Монография ведущих специалистов США и Японии, в которой рассмотрены вопросы физики, химии и технологии применения плазменной обработки в производстве СБИС. Книга является своеобразной энциклопедией по физике и химии процессов осаждения, литографии и травления с применением ионно-плазменных методов.

Для специалистов в областях физической электроники, физики плазмы и технологии изготовления изделий микроэлектроники, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Предлагаемая вниманию советского читателя книга представляет собой перевод коллективной монографии, выпущенной в серии «Электроника СБИС. Наука о микроструктурах». Монография отражает последние достижения быстроразвивающейся технологии плазменной обработки, которая находит всё более широкое применение в промышленной микроэлектронике. Книга написана ведущими специалистами известных фирм, исследовательских центров и университетов США и Японии и обобщает опыт, накопленный в исследовании, применении и развитии плазменной технологии в производстве СБИС. Существенным достоинством книги является то, что она охватывает практически все процессы производства СБИС — осаждение, литографию и травление — и может служить своеобразной энциклопедией химии и физики процессов, связанных с использованием плазменной технологии. На русском языке аналогичная монография отсутствует, имеются лишь работы, посвящённые отдельным проблемам.

Материал книги условно можно разделить на три части. В первой части на основе анализа результатов, главным образом электронно-микроскопических и оже-спектроскопических исследований рассматриваются свойства одно- и многокомпонентных металлических и диэлектрических покрытий, получаемых в распылительных системах различных типов. Определяются оптимальные условия создания путём стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы высококачественных плёнок переходных металлов и их силицидов, а также диэлектриков, имеющих кремниевую основу. Рассматриваются механизмы соответствующих процессов.

Во второй части обсуждаются особенности технологии трёхслойных резистов, сопряжённые вопросы применения, в частности рентгеновского и ультрафиолетового излучения для субмикронной литографии, перспективы использования трёхслойных резистов. Третья часть посвящена многочисленным проблемам сухого травления применительно, главным образом, к производству кремниевых устройств. Это проблемы, связанные с травлением при высоком давлении рабочего газа, с реактивным ионным травлением, ионно-лучевым травлением, реактивным ионно-лучевым травлением, а также с другими, пока только развивающимися методами травления. Обсуждаются теоретические основы и механизмы упомянутых способов травления, методы анализа процесса травления.

Достоинством монографии наряду с упомянутыми выше является и то, что в ней прослеживается и подчёркивается взаимосвязь прогресса технологии плазменной обработки материалов с развитием фундаментальных исследований процессов, лежащих в основе ионно-плазменных методов (имеются в виду физика и химия процессов, протекающих собственно в плазме и при взаимодействии атомных частиц и различного вида излучений с поверхностями твёрдых тел). В этой связи необходимо отметить, что проведённый в последние годы анализ экспериментальных и теоретических исследований физического (столкновительного) распыления одно- и многокомпонентных материалов, изменения структуры поверхности под действием ионной бомбардировки, химического распыления, процессов создания и отжига радиационных нарушений, аморфизации и перекристаллизации аморфных слоёв под действием ионной бомбардировки и лазерного излучения способствовал совершенствованию технологии ионно-плазменной обработки материалов. Так, начаты интенсивные экспериментальные исследования, а также исследования с помощью ЭВМ угловой зависимости коэффициентов распыления твёрдых тел в широком диапазоне углов падения (вплоть до скользящего падения), энергетических распределений распылённых частиц — атомов и кластеров, пространственных распределений распылённого вещества, т. е. исследования именно тех закономерностей, которые в большой степени определяют качество профиля топологических элементов СБИС при использовании ионо-плазменной технологии…

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА
Е. С. Машкова

Книги на ту же тему

1. Итоги науки и техники: Физика плазмы. Том 5, Шафранов В. Д., ред., 1984
2. Генераторы низкотемпературной плазмы: Труды III Всесоюзной научно-технической конференции по генераторам низкотемпературной плазмы, Лыков А. В., ред., 1969
3. Плазменные ускорители и ионные инжекторы, Козлов Н. П., Морозов А. И., ред., 1984
4. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий, Яфаров Р. К., 2009
5. Кинетика и термодинамика химических реакций в низкотемпературной плазме, Полак Л. С., ред., 1965
6. Химия плазмы. Вып. 10, Смирнов Б. М., ред., 1983
7. Физика плазмы (стационарные процессы в частично ионизованном газе): Учебное пособие для вузов, Синкевич О. А., Стаханов И. П., 1991
8. Нанотехнологии в микроэлектронике, Агеев О. А., Коноплёв Б. Г., ред., 2019
9. Вакуумно-плазменное и плазменно-растворное модифицирование полимерных материалов, Кутепов A. M., Захаров А. Г., Максимов А. И., 2004
10. Плазменные и высокочастотные процессы получения и обработки материалов в ядерном топливном цикле: настоящее и будущее, Туманов Ю. Н., 2003
11. Введение в физику поверхности, Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М., 2006
12. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
13. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
14. Методы анализа поверхностей, Зандерна А. В., ред., 1979
15. Химическая физика поверхности твёрдого тела, Моррисон С., 1980
16. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
17. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твёрдого тела, Экштайн В., 1995
18. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
19. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение, Метфессель С., 1963
20. Массоперенос в тонких плёнках, Колешко В. М., Белицкий В. Ф., 1980
21. Неразрушающий контроль параметров тонких проводящих плёнок электромагнитными методами, Гаврилин В. В., 1991
22. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике, Бериш Р., Виттмак К., Легрейд Н., Мак-Кланахан Э., Сандквист Б., Хауффе В., Хофер В., Ю М., 1998
23. Методы элементоорганической химии. Кремний, Андрианов К. А., 1968
24. Арсенид галлия в микроэлектронике, Айнспрук Н., Уиссмен У., ред., 1988