Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время15.08.18 18:10:42
На обложку
Радиопульсарыавторы — Малов И. Ф.
Сопротивляемость сварных узлов хрупкому разрушениюавторы — Копельман Л. А.
Типология и периодизация культуры западноевропейского возрожденияавторы — Рутенбург В. И., ред.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводЗаказ редких книгО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
СЛЕДУЮЩАЯ ОТПРАВКА НАЛОЖЕННЫМ ПЛАТЕЖОМ НЕ ПОЗДНЕЕ 1 СЕНТЯБРЯ. ВОЗМОЖНЫ ЗАДЕРЖКИ ПРИ ОБРАБОТКЕ ЗАКАЗОВ
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
ЛитПамятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Физико-химия поверхности полупроводников — Волькенштейн Ф. Ф.
Физико-химия поверхности полупроводников
Волькенштейн Ф. Ф.
год издания — 1973, кол-во страниц — 400, тираж — 5800, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 440 гр., издательство — Физматлит
серия — Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
цена: 499.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Формат 84x108 1/32. Бумага машинно-мелованная
ключевые слова — поверхност, полупроводник, адсорбц, электронн, катализ, дырк, хемосорб, каталит, дефект, электропроводн, проводимост, дырочн, экситон, решётк, ленгмюр, десорбц, неленгмюр, плёнк, последейств

Монография посвящена физико-химическим процессам, протекающим на поверхности полупроводника, в основном — процессам химической адсорбции. Книга носит теоретический характер, хотя в ней даётся довольно исчерпывающая сводка экспериментальных данных.

Книга содержит в основном оригинальный материал и отражает исследования автора и его сотрудников. В неё включён материал небольшой монографии автора «Электронная теория катализа на полупроводниках», изданной в 1960 г.

Книга состоит из шести глав: 1. Электроны и дырки в полупроводнике, 2. Различные типы адсорбции, 3. Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции, 4. Взаимодействие поверхности с объёмом полупроводника, 5. Каталитическое действие полупроводника, 6. Процессы на реальной поверхности.

ОГЛАВЛЕНИЕ

П р е д и с л о в и е7
 
Г л а в а  1.  Электроны и дырки в полупроводнике13
 
§ 1. «Порядок» и «беспорядок» в кристалле13
А. Типы дефектов (13). Б. Свойства дефектов (15).
§ 2. Электропроводность неметаллических кристаллов18
А. Факторы, влияющие на проводимость (18). Б. Типы проводимости
(21).
§ 3. Механизм электронной и дырочной проводимости22
А. Свободные электроны, дырки и экситоны в решётке (22).
Б. Электронные и дырочные энергетические уровни (25).
§ 4. Энергетический спектр электрона в бесконечной кристаллической
решётке28
А. Постановка задачи (28). Б. Собственные функции и собственные
значения (31). В. Переход к трёхмерной решётке (34).
Г. Энергетический спектр дырки (36).
§ 5. Энергетический спектр электрона в ограниченной кристаллической
решётке38
А. Постановка задачи (38). Б. Собственные функдии и собственные
значения (40). В. Поверхностные уровни Тамма и Шокли (43).
§ 6. Статистика электронов и дырок в полупроводнике45
A. Функция распределения Ферми-Дирака (45). Б. Электронный
и дырочный полупроводники (48). B. Статистика локальных
состояний (50). Г. Определение положения уровня Ферми (52).
§ 7. Пределы применимости зонной теории полупроводников55
А. Характерные черты зонной теории (55). Б. Условия применимости
зонной теории (57). В. Понятие о валентной зоне (59).
 
Г л а в а  2.  Различные типы адсорбции62
 
§ 8. Основные закономерности адсорбции62
А. Основные предпосылки теории Ленгмюра (62). Б. Кинетика
адсорбции (64). В. Адсорбционное равновесие (66).
§ 9. Физическая и химическая адсорбции69
А. Различие между физической и химической адсорбцией (69).
Б. Вычисление адсорбционного минимума (71). В. Активированная
адсорбция (73). Г. Природа активационного барьера (75).
§ 10. «Прочная» и «слабая» связи при хемосорбции79
А. «Слабая», «прочная» донорная и «прочная» акцепторная формы
хемосорбции (79). Б. Различные формы хемосорбции на ионном
кристалле (82). В. Примеры (84).
§ 11. Радикальные и валентно-насыщенные формы хемосорбции83
А. Свободные валентности поверхности (88). Б. Реакционная
способность хемосорбированных частиц (91). В. Примеры
радикальных и валентно-насыщенных форм хемосорбции (92).
Г. Диссоциация молекулы при адсорбции (97).
§ 12. Одноэлектронная связь при хемосорбции101
А. Постановка задачи (101). Б. Собственные функции и собственные
значения (105). В. Поляризация хемосорбированного атома (108).
§ 13. Двухэлектронная связь при хемосорбции111
А. Постановка задачи (111). Б. Собственные функции и собственные
значения (115). В. Свободные электроны решётки как адсорбционные
центры (118). Г. Учёт «слабой» связи (120).
 
Г л а в а  3.  Электронные процессы на поверхности полупроводника
при хемосорбции122
 
§ 14. Переходы между различными формами хемосорбции122
А. Переходы между энергетическими уровнями (122). Б. Переходы
между адсорбционными кривыми (125). В. Равновесие различных форм
хемосорбции (128). Г. Понятие «электронных переходов» в теориях
хемосорбции (132).
§ 15. Адсорбционное равновесие134
А. Адсорбционная способность поверхности (134). Б. Заряжение
поверхности при адсорбции (137).
§ 16. Кинетика адсорбции142
А. Постановка задачи (142). Б. Адсорбция при постоянном
поверхностном потенциале. Общий случай (146). В. Адсорбция при
постоянном поверхностном потенциале. Частные случаи (149).
Г. Адсорбция при изменяющемся поверхностном потенциале (153).
§ 17. Кинетика десорбции157
А. Десорбция при соблюдающемся электронном равновесии (157).
Б. Нарушение электронного равновесия при десорбции (160).
В. Неполная десорбция (164).
§ 18. Роль уровня Ферми в хемосорбции167
А. Уровень Ферми как регулятор хемосорбционных свойств
поверхности (167). Б. Происхождение неленгмюровских
закономерностей (169). В. Приближения «теории граничного слоя»
(172).
 
Г л а в а  4.  Взаимодействие поверхности с объёмом полупроводника175
 
§ 19. Связь между поверхностными и объёмными свойствами
полупроводника175
А. Связь между положениями уровня Ферми на поверхности и
в объёме полупроводника (175). Б. Поверхностный потенциал (178).
В. Зависимость поверхностного потенциала от различных факторов
(183).
§ 20. Эффекты, обусловленные заряжением поверхности186
А. Влияние адсорбции на работу выхода (186). Б. Поверхностная
проводимость (191). В. Влияние внешнего поля и адсорбции на
проводимость (196).
§ 21. «Квазиизолированная» поверхность201
А. Понятие «квазиизолированной» поверхности (201). Б. Некоторые
свойства «квазиизолированной» поверхности (205).
§ 22. Адсорбционные свойства заряженного полупроводника208
А. Адсорбционная способность заряженного полупроводника (208).
Б. Влияние внешнего электрического поля на адсорбционную
способность полупроводника (212). В. Адсорбция ионов на
полупроводнике (216).
§ 23. Влияние поверхности на распределение примеси внутри
полупроводника218
A. Постановка задачи (218). Б. Распределение примеси в
приповерхностном слое полупроводника (221). B. Влияние примеси
на адсорбционную способность полупроводника (224).
Г. Необратимая адсорбция (228).
§ 24. Полупроводниковая плёнка на металле. Дисперсные полупроводники234
А. Ход потенциала в плёнке (234). Б. Адсорбционная способность
плёнки. Положительный поверхностный заряд (239).
В. Адсорбционная способность плёнки. Отрицательный поверхностный
заряд (244). Г. Адсорбционные свойства дисперсного
полупроводника (248).
 
Г л а в а  5.  Каталитическое действие полупроводника252
 
§ 25. Основные понятия катализа252
А. Полупроводники как катализаторы химических реакций (252).
Б. Активность и селективность катализатора (254). В. Энергия
активации реакции (257). Г. Электронная теория катализа (259).
§ 26. Роль уровня Ферми в катализе262
А. Радикальные механизмы гетерогенных реакций (262).
Б. Акцепторные и донорные реакции (267). В. Коллективные
и локальные эффекты в катализе (271).
§ 27. Электронные механизмы каталитических реакций274
А. Окисление водорода (274). Б. Разложение спирта (277).
В. Окисление окиси углерода (284). Г. Дейтеро-водородный обмен
(290).
§ 28. Связь между работой выхода, электропроводностью
и каталитической активностью295
А. Происхождение связи между работой выхода, электропроводностью
и активностью (295). Б. Экспериментальные данные по связи работы
выхода и электропроводности с каталитической активностью (300).
В. Изменения работы выхода и электропроводности в процессе
реакции (304).
§ 29. Влияние различных факторов на каталитическую активность308
А. Влияние внешнего электрического поля (308). Б. Каталитические
свойства полупроводниковой плёнки на металле (310). В. Механизм
влияния примесей (314). Г. Экспериментальные данные по влиянию
примесей (319). Д. Компенсационный эффект (325).
 
Г л а в а  6.  Процессы на реальной поверхности331
 
§ 30. Роль в адсорбции структурных дефектов поверхности331
А. Адсорбция при неравномерном распределении дефектов
на поверхности (331). Б. Адсорбция на структурном дефекте (334).
§ 31. Адсорбция на поверхности с переменным числом адсорбционных
центров339
А. Особенности адсорбции, обусловленные «тепловым беспорядком»
на поверхности кристалла (339). Б. Адсорбция на локализованном
электроне (343).
§ 32. «Эффект памяти» у полупроводников при фотоадсорбции349
А. Фотоадсорбционный эффект (349). Б. Изменение концентрации
адсорбционных центров под влиянием облучения (353). В. Адсорбция
после предварительного облучения (358). Г. Эффект последействия
(364).
§ 33. Концепции «неоднородной поверхности» и «взаимодействия»
в теориях адсорбции370
А. Понятие «неоднородной поверхности» (370). Б. Понятие
«взаимодействия» (375).
§ 34. О физическом смысле «функции распределения» в теории
адсорбции на неоднородных поверхностях378
А. Неоднородность, обусловленная неравномерным распределением
примеси (378). Б. Связь между градиентом концентрации примеси
и «функцией распределения» по теплотам адсорбции (381).
В. Примеры (384).
 
З а к л юч е н и е388
А. Основные положения электронной теории хемосорбции (388).
Б. Электронная теория хемосорбции и эксперимент (389).
 
Л и т е р а т у р а392

Книги на ту же тему

  1. Химическая физика поверхности твёрдого тела, Моррисон С., 1980
  2. Молекулярная теория адсорбции в пористых телах, Товбин Ю. К., 2013
  3. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
  4. Электронные свойства двумерных систем, Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф., 1985
  5. Методы анализа поверхностей, Зандерна А. В., ред., 1979
  6. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
  7. Введение в физику поверхности, Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М., 2006
  8. Электронные явления в гетерогенном катализе, Рогинский С. 3., 1975
  9. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  10. Теория экситонов, Нокс Р., 1966
  11. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  12. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
  13. Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках, Мурзин В. Н., 1985
  14. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
  15. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  16. Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
  17. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах, Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч., 1989
  18. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
  19. Плазменная технология в производстве СБИС, Айнспрук Н., Браун Д., ред., 1987
  20. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  21. Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение, 1968
  22. Каталитические и кинетические волны в полярографии, Майрановский С. Г., 1966
  23. Основы химической кинетики и катализа, Байрамов В. М., 2003

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.037 secработаем на движке KINETIX :)