Книга посвящена изложению современных представлений о гальвано- и термомагнитных явлениях в полупроводниках конечных размеров, основанных на предположении, что полупроводник состоит из нескольких подсистем квазичастиц, каждая из кото!рых во внешних температурных и электрических полях характеризуется своей температурой.

Детально рассмотрено влияние границ и энергетической и импульсной неравновесности квазичастиц на кинетические явления как при однозначной, так и многозначной связи температур и внешних полей.

Книга рассчитана на научных работников и студентов — физиков, а также на разработчиков электронной аппаратуры, интересующихся явлениями переноса в полупроводниках.

Табл. 4, рис. 69, библ. 270 назв.

Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках привлекают внимание многочисленных исследователей, как экспериментаторов, так и теоретиков, в течение многих лет. Это связано с тем, что с помощью гальваномагнитных и термомагнитных явлений можно определить ряд важных параметров полупроводников; на основе этих эффектов действуют многие приборы.

Гальвано- и термомагнитным эффектам посвящена многочисленная литература, в которой, однако, эти явления освещены недостаточно полно. Более того, можно считать, что ряд существенных результатов был получен лишь в самое последнее время.

Настоящая монография по замыслу авторов призвана осветить современное состояние вопроса. В ней впервые излагается теория гальваномагнитных и термомагпитных явлений с последовательным учётом взаимодействия электронов с неравновесной фононной системой, а также конечности размеров образца.

Как показано в монографии, первый фактор важен почти всегда и может существенно изменить результаты, которые принято считать классическими. Второй фактор — учёт границ — является определяющим, в первую очередь для тонких полупроводниковых плёнок, однако может сказаться и на явлениях в макроскопических образцах. Наряду с литературными данными монография содержит изложение многолетних исследований авторов, проведённых в Институте радиофизики и электроники АН УССР и на кафедрах теоретической и экспериментальной физики и металлофизики Харьковского политехнического института им. В. И. Ленина…

ПРЕДИСЛОВИЕ

Книги на ту же тему

1. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
2. Волны и взаимодействия в плазме твёрдого тела, Платцман Ф., Вольф П., 1975
3. Физики о физике. Сверхпроводимость, Ройзен И. И., сост., 1975
4. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
5. Метод Монте-Карло в физике полупроводников, Реклайтис А. С., Мицкявичюс Р. В., 1988
6. Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
7. Экспериментальные методы исследования энергетических спектров электронов и фононов в металлах (физические основы), Брандт Н. Б., Чудинов С. М., 1983
8. Физика фононов больших энергий, 1976
9. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
10. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
11. Электронные свойства двумерных систем, Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф., 1985
12. Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
13. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
14. Теория ангармонических эффектов в кристаллах, Лейбфрид Г., Людвиг В., 1963
15. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
16. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
17. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
18. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
19. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
20. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
21. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики: Динамика решётки, Блинц Р., Жекш Б., 1975
22. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, Цэндин К. Д., ред., 1996
23. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
24. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
25. Физические основы квантовой электроники (оптический диапазон), Тарасов Л. В., 1976
26. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
27. Математика диффузии в полупроводниках, Малкович Р. Ш., 1999
28. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций, Кадич А., Эделен Д., 1987
29. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение, Метфессель С., 1963