|
|
Арсенид галлия в микроэлектронике
Научное издание |
| Айнспрук Н., Уиссмен У., ред. |
| год издания — 1988, кол-во страниц — 555, ISBN — 5-03-000130-1, 0-12-234111-2, тираж — 4600, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 650 гр., издательство — Мир |
|
| цена: 1000.00 руб |  | | | |
|
Сохранность книги — хорошая
VLSI Electronics
Microstructure Science
Volume 11
GaAs Microelectronics
Edited by
Norman G. Einspruch
College of Engineering
University of Miami
Coral Gables, Florida
William R. Wisseman
Texas Instruments Incorporated
Dallas, Texas
ACADEMIC PRESS, INC.
1985
Пер. с англ. А. Б. Данилина, Ю. Н. Ерохина, Б. Г. Налбандова, Б. Л. Эйдельмана
Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая |
| ключевые слова — арсенид, галл, микроэлектрон, vlsi, сбис |
В монографии, написанной американскими и японскими специалистами, подробно рассмотрены вопросы физики, разработки и технологии изготовления арсенидгаллиевых интегральных схем, обладающих высоким быстродействием, высокой стойкостью к воздействию радиации и высоких температур.
Для специалистов в области технологии изделий микроэлектроники, а также студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
Книги на ту же тему- Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
- Волноводная оптоэлектроника, Тамир Т., ред., 1991
- Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, Маделунг О., 1967
- Логическое проектирование СБИС, Киносита К., Асада К., Карацу О., 1988
- Плазменная технология в производстве СБИС, Айнспрук Н., Браун Д., ред., 1987
|
|
|
