t.me/knigoprovod Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время30.09.20 13:33:23
На обложку
Современное проектирование на C++: Обобщённое программирование…авторы — Александреску А.
Элементы дискретных систем связиавторы — Шляпоберский В. И.
Распространение волн в среде со случайными неоднородностямиавторы — Чернов Л. А.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
В ЛЕТНЕ-ОСЕННЕЕ ВРЕМЯ ВОЗМОЖНЫ И НЕМИНУЕМЫ ЗАДЕРЖКИ ПРИ ОБРАБОТКЕ ЗАКАЗОВ
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп — Маделунг О.
Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп
Маделунг О.
год издания — 1967, кол-во страниц — 478, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 660 гр., издательство — Мир
цена: 500.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — очень хорошая

Physics of III—V Compounds

by Prof. Dr. Otfried Madelung

INSTITUTE FOR THEORETICAL PHYSICS
UNIVERSITY OF MARBURG/LAHN

John Wiley and Sons, 1964


Пер. с англ. Л. Л. Коренблита, С. И. Рембеза и Н. А. Федорович

Формат 60x90 1/16
ключевые слова — полупроводник, лазер, кристаллохим, антимонид, фотоэлектр, интерметалл, магнитооптич, гальваномагнит, термомагнит, тетраэдр, решётк, алмаз, кейн, межзонн, внутризон, магнетоплазм, термоэлектр, примесн, электролюминесц, диод, триод, транзистор, фотоэффект

Настоящая книга посвящена обстоятельному описанию нового класса полупроводниковых материалов — соединениям типа АIIIВV, получившим в последние годы широкое практическое применение в полупроводниковой электронике и (в самое последнее время) в лазерной технике.

В книге систематически описаны результаты основных исследований важнейших свойств этих соединений (кристаллохимия, энергетическая зонная структура, электрические и оптические свойства, роль примесей и т. д.), включая самый последний период. Книга содержит обширную библиографию.

Книга рассчитана на физиков, химиков и инженеров, занимающихся изучением свойств полупроводниковых материалов и их применением в полупроводниковых приборах и лазерах. Она может также служить дополнительным пособием для преподавателей и студентов физико-технических вузов по курсу физики полупроводников.


Интерметаллические соединения элементов III и V групп периодической системы Менделеева, или, как их сокращённо принято называть, соединения АIIIВV, получили в последние годы широкое распространение в качестве материала для изготовления различных полупроводниковых приборов. Интенсивное изучение свойств этих соединений, проводившееся на протяжении последних четырнадцати лет, привело к открытию ряда явлений, созданию принципиально новых и важных для техники электронных приборов и существенно способствовало развитию физики твёрдого тела.

Началом систематического изучения соединений АIIIВV принято считать 1952 г., когда появились первые работы Г. Велькера по электрическим, магнитным и оптическим свойствам ряда соединений АIIIВV. Однако в действительности ещё за два года до этого, в 1950 г., А. Р. Регель с сотрудниками исследовали электрические свойства антимонида индия и показали, что это соединение является полупроводником с узкой запрещённой зоной и большой подвижностью электронов. К выводу о полупроводниковых свойствах антимонида индия в то же время пришла и Н. А. Горюнова на основе исследования изоморфизма соединений АIIIВV и полупроводниковых элементов IV группы периодической системы Менделеева. Указанные работы явились частью проводившихся тогда в Ленинградском физико-техническом институте под руководством А. Ф. Иоффе и В. П. Жузе исследований электрических, фотоэлектрических и магнитных свойств различных интерметаллических соединений — нового в то время класса полупроводников.

В последующие годы, начиная с 1954 г., исследование соединений АIIIВV успешно развивалось в Ленинградском физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе под руководством Д. Н. Наследова. Лаборатория, руководимая Д. Н. Наследовым, внесла большой вклад не только в изучение свойств соединений АIIIВV и создание на их основе новых полупроводниковых приборов, но и в значительной степени способствовала внедрению в СССР этих материалов в технику.

За прошедшие четырнадцать лет интерес к соединениям АIIIВV не только не уменьшился, но в последние годы значительно возрос главным образом в связи с созданием полупроводниковых квантовых генераторов. Количество ежегодно публикуемых работ по соединениям АIIIВV, начиная с 1960 г., в среднем колеблется в пределах 180—200. Естественно, что при таком большом количестве ежегодных публикаций время от времени возникает необходимость в составлении специальных обзоров и монографий, в которых в сжатой форме сообщалась бы информация об основных результатах, полученных при исследовании этих соединений. Такой обзор свойств соединений АIIIВV представлен в сборнике «Полупроводники» под редакцией И. Б. Хеннея (ИЛ, 1962) и в монографии К. Хилсума и А. Роуз-Инса «Полупроводники типа АIIIВV» (ИЛ, 1963).

Предлагаемая в русском переводе книга О. Маделунга, крупного немецкого физика (ныне профессора Марбургского университета), ближайшего сотрудника Г. Велькера, «Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп» выгодно отличается от изданных ранее книг не только изложением более новых работ, но и более полным и подробным описанием основных свойств этой чрезвычайно важной группы полупроводниковых материалов. В книге рассмотрены основные кристаллохимические свойства и структура энергетических зон, электрические, оптические, магнитооптические, гальваномагнитные и термомагнитные свойства различных соединений АIIIВV. Читатель найдёт в этой книге наиболее полную сводку данных об энергетических уровнях и влиянии различных примесей на электрические, оптические и другие свойства этих соединений, данные о подвижности и эффективной массе носителей тока, данные о коэффициентах диффузии примесей и другие важные сведения, касающиеся свойств соединений АIIIВV. Специальная глава (гл. VI) посвящена твёрдым растворам и тройным соединениям АIIIВV, а также твёрдым растворам АIIIВV и АIIIВVI. Изучение этого класса более сложных по составу веществ, безусловно, представляет в настоящее время значительный научный интерес и открывает широкие возможности создания полупроводниковых материалов с разнообразными физико-химическими свойствами. Большой вклад в синтезирование и исследование тройных и более сложных полупроводниковых соединений на основе АIIIВV и АIIIВVl внесла Н. А. Горюнова с сотрудниками, работы которых широко цитируются в книге О. Маделунга…

Предисловие редактора перевода
Б. И. Болтакс

ОГЛАВЛЕНИЕ

П р е д и с л о в и е   р е д а к т о р а   п е р е в о д а5
П р е д и с л о в и е   а в т о р а9
У с л о в н ы е   о б о з н а ч е н и я13
 
Глава 1. Введение15
 
§ 1. Историческая справка15
§ 2. Кристаллическая структура тетраэдрических фаз16
§ 3. Характеристика наиболее важных соединений АIIIВV27
 
Глава 2. Теоретические основы31
 
§ 1. Химическая связь в тетраэдрических фазах31
§ 2. Теория зонной структуры соединений АIIIВV39
1. Введение39
2. Зонная структура полупроводника с решёткой типа алмаза40
3. Симметрия зонной структуры соединений АIIIВV42
4. Теория Кейна46
5. Методы теории возмущений53
6. Одномерные модели55
7. Выводы57
 
Глава 3. Оптические свойства соединений АIIIВV58
 
§ 1. Введение58
§ 2. Межзонные переходы60
1. Край полосы поглощения60
2. Зависимость края полосы поглощения от давления61
3. Влияние свободных носителей тока на положение края
    полосы поглощения66
4. Оптические переходы из валентной зоны в зону
    проводимости68
5. Внутризонные переходы в валентной зоне и зоне
    проводимости85
6. Поглощение и отражение света во внешнем магнитном
    поле90
§ 3. Свободные носители тока98
1. Теория98
2. Поглощение103
3. Отражение107
4. Циклотронный резонанс109
5. Магнетоплазменное отражение115
6. Эффекты Фарадея и Фогта116
§ 4. Колебания решётки120
§ 5. Показатель преломления .124
 
Глава 4. Явления переноса126
 
§ 1. Введение126
§ 2. Электрические и гальваномагнитные свойства127
1. Подвижность127
2. Электропроводность и постоянная Холла132
3. Зависимость электропроводности и постоянной Холла
    от магнитного поля174
4. Аномалии гальваномагнитных явлений при низких
    температурах и в сильных магнитных полях195
5. Зависимость электрических свойств от давления208
6. Сильные электрические поля. Ударная ионизация217
§ 3. Термоэлектрические явления224
1. Термо-э.д.с.224
2. Теплопроводность229
3. Термомагнитные явления233
§ 4. Неравновесные явления239
 
Глава 5. Примеси и дефекты257
 
§ 1. Введение257
§ 2. Свойства примесей в соединениях АIIIВV259
1. Акцепторы и доноры II и VI групп периодической
    системы259
2. Примеси IV группы периодической системы262
3. Другие примеси265
4. Неидентифицированные примесные уровни268
§ 3. Введение и удаление примесей и дефектов в соединениях
АIIIВV269
1. Выращивание чистых кристаллов; легирование269
2. Диффузия276
3. Термообработка и дефекты решётки288
4. Влияние облучения частицами292
§ 4. Специальные случаи300
1. Аномалии в подвижности носителей зарядов,
    вызванные примесями300
2. Высокоомные GaAs и GaP301
3. Электролюминесценция304
 
Глава 6. Кристаллы твёрдых растворов и тройных соединений308
 
§ 1. Введение308
§ 2. Твёрдые растворы между соединениями АIIIВV309
1. Предварительные замечания309
2. Система InSb — GaSb310
3. Система InSb — AlSb316
4. Система GaSb — AlSb316
5. Система InAs — GaAs318
6. Системы InSb — InAs и GaSb — GaAs321
7. Система InAs — InP321
8. Система GaAs — GaP326
§ 3. Твёрдые растворы между соединениями АIIIВV и
другими полупроводниками327
1. Системы соединений АIIIВV и АIIIВVI327
2. Системы InSb — In2Se3 и InSb — In2Te3329
3. Системы InAs — In2Se3 и InAs — In2Te3332
4. Системы GaAs — Ga2Se3 и GaAs — Ga2Te3334
5. Другие системы твёрдых растворов334
§ 4. Тройные соединения335
1. Основные точки зрения335
2. Соединения типа АIIВIVC2V337
 
Глава 7. p—n-переходы343
 
§ 1. Введение .343
§ 2. Диоды и триоды345
1. Диоды345
2. Транзисторы347
§ 3. Фотоэффект на p—n-переходах348
1. Фотодиоды348
2. Обнаружение с помощью p—n-переходов рентгеновского,
    γ-излучения и частиц высокой энергии353
§ 4, Туннельный эффект в p—n-переходах355
§ 5. Спонтанное и стимулированное излучение из p—n-перехода366
 
Глава 8. Различные физические свойства370
 
§ 1. Магнитная восприимчивость370
§ 2. Тонкие плёнки375
§ 3. Поверхностная проводимость и эффект поля378
§ 4. Поверхностные свойства и полярность решётки
цинковой обманки379
§ 5. Пластическая деформация; дислокации385
§ 6. Упругие постоянные; коэффициенты расширения388
 
Глава 9. Обобщение и обсуждение основных свойств соединений
АIIIВV393
 
§ 1. Предварительные замечания393
§ 2. Зонная структура394
§ 3. Явления переноса403
§ 4. Зависимость между химической связью и
полупроводниковыми свойствами405
 
Л и т е р а т у р а414
Д о п о л н и т е л ь н а я   л и т е р а т у р а450
П р е д м е т н ы й   у к а з а т е л ь462
У к а з а т е л ь   в е щ е с т в467

Книги на ту же тему

  1. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
  2. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  3. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  4. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
  5. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  6. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  7. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  8. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  9. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
  10. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.030 secработаем на движке KINETIX :)