод.Ru12.10.2024

/Наука и Техника/Физика

Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование
Труды Физико-технологического института РАН, т. 18
год издания — 2005, кол-во страниц — 415, ISBN — 5-02-033950-4, 0868-7129, тираж — 300, язык — русский, тип обложки — мягк., издательство — Наука
цена: 499.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Рецензент академик В. Б. Бетелин
Утверждено к печати Учёным советом Физико-технологического института РАН
Формат 70x100 1/16. Печать офсетная
ключевые слова — квантов, наноэлектрон, спин, нанометр, наноэлектромеханик, нанооптик, нанофотон, спинтрон, транзистор, плазмохим, наноструктур, гетероструктур, эпитаксиал

Сборник включает статьи по квантовым методам обработки информации, микро- и наноэлектронике. Авторы первой части сборника концентрируют внимание на проблемах реализации полномасштабного твердотельного квантового компьютера на ядерных спинах. Вторая часть сборника посвящена описанию разработок важнейших технологических процессов и оборудования для микро- и наноэлектроники. В третьей части рассмотрены вопросы мониторинга технологических процессов. Методы моделирования технологических процессов описываются в четвертой части сборника. В пятой и шестой частях представлены работы по диагностике и теоретическому описанию наноструктур и нанотранзисторов. Для специалистов в области микроэлектроники.

«Почти 60 лет назад был изобретен транзистор и почти 50 лет прошло с тех пор, как были созданы первые интегральные схемы. В 2000 г. кремниевая микроэлектроника преодолела 100-нанометровый барьер. Этот переход считается революционным, приведшим к рождению целого ряда новых направлений науки и техники. Появились наноэлектроника, наноэлектромеханика, нанооптика и нанофотоника, спинтроника и магнитоэлектроника, молекулярная наноэлектроника, полимерная электроника, биосенсорика и др.

До минимального размера порядка 10 нм транзистор сохраняет свои переключательные и усилительные свойства, что полностью определяет путь развития кремниевой наноэлектроники вплоть до 2020 г. В диапазоне размеров 5-0.5 нм наступает эра мезоскопических структур и приборов, а при размерах 0.5 нм и менее — эра квантовых чипов.

Уменьшение длины канала транзистора до 10 нм приводит к качественному изменению его свойств. Все большую роль играют квантовые эффекты. Транзистор становится баллистическим, т.е. электрон движется в канале, как волна де Бройля. В транзисторах в тонком «кремнии на изоляторе» проявляется размерное квантование, что изменяет величину порогового напряжения, прямое туннелирование «сток-исток» и т.п. Создание квантовых моделей транзисторов является актуальной задачей. Требуется разработка новых технологий нанесения подзатворного диэлектрика, создания затворов с металлической проводимостью, высоконадёжных контактных систем, сверхмелкого легирования областей стока и истока.

Мезоскопические структуры — электронные приборы, размеры активной области которых сопоставимы с такими параметрами электрона, как длина волны де Бройля на поверхности Ферми, а также длина свободного пробега, длина когерентности, длина сбоя фазы и радиус экранирования. В таких приборах заметную роль начинают играть квантовые явления…»

ПРЕДИСЛОВИЕ

Proceedings include articles on quantum methods for information processing. First part concentrates on problems of realization of solid state full-scale quantum computer on nuclear spins. Part two describes design of echnological processes and equipment for micro- and nanoelectronics. Third part considers in situ monitoring of technological processes. Part four presents mathematical methods for modeling of technological processes. Parts five and six contain articles on diagnostics and theoretical models of nanostructures and nanotransistors. For specialists in the field of microelectronics.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие3
Академик К.А. Валиев: 50 лет в науке5
 
1. Исследования по проблеме создания квантовых компьютеров
 
К. А. Валиев, А. А. Кокин
Проблемы реализации полномасштабного квантового компьютера на
ядерных спинах в кремниевой наноструктуре
19
 
А. В. Цуканов
Оптическое управление орбитальными и спиновыми состояниями электронов
в квантовых точках
37
 
В. В. Вьюрков, А. А. Ветров, А. А. Орликовский
Методы измерения состояния одиночного спина49
 
С. Н. Добряков, В. В. Привезенцев
Экспериментальное и компьютерное исследование магнитного резонанса
цинк-фосфорной двухспиновой системы в матрице кремния
60
 
П. Б. Можаев, Ю. Е. Можаева, И. К. Бдикин, И. М. Котелянский, В. А. Лузанов,
Й. Б. Хансен, К. Ш. Якобсен, А. Л. Холкин
Биэпитаксиальные тонкие плёнки высокотемпературного сверхпроводника
для создания квантовых битов
78
 
Ю. И. Богданов
Многопараметрические статистические модели в задачах квантовой
информатики
91
 
2. Технологические процессы и оборудование микро- и наноэлектроники
 
С. Н. Аверкин, К. А. Валиев, А. В. Мяконьких, А. А. Орликовский, К. В. Руденко,
А. А. Рылов, Я. Н. Суханов, И. А. Тюрин, А. В. Фадеев, А. Е. Юрков
Разработка низкотемпературных плазмохимических процессов и серии
плазменных установок для микро- и нанотехнологий
121
 
Ю. П. Маишев, Ю. П. Терентьев
Источники ионов для осаждения тонких плёнок диэлектрических и
композиционных материалов
138
 
Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук
Ионно-лучевая обработка: осаждение тонких плёнок из низкоэнергетичного
пучка ионов
148
 
М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, И. А. Волегова, В. А. Кальнов
Электронно-лучевое парофазное нанесение тонких плёнок и наноструктур
из органических и металлоорганических прекурсоров
161
 
И. И. Амиров, О. В. Морозов, М. О. Изюмов, В. А. Кальнов, А. А. Орликовский,
К. А. Валиев
Плазменные процессы глубинного травления Si и SiO2 для целей
микротехнологии
173
 
3. Мониторинг технологических процессов
 
С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов
Зондовая диагностика боросодержащей плазмы ВЧ- и СВЧ-источников для
процессов плазменно-иммерсионной ионной имплантации
189
 
К. В. Руденко, А. В. Фадеев, А. А. Орликовский
Малоракурсная 2D-томография пространственных неоднородностей плазмы
в технологических реакторах микроэлектроники
208
 
4. Моделирование технологических процессов
 
К. А. Валиев, В. В. Ивин, В. П. Кудря, Т. М. Махвиладзе
Использование математического моделирования фотолитографических
процессов: от субполмикронных к нанометровым размерам
219
 
К. А. Валиев, В. В. Ивин, В. П. Кудря, Т. М. Махвиладзе
Некоторые аспекты математического моделирования процессов электронной
литографии
241
 
К. А. Валиев, В. П. Кудря, Т. М. Махвиладзе, К. П. Новоселов
Атомистическое моделирование процессов осаждения256
 
5. Диагностика наноструктур
 
A. M. Афанасьев, М. А. Чуев, P. M. Имамов, А. А. Ломов, Э. Х. Мухамеджанов,
Э. М. Пашаев
Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия как метод диагностики
полупроводниковых гетероструктур с нанометровыми слоями
279
 
М. А. Чуев, A. M. Афанасьев, Н. П. Аксенова
Новые направления в гамма-резонансной спектроскопии, сфокусированные
на диагностику магнитных наноматериалов
304
 
6. Нанотранзисторы и наноструктуры
 
А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский
Моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов с учётом квантовых
эффектов
327
 
А. Д. Кривоспицкий, А. А. Окшин, А. А. Орликовский, Ю. Ф. Семин,
Ю. В. Чебакова
Разработка технологических маршрутов создания нанотранзисторов с длиной
затвора 100 нм
345
 
К. А. Валиев, А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин
Современные системы металлизации и их эволюция в нанотранзисторной
электронике
357
 
К. А. Валиев, Р. В. Гольдшшейн, Т. М. Махвиладзе
Некоторые вопросы прочности и разрушения компонент микро- и
субмикроэлектроники
379
 
С. Д. Ананьев, В. В. Вьюрков, В. Ф. Лукичев
Влияние шероховатостей поверхности на проводимость слоистых магнитных
структур
398

Книги на ту же тему

  1. Статистическая структура квантовой механики и скрытые параметры, Холево А. С., 1985
  2. Статистическая структура квантовой теории, Холево А. С., 2003
  3. Физико-статистические основы квантовой информатики, Богданов Ю. И., 2011
  4. Вопросы причинности в квантовой механике, Терлецкий Я. П., Гусев А. А., ред., 1955
  5. Нанотехнологии в микроэлектронике, Агеев О. А., Коноплёв Б. Г., ред., 2019
  6. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009

© 1913—2013 КнигоПровод.Ruhttp://knigoprovod.ru