От авторов | 3 |
Принятые обозначения | 4 |
|
Глава 1. Основные представления физики полупроводников |
|
§ 1. Строение кристаллической решётки полупроводниковых веществ | 7 |
§ 2. Зонная схема полупроводникового кристалла | 9 |
§ 3. Собственная проводимость полупроводников | 13 |
§ 4. Примесная проводимость полупроводников | 17 |
§ 5. Основные и неосновные носители тока | 23 |
§ 6. Выражение для потока носителей тока в полупроводнике | 26 |
|
Глава 2. Электронно-дырочный переход |
|
§ 7. Зонная схема электронно-дырочного перехода | 32 |
§ 8. Электронно-дырочный переход под прямым напряжением | 37 |
§ 9. Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода | 43 |
§ 10. Толщина и ёмкость запорного слоя | 57 |
|
Глава 3. Плоскостные транзисторы |
|
§ 11. Принцип действия плоскостного транзистора | 63 |
§ 12. Эквивалентная схема плоскостного транзистора | 77 |
§ 13. Практическая эквивалентная схема транзистора | 85 |
§ 14. Семейство вольтамперных характеристик коллектора и |
эмиттера | 98 |
§ 15. Плоскостные транзисторы, обладающие отрицательным |
сопротивлением | 106 |
|
Глава 4. Зависимость параметров германиевых транзисторов от |
температуры и режима питания |
|
§ 16. Введение | 109 |
§ 17. Сопротивление эмиттера и сопротивление базы | — |
§ 18. Сопротивление коллектора | 110 |
§ 19. Усиление по току | 111 |
§ 20. Зависимость граничной частоты от температуры | 115 |
§ 21. Зависимость Iks и Ik0 от температуры | 116 |
§ 22. Температурная стабилизация режима работы плоскостных |
транзисторов в электронных устройствах | 118 |
|
Глава 5. Многокаскадные усилители на плоскостных транзисторах |
|
§ 23. Одиночный усилительный каскад | 123 |
§ 24. Анализ усилительного каскада с заземлённым эмиттером | 127 |
§ 25. Усилители с конденсаторным соединением | 131 |
§ 26. Усилители с трансформаторным соединением | 139 |
§ 27. Методика расчёта оконечных каскадов усилителей низкой |
частоты | 140 |
§ 28. Практические схемы двухтактных усилителей | 150 |
§ 29. Усилительный каскад с высоким входным сопротивлением | 151 |
|
Глава 6. Некоторые вопросы построения высокочастотных схем |
|
§ 30. Введение | 154 |
§ 31. Теория нейтрализации | 155 |
§ 32. Практические схемы резонансных усилителей с |
нейтрализацией внутренней обратной связи | 160 |
§ 33. Амплитудный детектор | 164 |
§ 34. Смесители частот | 168 |
|
Глава 7. Генераторы |
|
§ 35. Введение | 172 |
§ 36. Генераторы почти синусоидальных колебании с обратной |
связью | — |
§ 37. Релаксационный генератор с индуктивной обратной связью | 182 |
§ 38. Генераторы синусоидальных колебаний с отрицательным |
сопротивлением | 185 |
§ 39. Генераторы разрывных колебаний | 191 |
|
Глава 8. Методы измерения параметров транзисторов |
|
§ 40. Введение | 201 |
§ 41. Методы измерения параметров | 203 |
§ 42. Прибор для осциллографического исследования |
характеристик транзисторов | 211 |
|
Глава 9. Шумовые свойства плоскостных транзисторов |
|
§ 43. Введение | 216 |
§ 44. Измерение шумфактора | 222 |
§ 45. Усилители с малым уровнем шумов | 227 |
|
Глава 10. Транзисторные преобразователи и их применение |
|
§ 46. Полупроводниковые преобразователи | 230 |
§ 47. Схема питания и развёртки портативного переносного |
осциллографа | 239 |
§ 48. Модулятор | 242 |
§ 49. Тональный генератор на плоскостных транзисторах | 244 |
§ 50. Усилитель громкоговорящей связи | 247 |
§ 51. Бесконтактный замыкатель | 250 |
|
Приложение | 254 |
Литература | 259 |